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          DSP與單片機(jī)高速通信實(shí)現(xiàn)的方案

          作者: 時間:2012-06-16 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
            圖2中雙口RAMCY7C133的讀寫信號以及鎖存器74HC373的使能信號的產(chǎn)生如圖3所示。其中,WR是89C52的寫控制信號,RD是89C52的讀控制信號,A0是89C52的地址最低位,A15是地址最高位,R/W是TMS320C32的讀寫控制信號,BUSYL接89C52的P1口的一個引腳(具體可根據(jù)系統(tǒng)實(shí)際情形自行選擇,圖中未畫出),BUSYR接TMS320C32的READY信號。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/154640.htm

            

            下面討論一下89C52對雙口RAM的讀寫過程。當(dāng)89C52對雙口RAM進(jìn)行讀數(shù)據(jù)時,由圖3可知此時A0應(yīng)為低電平,不妨假設(shè)地址為0x1000h,則存儲在雙口RAM中該地址處的16位數(shù)據(jù)同時被讀出,由于高8位數(shù)據(jù)線與89C52的8位數(shù)據(jù)線直接相連,所以高8位數(shù)據(jù)被立即讀入89C52中。同時,根據(jù)圖3中各信號的相互邏輯關(guān)系不難判斷,U3的使能信號LE有效(高電平),OE無效(低電平),因而低8位數(shù)據(jù)被送入U3中鎖存起來。接著89C52再進(jìn)行一次讀操作,這時地址變?yōu)?x1001h,由于A0變成高電平,雙口RAM的讀使能信號變成無效電平,所以此次讀操作對雙口RAM不產(chǎn)生影響。再來看U3的使能信號LE和OE的變化情況,顯然LE變成了無效電平,而OE變成了有效電平,上次被鎖存的數(shù)據(jù)(即雙口RAM的低8位數(shù)據(jù))被送入89C52。當(dāng)89C52對雙口RAM進(jìn)行寫入操作時,注意此時A0應(yīng)為高電平,不妨假設(shè)地址為0x100Ch,同樣可根據(jù)圖3判斷U2的使能信號LE和OE均為有效電平,因而數(shù)據(jù)被同時寫入雙口RAM中(即此時雙口RAM的高8位數(shù)據(jù)和低8位相同);接著89C52再進(jìn)行一次寫操作,此時地址變?yōu)?x100Dh,由于A0變成低電平,U2的片選為無效電平,U2被封鎖,數(shù)據(jù)寫入雙口RAM的高8位。從上面的分析可知,利用最低地址位A0的不同電平,89C52通過兩次連續(xù)的讀或?qū)懖僮?,成功?a class="contentlabel" href="http://www.ex-cimer.com/news/listbylabel/label/實(shí)現(xiàn)">實(shí)現(xiàn)了對雙口RAM中數(shù)據(jù)的讀或?qū)?,只不過是讀入時是先讀入高8位,后讀入低8位;而寫入則是先寫入低8位,后寫入高8位。

            4軟件

            雙口RAM必須采用一定的機(jī)制來協(xié)調(diào)左右兩邊CPU對它的讀寫操作,否則會出現(xiàn)讀寫數(shù)據(jù)的錯誤。通??梢杂弥袛唷⒂布?、令牌和軟件這四種方式來協(xié)調(diào)雙方,本文采用的是軟件方式。從上面的分析中我們可以得知,在接口電路中實(shí)際上已經(jīng)利用89C52的最低地址位A0把雙口RAM的存儲空間分為奇、偶地址兩個空間。其中,奇地址空間專供89C52寫,偶地址空間專供89C52讀。那么我們只需對TMS320C32的軟件作相應(yīng)處理即可,也就是說,TMS320C32對雙口RAM的奇地址空間只讀,對偶地址空間只寫。這樣就避免了TMS320C32和89C52對雙口RAM同一地址單元的寫入操作。另外,在對雙口RAM進(jìn)行訪問之前,CPU首先對本端的BUSY信號進(jìn)行查詢,只有本端/BUSY信號無效時才進(jìn)行讀寫操作,進(jìn)一步保證了數(shù)據(jù)讀寫的可靠性。

            5結(jié)束語

            通過雙口RAM雙CPU之間的數(shù)據(jù),極大地提高了數(shù)據(jù)傳輸速度和可靠性,滿足了控制系統(tǒng)的實(shí)時、的控制要求。本文所設(shè)計的89C52與雙口RAM之間的接口電路簡單實(shí)用,成功解決了它們總線匹配的問題,對其他類似需要總線擴(kuò)展的系統(tǒng)也有一定的參考價值。


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