EMC COMPLIANT RS-485收發(fā)器保護(hù)電路解析

第三級(jí)保護(hù)方案(圖1中的TVS/TBU/ GDT)工作情況與保護(hù)方案2相似。該方案使用氣體放電管(GDT)而非TISP。GDT針對(duì)比前述TISP保護(hù)方案更高的過壓和過流提供保護(hù)。GDT是氣體放電等離子器件，提供低阻抗接地路徑以防止過壓瞬變。所選GDT為Bourns公司的2038-15-SM-RPLF。

該第三級(jí)保護(hù)方案提供高達(dá)8 kV(接觸放電)和15 kV(氣隙放電)ESD保護(hù)、2 kV EFT保護(hù)和6 kV電涌保護(hù)。

ADM3485E有一個(gè)120 Ω引腳與總線引腳相連。

電路評(píng)估與測(cè)試

為EVAL-CN0313-SDPZ板施加3.3 V至VCC電源。電壓可通過每個(gè)ADM3485E附近的VCC測(cè)試點(diǎn)檢查。發(fā)送和接收路徑可通過連接其中一個(gè)ADM3485E電路進(jìn)行測(cè)試，如圖3所示。信號(hào)或模式發(fā)生器可連接到DI。驅(qū)動(dòng)器的輸出可通過A和B測(cè)試點(diǎn)監(jiān)控，而接收器的輸出可通過RO測(cè)試點(diǎn)監(jiān)控。跳線配置如圖3所示。該測(cè)試設(shè)置可應(yīng)用于全部三個(gè)電路。

圖3. 發(fā)送和接收測(cè)試設(shè)置

根據(jù)IEC 61000-4-2，ESD測(cè)試需使用兩種耦合方法，即接觸放電和氣隙放電。接觸放電意味著放電槍與測(cè)試端口直接相連。采用氣隙放電法時(shí)，放電槍的放電電極向測(cè)試端口移動(dòng)，直到產(chǎn)生放電并在整個(gè)氣隙上形成一道弧。向每條總線線路的螺絲端子連接器放電。

對(duì)于IEC 61000-4-4 EFT測(cè)試，使用容性耦合箝位將EFT突發(fā)脈沖耦合至連接總線線路的電纜。箝位的耦合電容值取決于電纜直徑、電纜材料和電纜的屏蔽情況。

IEC 61000-4-5電涌測(cè)試表示需要使用耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)(CDN)，以便將電涌瞬變耦合至總線引腳。根據(jù)規(guī)格要求，它必須使用兩個(gè)80 Ω電阻針對(duì)兩個(gè)端口測(cè)試。圖4顯示電涌測(cè)試的測(cè)試設(shè)置。將CDN連接至A和B引腳，以及將電涌發(fā)生器的共模端連接至4個(gè)引腳螺旋連接器的接地。

圖4. IEC 61000-4-5電涌CDN輸入ADM3485E的設(shè)置