基于閃爍存儲(chǔ)器的DSP并行引導(dǎo)裝載方法

TMS3.0VC5409 是TI公司推出的第一代的高性能、低價(jià)位、低功耗數(shù)字信號(hào)處理器（DSP）。與現(xiàn)在流行的TMS320C5409相比，性能提高了60%，功耗效率提高了 50%。它的應(yīng)用對(duì)象大多是要求能脫機(jī)運(yùn)行的內(nèi)嵌式系統(tǒng)，如機(jī)頂盒（STB）、個(gè)人數(shù)字助理（PDA）和數(shù)字無(wú)線通信等。閃爍存儲(chǔ)器（FLASH MEMORY）是可以在線電擦寫(xiě)、掉電后信息不丟失的存儲(chǔ)器。FLASH與EPROM相比，具有更高的性能價(jià)格比，而且體積小、功耗低、擦寫(xiě)速度快、使用比較方便。因此，采用FLASH存儲(chǔ)程序和固定數(shù)據(jù)是一種比較好的選擇。AMD公司的Am29LV400B FLASH可以直接與DSP相接。

　　1 Am29LV400B的主要特點(diǎn)及編程方法

　　Am29AL400B是AMD公司新推出的256K×16位產(chǎn)品，具有以下主要特點(diǎn)：

　?。?）支持單電源操作，可分為滿負(fù)荷電壓供電（2.7V～3.6V）和電壓范圍可調(diào)節(jié)（3.0V～3.6V）和電壓范圍可調(diào)節(jié)（3.0V～3.6V）供電兩種方式。滿幅度電壓供電壓供電方式主要用于電池供電的應(yīng)用中，而電壓范圍可調(diào)節(jié)供電方式直接與3.3V的高性能DSP接口，簡(jiǎn)化了系統(tǒng)的電源要求。

　　（2）最快的存取速度高達(dá)55ns，CMOS工藝，具有100000次寫(xiě)入/擦寫(xiě)壽命。

　　（3）低功耗（200nA的自動(dòng)休眠電流，200nA的待命電流，7mA的讀電流，15mA的編程/擦除電流）。

　?。?）靈活的塊結(jié)構(gòu)支持整片擦除、塊擦除。整片分為11個(gè)塊（1塊8K字、2塊4K字、1塊16K字、7塊32K字）。

　　（5）塊保護(hù)功能，具有防止對(duì)任何區(qū)段進(jìn)行編程或擦除的硬件保護(hù)機(jī)制。

　?。?）與JEDEC標(biāo)準(zhǔn)兼容，引腳分布和命令集與單電源FLASH相兼容，具有優(yōu)越的防止意外編程的保護(hù)功能。

　?。?）數(shù)據(jù)查詢位和數(shù)據(jù)切換位，可以通過(guò)軟件方法檢測(cè)編程/擦除操作的狀態(tài)。

　　（8）Ready/Busy#管腳，可以通過(guò)硬件方法檢測(cè)編程/擦除操作的狀態(tài)。

　　（9）具有擦除暫停/擦除恢復(fù)功能。在暫停擦除操作過(guò)程中，支持讀寫(xiě)不處于擦除狀態(tài)的塊。

　　（10）內(nèi)嵌的擦除/編程算法能自動(dòng)對(duì)整個(gè)芯片或某幾個(gè)塊進(jìn)行擦除編程操作。

　　Am29LV400B編程和擦除算法的命令定義如表1所示。

　　表1 Am29LV400B命令定義

　　表中，RA為要讀的存儲(chǔ)器地址；RD為從存儲(chǔ)器地址RA處讀出的數(shù)據(jù)；SA為要擦除的段地址；PA為要寫(xiě)入數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器地址；PD為要在地址PA處寫(xiě)入的數(shù)據(jù)。根據(jù)表中的命令定久可編制FLASH的“燒寫(xiě)”和“擦除”程序（用C語(yǔ)言和匯編語(yǔ)言混合編程實(shí)現(xiàn)）。根據(jù)需要，我們編制了“燒寫(xiě)”單字和“燒寫(xiě)”多字的程序。