下一代LTE基站發(fā)射機(jī)的RF IC集成設(shè)計(jì)
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ADRF670x和ADRF660x系列小數(shù)N分頻PLL設(shè)計(jì)是低相位噪聲的3G和4G應(yīng)用的理想之選。這些新的蜂窩標(biāo)準(zhǔn)具有密集的信號(hào)星座，要求越來越低的本振相位噪聲以獲得足夠的性能。傳統(tǒng)的PLL合成器設(shè)計(jì)使用“整數(shù)N”架構(gòu)，其輸出頻率是鑒相器頻率的整數(shù)倍。為提供較小的頻率步進(jìn)，整數(shù)倍增因子必須非常大。大量本振相位噪聲源于參考路徑，并被PLL頻率倍增因子所放大，這將導(dǎo)致PLL輸出端產(chǎn)生很高的帶內(nèi)噪聲。小數(shù)N分頻PLL允許輸出頻率有較小的步進(jìn)，同時(shí)保持低的總倍頻值，因而與整數(shù)N分頻PLL相比，可以降低相位噪聲放大值。
鄰信道功率比(ACPR)是判斷發(fā)射信號(hào)有多少泄漏進(jìn)相鄰頻帶的一個(gè)指標(biāo)。像WCDMA等3G標(biāo)準(zhǔn)對帶外發(fā)送功率有嚴(yán)格限制。ADRF6702的ACPR指標(biāo)見圖3。調(diào)制器提供高度線性的輸出功率和低噪聲，因此在-6dBm輸出點(diǎn)有優(yōu)于-76dB的ACPR值，這有助于減少調(diào)制器后面的增益級(jí)數(shù)，并使末端功放級(jí)電路前面的動(dòng)態(tài)范圍達(dá)到最大。
ADRF670x系列器件集成了3個(gè)LDO電路，可在單5V電源下工作，從而進(jìn)一步簡化了用戶應(yīng)用、減小了成本和電路板面積。LDO用于向VCO、電荷泵以及PLL增量累加調(diào)制器提供穩(wěn)定電源，+5V電源可直接用于I-Q調(diào)制器，以使輸出功率最大。
在高密度應(yīng)用中，ADL670x可以利用PLL完成本振的內(nèi)部合成，而其它器件可以禁用它們的PLL，并使用來自某個(gè)主器件的公共本振。
ADRF670x系列產(chǎn)品設(shè)計(jì)用于簡化用戶接口，方便與ADI最新的發(fā)送數(shù)模轉(zhuǎn)換器AD9122和GaAs放大器(如ADL5320)的連接。(ADL5320是一個(gè)0.25瓦高線性度放大器，能夠?qū)?dBm以上功率驅(qū)動(dòng)進(jìn)最末級(jí)功放電路。)這三個(gè)尺寸緊湊的IC構(gòu)成了一個(gè)完整的有源IC器件組合，是所有下一代多載頻蜂窩無線平臺(tái)的理想之選。本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/155369.htm
評(píng)論