NOVELLUS 力推用于65-NM先進(jìn)平面化系統(tǒng)

Novellus Systems公司近日發(fā)布了用于300-mm晶圓生產(chǎn)的化學(xué)機(jī)械研磨（CMP）平臺，滿足并超越了65nm及其以下規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)的技術(shù)和經(jīng)濟(jì)需求。Xceda 完全是為了應(yīng)對新一代多層銅/低k結(jié)構(gòu)中的平面化挑戰(zhàn)而設(shè)計的，通過將溶劑利用率提高到40%，極大地減小了總擁有成本（CoO）。

Novellus Systems總裁 Sass Somekh博士表示：“我們深信Xceda所提供的核心技術(shù)將引領(lǐng)我們擴(kuò)展到32-nm技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，而無需對平臺進(jìn)行分裂性的改進(jìn)。事實(shí)上，近期來自領(lǐng)先半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)表明：Novellus的CMP技術(shù)方法完全可以應(yīng)用于多孔滲水的超低k值（ULK）材料，生成令人滿意的平面化結(jié)果，其中材料的k值低于2.0。此外，Xceda過程還被加以優(yōu)化以實(shí)現(xiàn)有效的除銅，同時確保超低k值（ULK）材料能夠保持其完整性，不產(chǎn)生水印/缺陷?！?

與傳統(tǒng)的化學(xué)機(jī)械研磨（CMP）設(shè)備相比，Xceda 通過配備4個獨(dú)立的拋光模塊，建立了全新的生產(chǎn)率基準(zhǔn)，這四個獨(dú)立拋光模塊對形成業(yè)界領(lǐng)先的產(chǎn)能是至關(guān)重要的。該設(shè)備獨(dú)特的經(jīng)由襯墊的溶劑管理連同其獲專利的襯墊設(shè)計，形成了晶圓表面均衡的溶劑流，從而改善了一致性，同時減少了特征的凹陷和侵蝕。談到此設(shè)備，Novellus 化學(xué)機(jī)械研磨（CMP）事業(yè)部的副總裁兼總經(jīng)理Damo Srinivas 評價如下：“Xceda將幫助我們的客戶實(shí)現(xiàn)他們的技術(shù)目標(biāo)，而無需犧牲對整體生產(chǎn)效率有重要影響的生產(chǎn)率和可靠性。從根本上講，Xceda代表了一種全新的化學(xué)機(jī)械研磨技術(shù)（CMP）－即將煩瑣的工藝過程轉(zhuǎn)變?yōu)楦唵?、更有效的步驟的技術(shù)。”

NOVELLUS力推用于65-NM以及更小規(guī)格技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的先進(jìn)平面化系統(tǒng)

VLSI調(diào)查公司認(rèn)為在快速增長的銅化學(xué)機(jī)械研磨（CMP）空間中，Xceda是引人注目的新產(chǎn)品，公司的首席執(zhí)行官（CEO）兼總裁G. Dan Hutcheson 表示道：“Novellus正在再次實(shí)現(xiàn)這樣一個目標(biāo)－為了滿足層出不窮的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)對技術(shù)和產(chǎn)能的需求而進(jìn)行的平臺設(shè)計，實(shí)現(xiàn)技術(shù)、生產(chǎn)率、成本和可靠性等困擾化學(xué)機(jī)械研磨（CMP）工藝過程的各個方面?！?Hutcheson 進(jìn)一步補(bǔ)充說：“當(dāng)設(shè)備的創(chuàng)新特性被賦予了Novellus久經(jīng)考驗(yàn)的銅專家技術(shù)時，它將為整個產(chǎn)業(yè)帶來可以信賴的、用于解決65納米以及更小規(guī)格銅饋線問題的化學(xué)機(jī)械研磨（CMP）領(lǐng)域的全新競爭者?！?

銅化學(xué)機(jī)械研磨技術(shù)（CMP）市場是增長最快的工藝過程細(xì)分之一。據(jù)市場調(diào)查公司Dataquest 統(tǒng)計，2003年全球CMP市場總額為7億2千8百萬美元，預(yù)計到2008年這一數(shù)字將達(dá)到8億4千3百萬美元。分項(xiàng)跟蹤統(tǒng)計表明，到2008年，銅化學(xué)機(jī)械研磨技術(shù)（CMP）的市場總額將達(dá)到4億7千3百萬美元－其增長速度是全部化學(xué)機(jī)械研磨（CMP）市場增長速度的5倍之多。

Xceda 的技術(shù)和生產(chǎn)率優(yōu)勢還能夠用于其它膜層的平面化。依托于產(chǎn)品久經(jīng)考驗(yàn)的產(chǎn)能績效和較低的耗材利用，Novellus 已經(jīng)收到了來自幾個客戶的第一個生產(chǎn)單元的制造委托

Xceda 于2004年6月12-14日期間，在美國舊金山召開的SEMICON West 上展出，展臺位于舊金山的Yerba Buena Center for the Arts。

XCEDA實(shí)質(zhì)

技術(shù)優(yōu)勢：
獲得專利的拋光技術(shù)實(shí)現(xiàn)了低k值和超低k值材料的整合
經(jīng)由襯墊的直接溶劑分配改善了一致性，減少了溶劑的使用
有效的壓盤設(shè)計形成了一個嵌入式的微通道分配，實(shí)現(xiàn)了一致性和跨整只晶圓的溶劑高目標(biāo)化分配
具備專利技術(shù)的襯墊凹槽的全新襯墊配置實(shí)現(xiàn)了對晶圓溶劑的精確控制，從而改善了一致性
多區(qū)域負(fù)載Multi-zone carrier（拋光頭）最大化了對拋光性能的控制
先進(jìn)的蒸氣干燥機(jī)實(shí)現(xiàn)了防水電介質(zhì)的無水印干燥
帶電刷的或兆頻超聲波的可配置清洗機(jī)實(shí)現(xiàn)了工藝過程的靈活性

生產(chǎn)率優(yōu)勢：
高產(chǎn)能的4個拋光模塊架構(gòu)
專門的裝載杯和調(diào)節(jié)裝置實(shí)現(xiàn)了更快的、可靠的晶圓處理
可配置的清洗機(jī)支持了工藝的靈活性
緊湊、簡單的設(shè)計，便于維護(hù)
工藝過程中和線上的度量控制實(shí)現(xiàn)了晶圓上100%的實(shí)時銅特征管理
比競爭產(chǎn)品少18%的處理步驟

NOVELLUS 力推用于65-NM以及更小規(guī)格技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的先進(jìn)平面化系統(tǒng)

成本優(yōu)勢：Cost Advantages:
襯墊尺寸減小了百分之七十70
單只晶圓的襯墊成本降低了百分之50
溶劑的利用率提高到了百分之 40 
（在任意模塊組合下獨(dú)立地使用任意損耗材料組合）
空間占用節(jié)約了百分之22
可擴(kuò)展到未來的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)－無需高成本、復(fù)雜的平臺變化