FLASH K9F1G08U0M在MSP430F149嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

4 程序設(shè)計(jì)

在此給出寫操作部分程序，讀操作和擦除操作均可參考文中流程圖來編程，值得注意的是其它具體寫地址操作應(yīng)仔細(xì)閱讀

K9F1G08U0M芯片資料。

#include

#define CLE BIT3

#define ALE BIT3

#define WE BIT6

#define CE BIT4

#define RE BIT5

#define RB BIT7

void ReadFlash(); //讀FLASH子程序

void WriteFlash(); //寫FLASH子程序

void inituart(void); //初始化異步串行通信

void Write10h(); //寫控制字10h子程序

void WriteCommand(); //寫命令字寫地址

void ClrFlash(); //擦除FLASH子程序

unsigned int k,i,a

void main ()

{

WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD;

BCSCTL1 = ~XT2OFF;

do

{

IFG1 = ~OFIFG;

for (iq0=0x05; iq0>0; iq0--);

} //檢驗(yàn)晶振是否起振

while ((IFG1 OFIFG)!= 0);

BCSCTL2 = SELM_2 + SELS + DIVS0;

//SMCLK選擇2分頻后的4M

While(k0xFC00) //頁數(shù)64512時(shí)執(zhí)行

{

WriteCommand(); //調(diào)用寫控制字寫地址子程序

While(i2048) //字節(jié)數(shù)2048時(shí)執(zhí)行循環(huán)

{

WriteFlash(); //調(diào)用寫數(shù)據(jù)子程序,

32個(gè)字節(jié)

i=i+32; //字節(jié)數(shù)+32

}

i=0; //一頁寫完后,字節(jié)數(shù)置0

Write10h(); //調(diào)用寫10h子程序

while(!(P2IN RB)); //等待RB信號(hào)變高

k++; //頁數(shù)+1

}

k=0; //頁數(shù)置0

LPM4; //全部寫完后，MSP430進(jìn)入低功耗模式4

5 結(jié)束語

MSP430系列單片機(jī)具有實(shí)時(shí)處理能力強(qiáng)、運(yùn)行速度快、性價(jià)比高等特點(diǎn)。本文介紹了FLASH K9F1G08U0M在由MSP430F149組成的嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用，實(shí)驗(yàn)表明： 整個(gè)系統(tǒng)簡(jiǎn)單可靠、功能完善、運(yùn)行穩(wěn)定，具有實(shí)用價(jià)值。本文作者創(chuàng)新點(diǎn)：實(shí)現(xiàn)了MSP430單片機(jī)和NAND Flash兩種低功耗芯片在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用，完成了對(duì)FLASH的寫操作、讀操作及擦除操作，達(dá)到了系統(tǒng)的微體積和低功耗特性。