具有低功耗意識的FPGA設(shè)計方法

　工業(yè)、汽車電子、軍事, 甚至商業(yè)類客戶都會對系統(tǒng)的溫度和運行模式的概況有規(guī)定。這些概況指引我們在設(shè)計時要注意哪些地方以及精力該如何分配。IGLOO器件的低功耗工藝和硅片設(shè)計由Actel來保證，用戶所要關(guān)注的是：關(guān)心器件的選型、掌握所使用的FPGA的架構(gòu)、掌握PCB的板級布局（主要是電容及I/O的走線）。

　　對于同一系列的器件來說，器件的die越小，器件的功耗也會越小。也就是說，在選用器件的時候，應(yīng)該盡量選擇規(guī)模小的器件。選定器件后，可以在設(shè)計過程中，通過一些技巧盡可能的少占用資源，比如通過時分復(fù)用的方式少占用I/O，共享加法、乘法等算法邏輯，共享RAM等，同時也有必要了解所選用的FPGA的架構(gòu)。

　　用戶需要在功耗和速度之間做平衡，在對速度性能要求不高的時候，盡量使用低的核電壓和低電壓的I/O接口標(biāo)準(zhǔn)。根據(jù)設(shè)計工作的實際狀況，在某些時候?qū)?dāng)前不工作的資源關(guān)掉，比如通過控制SRAM的LP或BLK引腳，使其在不工作的時候可以被關(guān)斷，或者是通過Flash Freeze端口進入Fresh Frezee模式以降低靜態(tài)功耗。在PLL不需要工作的時候，通過Power Down引腳將其關(guān)掉，不過需要注意的是，需要考慮重新開啟以后，PLL的鎖定時間對系統(tǒng)是不是有影響。關(guān)掉沒有輸入總線的I/O Bank。

　　注意，不要濫用上拉/下拉電阻。在活動模式下，如果總線被反向模式驅(qū)動（如上拉的被“0”驅(qū)動，或下拉的被“1”驅(qū)動），那么每個I/O上的電流會增加。要預(yù)防被驅(qū)動的總線進入3態(tài)狀態(tài)。除非FPGA的工作時間確實短，否則建議跟板子設(shè)計者溝通以確保對輸入進行持續(xù)的驅(qū)動。

　　要降低設(shè)計的動態(tài)功耗，首先要了解影響動態(tài)功耗的因素。動態(tài)功耗通常和電壓、信號翻轉(zhuǎn)頻率、容性負載正相關(guān)，設(shè)計所占用的邏輯資源越多、時鐘頻率越高、I/O和RAM越多，動態(tài)功耗就越大。同時也需要分析設(shè)計的動態(tài)功耗概況。

　　確定要降低的動態(tài)功耗的目標(biāo)，如果要降低的動態(tài)功耗的目標(biāo)是目前整個系統(tǒng)動態(tài)功耗的20%，那么選用Actel的IGLOO器件或許就可以實現(xiàn)所要達到的目標(biāo)。如果目標(biāo)是80%，那么除了選用IGLOO器件外，還需要從系統(tǒng)和架構(gòu)上去考慮。

　　針對不同的系統(tǒng)功耗的概況，梳理動態(tài)功耗的重點，見圖1。針對Case1中動態(tài)功耗的示意圖，我們可以看出其功耗主要分布在邏輯、存儲和時鐘方面，這樣我們的精力就不能放在如何降低I/O的功耗上去，而針對Case3這種情況，如果要降低動態(tài)功耗，就必須要解決I/O上的功耗問題。

圖1 不同系統(tǒng)的動態(tài)功耗在線座談精華

　　要減少RAM的功耗，除了對RAM的控制和時鐘信號進行門控制以外，還需要知道RAM的讀和寫分別對功耗的影響有多少。地址變化、讀寫順序、RAM級聯(lián)方式對功耗的影響。

　　對RAM進行讀操作涉及到：控制所存地址和控制鎖存、行的預(yù)譯碼電路、讀的列譯碼電路、行的最終譯碼電路、讀的列譯碼控制、傳感放大器、數(shù)據(jù)輸出選擇和鎖存電路、Sense enable logic、讀控制電路、Bit-line預(yù)充電電路等十個相關(guān)電路。而對RAM進行寫操作需要涉及到的電路有：地址和控制鎖存、行的預(yù)譯碼電路、寫的列譯碼電路、行的最終解碼控制、寫的列譯碼控制、寫驅(qū)動電路和Bit Line預(yù)充電電路。因此，相比較而言，讀操作會比寫操作消耗更多的功耗。

　RAM的讀寫地址改變的方式，也會對功耗有不同的影響。連續(xù)操作地址之間的漢明距離越小，產(chǎn)生的功耗也越小。反之亦然。也就是說當(dāng)前操作的地址和上次操作的地址之間變化的位數(shù)越少，所產(chǎn)生的功耗也會越小。

　　讀寫間隔操作和連續(xù)讀、連續(xù)寫操作相比，要產(chǎn)生多一些的功耗。從圖2中分別對12塊RAM、16塊RAM和24塊RAM做的測試結(jié)果看，同樣的操作條件下，RAM塊數(shù)越多，連續(xù)操作地址之間的漢明距離越長，功耗就越大。同樣的塊數(shù)和連續(xù)操作之間的漢明距離，寫-讀三次會比三次寫三次讀消耗的功耗要大。

圖2 寫讀操作順序vs.讀序列后跟寫序列操作

　　通過前面所述，我們可以通過調(diào)整RAM的訪問順序降低RAM的功耗?？赡艿脑?，對RAM少進行讀操作，盡可能一次多讀一些數(shù)據(jù)或者多寫一些數(shù)據(jù)，少一些讀寫操作之間的切換。如果在連續(xù)相同操作的地址之間，漢明距離能保持最小的話更好。也可以考慮在反向時鐘沿上對RAM進行讀寫操作，以降低RAM的峰值功耗。

　　不同的RAM級聯(lián)架構(gòu)所產(chǎn)生的功耗也不同。如果想獲得一個4K×4的RAM，有許多不同的實現(xiàn)方式。從圖3中可以看出，根據(jù)這些不同的實現(xiàn)方式，對每塊RAM的讀寫時鐘控制，進行門控制所產(chǎn)生的功耗是最低的。

圖3 根時鐘vs.葉時鐘vs.門控允許