場效應(yīng)管及其在DX中波發(fā)射機(jī)中的應(yīng)用
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2．3 功率MOS管在伺服控制板上的應(yīng)用
圖4是DX-600中波發(fā)射機(jī)合成器伺服控制板上用到的調(diào)諧的驅(qū)動(dòng)電路。其中由四只最大工作電壓100V，電流16A的IRF350組成橋式放大驅(qū)動(dòng)電路，放大前級(jí)輸出的脈寬調(diào)制信號(hào)直接驅(qū)動(dòng)調(diào)諧直流電機(jī)，傳動(dòng)調(diào)諧電容轉(zhuǎn)動(dòng)而達(dá)到改變其容量的目的。此外，調(diào)載驅(qū)動(dòng)電路與此完全相同，二者同時(shí)動(dòng)作實(shí)現(xiàn)合成器并機(jī)網(wǎng)絡(luò)狀態(tài)變化時(shí)的阻抗匹配調(diào)整。本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/155197.htm
2．4 功率MOS管在整流柜放電回路的應(yīng)用
DX-600中波發(fā)射機(jī)的單個(gè)200PB整流柜的主整功放電壓雖然不高(250V)，主整濾波電容由55只5100μF的電容分散并聯(lián)組成，而且每只電容都并聯(lián)了75kΩ的放電電阻，但其總體電容依然較大，
C=55x5100x10-6=0．2805(F)
相對于250V的儲(chǔ)能為：
1／2(CU2)=1／2(0．2805x2502)=8765(J)
這還不包括120μH主整濾波電感、驅(qū)動(dòng)級(jí)電容、二進(jìn)制電容的儲(chǔ)能，所以說從安全的角度考慮，如果在關(guān)機(jī)后不把儲(chǔ)能迅速瀉放，特別是處理故障時(shí)，對于維護(hù)人員來說具有相當(dāng)大的隱患。所以HARRIS公司采用了如圖5所示的放電電路，主要由IR生產(chǎn)的4只IRFP360功率MOS管Q1、Q2、Q3、Q4和與其相串聯(lián)的大功率電阻R13、R14、R15、R16組成，當(dāng)發(fā)射機(jī)工作時(shí)，均不導(dǎo)通；關(guān)機(jī)后，來自電源控制板的控制信號(hào)將控制電壓加到每只場效應(yīng)管的柵極上，MOS場效應(yīng)管開通，將主整和驅(qū)動(dòng)級(jí)(包括二進(jìn)制)電源的儲(chǔ)能完全瀉放在四個(gè)電阻上，達(dá)到保護(hù)設(shè)備、維護(hù)人身安全的作用。
圖5為放電回路早期圖紙，該公司設(shè)計(jì)人員采用的100W10Ω(R13、R14、R15、R16)的放電電阻在實(shí)際使用中，會(huì)經(jīng)常有IRFP360管子損壞、放電電阻燒毀的情況發(fā)生。后來HARRIS公司將其全部更換為250W40Ω后再無類似情況出現(xiàn)。
2．5 功率MOS管在其它地方的應(yīng)用
DX-600中波發(fā)射機(jī)中功率MOS管的應(yīng)用位置非常多，比如PB200射放的前級(jí)一緩沖級(jí)由4支IRL510功率MOS管兩兩構(gòu)成兩組推挽電路，一主一備各自完成將4～4．5Vp-p射頻激勵(lì)信號(hào)放大至15Vp-p的信號(hào)去推動(dòng)驅(qū)動(dòng)級(jí)(與RF 3XL射放模塊相同電路)。在PB200功放單元的B+／B-開關(guān)電源中，輸出可達(dá)65A的B-電源由四只IRFP448功率MOS管提供，輸出20A的B+電源由兩支Motorola生產(chǎn)的N型EMOS (Motorola稱為TMOS)功率管MTW8N5E提供。其它功率MOS管應(yīng)用的地方還有很多，在此不再一一列舉。
3 結(jié)束語
由此可見，場效應(yīng)管因?yàn)樗俣瓤?、功耗低、抗干擾等優(yōu)點(diǎn)，在中波射放系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用，特別是IR公司功率MOS管的出現(xiàn)及在DX中波發(fā)射機(jī)中的大量使用(DX-10中波機(jī)射放系統(tǒng)的模塊采用IRFP350功率MOS管)，使電子管完全退出了中波發(fā)射機(jī)，引領(lǐng)現(xiàn)代廣播發(fā)射設(shè)備發(fā)生了深刻的變革。
評(píng)論