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          TMS320F206外圍電路典型設(shè)計(jì)

          作者: 時(shí)間:2009-12-23 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            AD669數(shù)據(jù)鎖存采用分段譯碼結(jié)構(gòu)(Segmented Decoded Architecture),可減少與數(shù)碼相關(guān)的毛刺,同時(shí)采用雙緩存鎖存結(jié)構(gòu),避免了虛假模擬信號(hào)的產(chǎn)生。AD669內(nèi)部集成隱埋式齊納基準(zhǔn),10.000 V基準(zhǔn)最大誤差為±0.2%。另外AD669具有管腳可定義單極(0~10 V)雙極性(一10~+l0 V)輸出,并可實(shí)現(xiàn)增益及零偏調(diào)節(jié)。

            芯片()工作于20 MHz時(shí)鐘周期,外掛JTAG仿真口,便于實(shí)時(shí)燒寫(xiě)、調(diào)試程序。DAC工作于邊沿觸發(fā)模式,即LDAC與CS連接在一起,而L1直接接地,兩級(jí)鎖存鏈接成主從結(jié)構(gòu)。

            與AD669接口框圖如圖3所示。

            正常工作狀態(tài)下,當(dāng)的I/O口空間選擇信號(hào)IS以及寫(xiě)選擇信號(hào)WE其中一個(gè)由低變高時(shí),則會(huì)使D/A的LDAC-CS產(chǎn)生上升沿(tLOWtHIGH),開(kāi)始同時(shí)更新兩級(jí)鎖存中的數(shù)據(jù)。其工作時(shí)序如圖4所示。

          接口電路框圖


            4 F206外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器擴(kuò)展

            芯片通常需要通過(guò)外部存儲(chǔ)器來(lái)擴(kuò)展數(shù)據(jù)存儲(chǔ)空間。F206內(nèi)部集成64 kB數(shù)據(jù)存儲(chǔ)空間,外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器可以擴(kuò)展至32 kB空間。為了使存儲(chǔ)接口速度快,選用ISSI公司的高速存儲(chǔ)器IS61C3216,該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器為32 k×16 b的CMOS靜態(tài)RAM,其讀寫(xiě)訪問(wèn)時(shí)間僅為10 ns。

            F206芯片的總線請(qǐng)求信號(hào)BR以及全局存儲(chǔ)器分配寄存器GREG可以把數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器擴(kuò)展至32kB空間。用兩塊IS61C3216,一組作為局部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器,一組作為全局?jǐn)?shù)據(jù)存儲(chǔ)器,地址共用8000h~FFFFh。其擴(kuò)展框圖如圖5所示。

          擴(kuò)展電路框圖

            當(dāng)GREG=xx00h時(shí),8000h~FFFFh地址區(qū)域被配置為局部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器,此時(shí),BR=1,RAM2禁止訪問(wèn),RAM1兩個(gè)使能信號(hào)打開(kāi),選中RAM1;當(dāng)GREG=xx80h時(shí),8000h~FFFFh被配置為全局?jǐn)?shù)據(jù)存儲(chǔ)器,此時(shí),BR=0,RAMl被禁止局部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器將不能訪問(wèn)。

            通過(guò)外部存儲(chǔ)器擴(kuò)展,F(xiàn)206具有64kB的局部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器空間,用來(lái)存放指令使用的數(shù)據(jù);32 kB的全局?jǐn)?shù)據(jù)存儲(chǔ)器空間,用來(lái)存放與其他處理器共用的數(shù)據(jù)。

            5 結(jié) 語(yǔ)

            本文以為例詳細(xì)闡述了DSP芯片前向通道、后向通道接口思路及方法。在系統(tǒng)資源受到限制或需要的情況下,可以將A/D和D/A同時(shí)配置在DSP的擴(kuò)展總線上。此時(shí),最重要的是綜合考慮A/D和D/A與DSP收發(fā)數(shù)據(jù)時(shí)序的匹配。本文方案,以電路板的方式已運(yùn)用于廠家的產(chǎn)品中,對(duì)機(jī)載雷達(dá)的大規(guī)模、復(fù)雜性信號(hào)處理發(fā)揮了一定的作用。


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