CMOS圖像傳感器的發(fā)展走向

　　CMOS圖像傳感器能夠快速發(fā)展，一是基于XMOS技術(shù)的成熟，二是得益于固體圖像傳感器技術(shù)的研究成果。進入20世紀(jì)90年代，關(guān)于CMOS圖像傳感器的研究工作開始活躍起來。蘇格蘭愛丁堡大學(xué)和瑞典Linkoping大學(xué)的研究人員分別進行了低成本的單芯片成像系統(tǒng)開發(fā)，美國噴氣推進實驗室研究開發(fā)了高性能成像系統(tǒng)，其目標(biāo)是滿足NASA對高度小型化、低功耗成像系統(tǒng)的需要。他們在CMOS圖像傳感器研究方面取得了令人滿意的結(jié)果，并推動了CMOS圖像傳感器的快速發(fā)展。

　　當(dāng)前研究開發(fā)CMOS圖像傳感器的機構(gòu)很多，其中，以美國噴氣推進實驗室空間微電子技術(shù)中心的研究報道最多。很多研究機構(gòu)主要在開發(fā)CMOSAPS，已在傳感器陣列上集成了模/數(shù)轉(zhuǎn)換器。目前，人們主要致力于提高CMOS圖像傳感器尤其是CMOSAPS的綜合性能，縮小單元尺寸，調(diào)整CMOS工藝參數(shù)，將時鐘和控制電路、信號處理電路、模/數(shù)轉(zhuǎn)換器、圖像壓縮等電路與傳感器陣列完全集成在一起，并制作濾色片和微透鏡陣列，以期實現(xiàn)低成本、低功耗、高度集成的單芯片成像微系統(tǒng)。

　　CMOS圖像傳感器相對于CCD的優(yōu)點使前者得到迅速發(fā)展，在工業(yè)技術(shù)、民用視頻技術(shù)中得到廣泛應(yīng)用。盡管它還存在電離環(huán)境下暗電流稍大、高分辨率、高性能器件行待近一步發(fā)展等問題，但相信這些問題能夠得以解決，使其在空間技術(shù)的相應(yīng)領(lǐng)域中成為CCD的替代者。CMOS圖像傳感器采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝，繼承了CMOS技術(shù)的優(yōu)點.如靜態(tài)功耗極低，動態(tài)功耗與工作頻率成比例.噪聲容限大，抗干擾能力很強，特別適用于噪聲環(huán)境惡劣條件下工作，工作速度較快，只需要單一電源上作等。以上比較不難看出CMOS圖像傳感器在未來將會有更大的發(fā)展空間。