ARM的三種中斷調(diào)試方法簡介

　　進(jìn)行中斷調(diào)試時，應(yīng)注意中斷入口位于SDRAM中或FLASH中0x18或0x1c地址，鏈接腳本文件必須使整個系統(tǒng)的代碼正確定位于0x0起始處，但SDRAM或FLASH對應(yīng)的鏈接腳本文件及工程配置注意區(qū)別。

　　(1)程序在SDRAM中運(yùn)行

　　在SDRAM中調(diào)試，使用SDRAM對應(yīng)的鏈接腳本文件。調(diào)試過程需要以下幾步：編譯、鏈接工程；連接仿真器和電路板；下載程序（在IDE開發(fā)環(huán)境中使用擴(kuò)展名*.elf）；調(diào)試。

　　下載程序前必須啟動命令腳本文件完成前述的一些特定的操作，命令腳本文件的啟動在連接仿真器時自動進(jìn)行，其中存儲區(qū)映射應(yīng)與程序在SDRAM中運(yùn)行時相同，保證整個系統(tǒng)的代碼正確定位于0x0起始處。下載程序的起始地址也為0x0，下載成功后便可進(jìn)行調(diào)試工作。

　　(2)程序在FLASH中運(yùn)行

　　在FLASH中調(diào)試，使用FLASH對應(yīng)的鏈接腳本文件。調(diào)試過程需要以下幾步：編譯、鏈接工程；連接仿真器和電路板；程序格式轉(zhuǎn)換（*.elf轉(zhuǎn)換為*.bin）；固化*.bin程序；調(diào)試。

　　連接仿真器后不需要下載程序，存儲區(qū)映射由本身工程中啟動文件運(yùn)行完成，不需要命令腳本文件。在本環(huán)境調(diào)試過程中，可以設(shè)置兩個硬件斷點(diǎn)。

　　(3)程序從FLASH中調(diào)到SDRAM中運(yùn)行

　　在某些應(yīng)用場合，強(qiáng)調(diào)程序運(yùn)行速度的情況下，希望程序在SDRAM中運(yùn)行，這樣就需要將FLASH中存儲的程序，在系統(tǒng)上電后搬運(yùn)到SDRAM某空間位置，然后自動運(yùn)行。這種所謂的Bootloader技術(shù)，在DSP系統(tǒng)中常被采用。

　　調(diào)試過程分兩步：

　　(a)首先將用戶程序在SDRAM中調(diào)試通過，然后將*.bin文件固化到FLASH某一非0扇區(qū)地址空間；

　　(b) 將自己編寫的Bootloader搬運(yùn)程序調(diào)試通過并將Bootloader.bin文件固化到FLASH的 0扇區(qū)地址空間，搬運(yùn)程序在系統(tǒng)上電后，將（a）中FLASH某一非0扇區(qū)地址空間存儲的程序，搬運(yùn)到在SDRAM調(diào)試中同樣的空間位置，實(shí)現(xiàn)程序在SDRAM中運(yùn)行的目的。

　　另外注意，因?yàn)橛脩魧?shí)際的程序中斷入口必須位于FLASH的0x18或0x1c地址，所以Bootloader搬運(yùn)程序還應(yīng)具有中斷入口的跳轉(zhuǎn)功能，即把PC指針由此轉(zhuǎn)向處于SDRAM空間的中斷程序入口表，就是整個用戶程序被搬運(yùn)到SDRAM的那一位置。

　　如：LDR PC, =HandleIRQ

　　// HandleIRQ位于SDRAM空間中斷程序入口表