緊握移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)機(jī)遇 芯片業(yè)釋放澎湃動(dòng)力

　　移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的快速興起，尤其是移動(dòng)智能終端的快速普及，給移動(dòng)芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展帶來(lái)了前所未有的強(qiáng)大動(dòng)力。在全球半導(dǎo)體行業(yè)整體疲軟的局勢(shì)下，移動(dòng)芯片市場(chǎng)卻一枝獨(dú)秀地實(shí)現(xiàn)了快速增長(zhǎng)，成為集成電路產(chǎn)業(yè)盈利的主要來(lái)源，同時(shí)，以ARM為代表的廠商的崛起，正在改寫全球芯片產(chǎn)業(yè)的市場(chǎng)格局。尤為值得一提的是，伴隨全球移動(dòng)芯片產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，我國(guó)的芯片產(chǎn)業(yè)也實(shí)現(xiàn)了跨越式發(fā)展，從曾經(jīng)的“無(wú)芯”到“有芯”以及未來(lái)可能的“強(qiáng)芯”，我國(guó)移動(dòng)芯片產(chǎn)業(yè)正在進(jìn)入新一輪的黃金發(fā)展期。

　　近年來(lái)，在移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)發(fā)展的有力帶動(dòng)下，移動(dòng)智能終端超越PC成為全球集成電路發(fā)展的新市場(chǎng)和新動(dòng)力。借助于國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的快速發(fā)展和對(duì)國(guó)際開放性技術(shù)成果的積極利用，我國(guó)在移動(dòng)芯片領(lǐng)域已初步實(shí)現(xiàn)核心技術(shù)和市場(chǎng)應(yīng)用的雙重突破，取得了遠(yuǎn)好于PC時(shí)代的產(chǎn)業(yè)位置。

　　全球移動(dòng)芯片產(chǎn)業(yè)的三大趨勢(shì)

　　全球移動(dòng)芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展正呈現(xiàn)出三大發(fā)展趨勢(shì)，第一是移動(dòng)芯片成為集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵動(dòng)力;第二是通信基帶芯片持續(xù)增長(zhǎng)，應(yīng)用處理芯片快速興起;第三是移動(dòng)芯片驅(qū)動(dòng)集成電路制造產(chǎn)業(yè)快速升級(jí)。

　　移動(dòng)芯片無(wú)疑已成為集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主要推動(dòng)力。2007年以來(lái)，移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)發(fā)展開啟了信息產(chǎn)業(yè)新周期，智能終端近3年始終保持超過(guò)50%的高增長(zhǎng)率，PC則連續(xù)四季度同比下滑。20年來(lái)PC主導(dǎo)全球芯片市場(chǎng)的現(xiàn)狀被改變。2012年移動(dòng)終端芯片銷售額為651億美元，占全球芯片市場(chǎng)的24%，與PC芯片持平。毫無(wú)疑問(wèn)，智能終端為集成電路產(chǎn)業(yè)帶來(lái)了新的發(fā)展方向。

　　2012年，全球移動(dòng)芯片市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)15%，而同期半導(dǎo)體行業(yè)整體下降3%。移動(dòng)芯片已成為集成電路產(chǎn)業(yè)企業(yè)盈利的重要來(lái)源，并重塑了集成電路產(chǎn)業(yè)格局。ARM崛起成為芯片產(chǎn)業(yè)新的領(lǐng)導(dǎo)者，全球90%的智能終端采用了ARM架構(gòu)的移動(dòng)芯片;高通市值超越英特爾，成為移動(dòng)芯片霸主。通信基帶芯片和應(yīng)用處理芯片成為移動(dòng)芯片發(fā)展創(chuàng)新的關(guān)鍵。

　　在移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的浪潮下，通信基帶芯片也出現(xiàn)了持續(xù)增長(zhǎng)。2012年，通信基帶芯片出貨同比增長(zhǎng)8%，達(dá)到22.8億片：3G芯片同比增長(zhǎng)5%，其中TD-SCDMA芯片超過(guò)8000萬(wàn)片，同比增長(zhǎng)30%;LTE芯片出貨量比2011年增長(zhǎng)超過(guò)5倍，首度接近1億片，通信基帶芯片產(chǎn)業(yè)持續(xù)增長(zhǎng)。同時(shí)，應(yīng)用處理芯片也隨著移動(dòng)終端智能化而快速興起，2012年全球總計(jì)出貨超過(guò)8億片，同比增長(zhǎng)超過(guò)50%。多核復(fù)用成為應(yīng)用處理芯片設(shè)計(jì)的重點(diǎn)，四核逐漸成為市場(chǎng)主流。同時(shí)，整合應(yīng)用處理器和通信基帶處理器的集成型單芯片因性價(jià)比、功耗控制等優(yōu)勢(shì)而快速發(fā)展，已經(jīng)快速成為移動(dòng)芯片發(fā)展的重要方向。

　　移動(dòng)芯片市場(chǎng)的快速發(fā)展正在驅(qū)動(dòng)集成電路制造產(chǎn)業(yè)快速升級(jí)。移動(dòng)芯片的快速發(fā)展和升級(jí)換代，加速著芯片制造企業(yè)的工藝改進(jìn)和升級(jí)。臺(tái)積電工藝升級(jí)周期已縮短為兩年一代，2012年臺(tái)積電實(shí)現(xiàn)28納米量產(chǎn)，同期完成全球第一枚20納米移動(dòng)芯片試制;英特爾進(jìn)入22納米時(shí)代，并計(jì)劃在2014年推出14納米工藝。同時(shí)，移動(dòng)芯片促進(jìn)制造企業(yè)由關(guān)注“性能提升”向“性能和功耗平衡”轉(zhuǎn)變，產(chǎn)業(yè)逐漸發(fā)展到“后摩爾時(shí)代”。芯片設(shè)計(jì)企業(yè)與芯片制造企業(yè)的合作前所未有的緊密。

　　合力推動(dòng)產(chǎn)業(yè)健康持續(xù)發(fā)展

　　國(guó)內(nèi)芯片企業(yè)應(yīng)抓住當(dāng)前的有利時(shí)機(jī)，充分利用市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)，加強(qiáng)產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)的協(xié)同，推動(dòng)芯片產(chǎn)業(yè)和技術(shù)進(jìn)一步提升。一是優(yōu)化芯片產(chǎn)業(yè)整體布局，推動(dòng)良性發(fā)展。充分發(fā)揮國(guó)家的政策支持以及引導(dǎo)和扶持作用，做好對(duì)IP核、芯片設(shè)計(jì)、芯片制造等關(guān)鍵環(huán)節(jié)的整體統(tǒng)籌布局。充分發(fā)揮移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)和智能終端的產(chǎn)業(yè)拉動(dòng)效應(yīng)，以終端芯片為重點(diǎn)，加快內(nèi)需市場(chǎng)移動(dòng)芯片國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程，推進(jìn)國(guó)內(nèi)企業(yè)在市場(chǎng)規(guī)模、營(yíng)收、利潤(rùn)及國(guó)際影響力等的提升，同時(shí)，推動(dòng)其在物聯(lián)網(wǎng)、傳感網(wǎng)等感知領(lǐng)域，以及智能電網(wǎng)、安防監(jiān)控等新領(lǐng)域的應(yīng)用。

　　二是突破關(guān)鍵技術(shù)，進(jìn)一步加強(qiáng)對(duì)核心技術(shù)研發(fā)、關(guān)鍵設(shè)備購(gòu)置等的支持及協(xié)調(diào)，加大對(duì)移動(dòng)芯片內(nèi)部各類關(guān)鍵IP核的自主研發(fā)，推動(dòng)高制程工藝的技術(shù)突破和盡快量產(chǎn)，夯實(shí)多模多頻、集成單芯片、高工藝芯片設(shè)計(jì)和制造等核心技術(shù)基礎(chǔ)。

　　三是加強(qiáng)產(chǎn)業(yè)聯(lián)動(dòng)，實(shí)現(xiàn)IP核、設(shè)計(jì)、制造三大環(huán)節(jié)協(xié)同發(fā)展。建議終端企業(yè)和芯片設(shè)計(jì)企業(yè)針對(duì)移動(dòng)芯片設(shè)計(jì)研發(fā)加強(qiáng)合作，促進(jìn)“芯片與整機(jī)”、“芯片設(shè)計(jì)與制造”、“IP核與芯片設(shè)計(jì)”參與主體間的資源協(xié)調(diào)、優(yōu)化和緊密合作，從而提升產(chǎn)業(yè)的協(xié)同實(shí)力和產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)的同步提高。

　　我國(guó)移動(dòng)芯片產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)突破發(fā)展

　　在國(guó)家對(duì)TD-SCDMA和集成電路產(chǎn)業(yè)的大力支持下，借助智能終端和3G市場(chǎng)的有力拉動(dòng)，我國(guó)移動(dòng)芯片取得了長(zhǎng)足進(jìn)步，基本具備了進(jìn)一步創(chuàng)新升級(jí)的產(chǎn)業(yè)和技術(shù)條件。

　　3G時(shí)代，我國(guó)成功實(shí)現(xiàn)了從“無(wú)芯”到“有芯”的跨越。在通信芯片方面，展訊、聯(lián)芯科技、重郵信科、銳迪科、國(guó)民技術(shù)等已實(shí)現(xiàn)TD-SCDMA/GSM芯片的商用，徹底扭轉(zhuǎn)2G時(shí)代幾乎全部依賴進(jìn)口的現(xiàn)狀。2012年我國(guó)基帶芯片出貨8億片，國(guó)產(chǎn)化率提升到11%：在TD-SCDMA市場(chǎng)，國(guó)內(nèi)芯片企業(yè)市場(chǎng)占有率超過(guò)三分之二;在GSM市場(chǎng)，國(guó)內(nèi)企業(yè)始終位于前三;WCDMA芯片已實(shí)現(xiàn)累計(jì)千萬(wàn)片出貨。在應(yīng)用處理芯片方面，2012年我國(guó)智能手機(jī)應(yīng)用處理芯片出貨超2.5億片，國(guó)產(chǎn)化率增至10%。展訊和聯(lián)芯等企業(yè)提供的集成型芯片是拉動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要力量。同時(shí)，全志、瑞芯微等通過(guò)為平板電腦提供應(yīng)用處理芯片，年出貨量亦達(dá)到千萬(wàn)級(jí)別。國(guó)內(nèi)企業(yè)已實(shí)現(xiàn)多核、高工藝等設(shè)計(jì)技術(shù)突破，四核應(yīng)用處理芯片已規(guī)模商用。在40納米工藝廣泛采用的基礎(chǔ)上，今年部分國(guó)內(nèi)芯片企業(yè)也將把技術(shù)工藝升級(jí)到28納米。

　　在LTE時(shí)代，我國(guó)的芯片產(chǎn)業(yè)進(jìn)一步具備了從“有芯”到“強(qiáng)芯”的可能。在LTE芯片方面我國(guó)目前已基本跟上國(guó)際水平。海思、展訊、聯(lián)芯、中興微電子、創(chuàng)毅視訊、重郵信科、國(guó)民技術(shù)等多家企業(yè)已實(shí)現(xiàn)LTE基帶芯片的商用供貨;多家產(chǎn)品已支持或今年支持2G/3G/LTE多頻多模。

　　近年來(lái)，我國(guó)集成電路制造產(chǎn)業(yè)也取得了長(zhǎng)足進(jìn)步。2012年，國(guó)內(nèi)集成電路制造業(yè)銷售收入501億元，近7年來(lái)年均增長(zhǎng)率為30%。在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售收入整體下降的情況下，中芯國(guó)際2012年實(shí)現(xiàn)29%的逆勢(shì)增長(zhǎng)，同期國(guó)內(nèi)客戶占比已經(jīng)上升到34%，在不到5年時(shí)間內(nèi)增加了一倍，國(guó)內(nèi)芯片制造業(yè)與設(shè)計(jì)業(yè)相互帶動(dòng)效應(yīng)漸顯。2012年中芯國(guó)際實(shí)現(xiàn)40納米工藝量產(chǎn)，當(dāng)年即占總銷售收入的2.6%，目前其28納米生產(chǎn)線也在積極建設(shè)中。

　　在當(dāng)前的產(chǎn)業(yè)格局下，我國(guó)移動(dòng)芯片產(chǎn)業(yè)要實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步突破升級(jí)，在市場(chǎng)拓展、技術(shù)提升、產(chǎn)業(yè)合作等方面仍面臨巨大挑戰(zhàn)，具體表現(xiàn)在三個(gè)方面。

　　第一，國(guó)產(chǎn)移動(dòng)芯片市場(chǎng)占比偏低，企業(yè)規(guī)模仍然偏小。

　　國(guó)產(chǎn)移動(dòng)芯片在市場(chǎng)占有率雖較PC時(shí)代有長(zhǎng)足進(jìn)步，但比例仍然偏低，且多數(shù)產(chǎn)品以中低端市場(chǎng)為主，利潤(rùn)率低;國(guó)內(nèi)企業(yè)實(shí)力和國(guó)際領(lǐng)先企業(yè)差距較大，新工藝新技術(shù)導(dǎo)入較慢，面臨差距拉大再次掉隊(duì)的風(fēng)險(xiǎn)。

　　第二，國(guó)內(nèi)企業(yè)在核心技術(shù)存在一定短板，普遍缺乏對(duì)基本IP核的開發(fā)和積累，芯片研發(fā)受制于人、產(chǎn)品同質(zhì)化問(wèn)題突出。

　　第三，國(guó)內(nèi)芯片制造企業(yè)的持續(xù)發(fā)展能力有待加強(qiáng)，產(chǎn)能需求不足的問(wèn)題一直存在，隨著工藝換代不斷加速，獲取利潤(rùn)的時(shí)間及市場(chǎng)還在持續(xù)縮小。在技術(shù)水平上，國(guó)內(nèi)企業(yè)與先進(jìn)工藝存在著明顯差距，28納米及后28納米新建工廠的資金缺口仍然巨大，制造企業(yè)與本土芯片設(shè)計(jì)企業(yè)間的互動(dòng)空間仍然很大。