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          用DS2119M構(gòu)建SCSI終結(jié)器

          作者:南通桑普力蘭研發(fā)中心 賁禮進(jìn) 時(shí)間:2002-12-05 來(lái)源:電子設(shè)計(jì)應(yīng)用 收藏
          引言
          接口技術(shù)近幾年來(lái)取得了飛速的發(fā)展,并已在網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器及多用戶多任務(wù)處理系統(tǒng)中得以廣泛運(yùn)用。然而繼-2之后,設(shè)備的不可缺少的重要元件,SCSI終結(jié)器也越來(lái)越受到人們的重視,人們?cè)谙硎躍CSI接口技術(shù)優(yōu)異性能的同時(shí),卻不得不去研究和解決SCSI設(shè)備信號(hào)傳輸?shù)慕K端反射效應(yīng)所帶來(lái)的系列問(wèn)題,如數(shù)據(jù)丟失問(wèn)題、無(wú)法識(shí)別SCSI設(shè)備以及系統(tǒng)不能可靠工作等。這種反射效應(yīng)的形成是由于傳輸線的終端阻抗不匹配而造成的,人們只有在SCSI設(shè)備的傳輸終端安裝一只終結(jié)器(一般是主動(dòng)式的),它可以自動(dòng)識(shí)別SCSI設(shè)備的工作狀態(tài)及工作模式,并自動(dòng)提供一個(gè)匹配阻抗,從而消除反射效應(yīng),保證系統(tǒng)正常運(yùn)行。本文將詳細(xì)介紹美國(guó)MAXIM公司推出的SCSI終結(jié)器芯片DS2119M,并給出用DS2119M構(gòu)建ULtra3 LVD/SE SCSI 終結(jié)器的典型應(yīng)用電路。

          DS2119M特點(diǎn)
          DS2119M具有如下特點(diǎn):
          可全面兼容Ultra2、 Ultra3、Ultra160以及Ultra320 SCSI;提供LVD/SE終結(jié)工作模式;自動(dòng)選擇LVD/SE終結(jié)模式;終結(jié)阻抗誤差不超過(guò)5%;內(nèi)置熱關(guān)斷電路;支持SCSI總線熱插拔;工作電壓2.7~5.5V。
          DS2119M功能原理描述:
          DS2119M是一只低電壓微分(LVD)終結(jié)模式和單端(SE)終結(jié)模式的多模式終結(jié)器專用集成電路。如果DS2119M終結(jié)器連結(jié)到單LVD SCSI總線,則DS2119M將以LVD終結(jié)模式工作;如果任何SE工作模式設(shè)備連接到該總線,則DS2119M將以SE終結(jié)模式工作;然而如果一只高電壓微分(HVD)設(shè)備被連結(jié)該總線,則DS2119M將使終結(jié)器與SCSI總線隔離。以上這些過(guò)程的變化都是由DS2119M的內(nèi)部電路感測(cè)SCSI總線上的DIFFSENS線上的電壓而自動(dòng)完成的。
          如圖1所示,一個(gè)參考電源給兩個(gè)放大器供電,產(chǎn)生了一個(gè)1.25V的參考電壓和一個(gè)2.85V的參考電壓。內(nèi)部控制邏輯電路檢測(cè)這兩種參考電壓并提供給終結(jié)電阻。如果SCSI總線工作在LVD模式下,就使用1.25V的參考電壓;如果SCSI總線工作在SE模式下,系統(tǒng)將會(huì)使用2.85V的參考電壓。內(nèi)部控制邏輯電路將轉(zhuǎn)換輸入輸出并聯(lián)電阻,從而改變總的終結(jié)阻抗。
          DS2119M內(nèi)部的DIFFSENSE電路是用以區(qū)分SE、HVD和LVD工作模式的,它將會(huì)給SCSI總線上的DIFFSENS線提供三種電壓中的一種電壓,兩只比較器和一個(gè)與非門電路將會(huì)區(qū)別出三種電壓,一種是低于0.6V,一種是高于2.15V,一種是介于兩者之間,這三種電壓分別指示SCSI總線工作于SE、HVD和LVD工作模式。
          DS2119M的DIFFCAP腳監(jiān)控SCSI總線的DIFFSENS線,以決定系統(tǒng)工作于何種工作模式。
          DS2119M的DIFFSENSE管腳同時(shí)也驅(qū)動(dòng)SCSI總線的DIFFSENS線(MSTR/SLV置高),以決定SCSI總線的工作模式,DS2119M將會(huì)根據(jù)SCSI總線的DIFFSENS線上的電壓來(lái)確定SCSI總線正確的終結(jié)模式(SE、HVD、LVD)。
          LVD模式:LVD模式是由DS2119M內(nèi)部的兩個(gè)電流源以及一系列精密電阻決定其最終終端阻抗,它提供了一個(gè)105W的微分阻抗和一個(gè)150W的共模式阻抗。在沒(méi)有設(shè)備連接到SCSI總線時(shí),系統(tǒng)提供一個(gè)112mV的維持偏壓。
          SE模式:進(jìn)入SE終結(jié)模式,SE參考電壓置2.85V,并且保持110W的終結(jié)阻抗。
          HVD隔離模式:當(dāng)一只高電壓微分(HVD)設(shè)備接入SCSI總線,DS2119M能將其自動(dòng)識(shí)別出來(lái),同時(shí)將終結(jié)器的各相關(guān)引腳從SCSI總線上隔離出來(lái)。
          當(dāng)ISO端置高或在熱關(guān)斷狀態(tài)時(shí),終結(jié)器的各相關(guān)功能引腳將從SCSI總線上隔離出來(lái),并且DIFFSENSE驅(qū)動(dòng)器關(guān)斷。
          為了確保系統(tǒng)可靠工作,DS2119M的TPWR腳應(yīng)被連接到SCSI總線的TERMPWR線上,跟所有模擬電路要求一樣,TERMPWR和VDD線應(yīng)該就近濾波。通常在TPWR和地之間放置一只2.2mF的電解電容和一只0.01mF的高頻電容并且盡量靠近DS2119M芯片引腳。DS2119M芯片也要盡量靠近SCSI連接器,以減小電源以及信號(hào)線的行程,從而使輸入電容最小,減小對(duì)SCSI總線信號(hào)的影響。
          為了保證系統(tǒng)按要求可靠工作,在每只DS2119M的VREF腳和地之間應(yīng)該放置一只4.7mF的電解電容和一只0.1mF高頻瓷介電容。
          圖2是用3片DS2119M構(gòu)建的ULtra3 LVD/SE SCSI 終結(jié)器的典型應(yīng)用電路。該電路外圍電路簡(jiǎn)單,元件較少,且DS2119M的外圍引腳只有28腳,排版制作很方便。由于電路簡(jiǎn)單,減少了PCB電路總布線量,可以改善走線間的串?dāng)_,提高了該SCSI終結(jié)器的可靠性。在實(shí)際運(yùn)用中,我們感覺(jué)到用DS2119M構(gòu)建的SCSI終結(jié)器,其終結(jié)性能比較優(yōu)越,可以改善一般SCSI終結(jié)器在傳輸距離達(dá)到8米以上誤碼率高的問(wèn)題,且兼容性較好。從理論上講,用該電路實(shí)現(xiàn)的SCSI終結(jié)器支持的最大數(shù)據(jù)傳輸速率可達(dá)320MB/s(雖然目前數(shù)據(jù)傳輸速率達(dá)320MB/s的SCSI設(shè)備還很少見(jiàn))。
          在器件的選擇上,連接在DS2119M VREF引腳上的4.7mF電容及TPWR引腳上的2.2mF電容應(yīng)選用高分子有機(jī)半導(dǎo)體固體電解電容器,該類電容有著較低的等效串聯(lián)阻抗及漏電流,有著良好的高溫負(fù)荷特性,且使用溫度范圍較寬,使用該類電容可以大大提高產(chǎn)品的可靠性。
          另外連接在VREF及TPWR引腳上的高頻瓷介電容請(qǐng)用片狀電容器,這樣可降低引線電感,提高濾波性能。
          在進(jìn)行PCB設(shè)計(jì)時(shí)請(qǐng)采用四層板結(jié)構(gòu)型式,表面兩層為信號(hào)層,中間地層和電源層,地層電源層采用大面積布線型式。信號(hào)層上的過(guò)孔應(yīng)盡量小且少,這樣不僅可以減小路徑電感,而且可以減少高頻信號(hào)層與層之間的相互影響。

          結(jié)語(yǔ)
          本文介紹的SCSI終結(jié)器有著較強(qiáng)的兼容性,支持總線熱插拔,并且制作方便?!?BR>

          圖1 DS2119M功能原理圖

          圖2 SCSI終結(jié)器的典型應(yīng)用電路



          關(guān)鍵詞: SCSI

          評(píng)論


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