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          LDO線性調(diào)節(jié)器電路在StrataFlash嵌入式存儲器中的應(yīng)用

          作者: 時間:2010-12-12 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            圖4表明TPS79918為P30模塊供電的簡易。唯一的必要元件是本身和它的輸出電容。輸入電容只有在3.0V的輸出電容并不是挨著的時候才會用到。降噪電容只有為噪聲敏感元件供電的時候才需要,因此,在這種產(chǎn)品中不需要降噪電容。

          TPS79918為P30存儲器模塊供電的簡易

            從表1中可以看到,英特爾為它的(P30)特別了推薦TI 。這些LDO滿足新的P30的電氣和溫度需求。

          英特爾為它的StrataFlash嵌入式存儲器(P30)特別了推薦TI LDO

            結(jié)論

            TI TPS79918 LDO與英特爾的下一代存儲器(P30)很相配。三種封裝方式可以使設(shè)計者最好的確定其大小,而且LDO的電氣特性滿足系統(tǒng)需求,即低備份電流、瞬態(tài)響應(yīng)、最大電流.

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