基于XPM存儲(chǔ)器RFID高頻接口設(shè)計(jì)

　　100%和10% ASK 調(diào)制仿真結(jié)果

　　調(diào)制的數(shù)據(jù)和天線的波形圖

　　4.結(jié)論

　　基于 SMIC 0.18um one poly four metal 標(biāo)準(zhǔn)CMOS 工藝設(shè)計(jì)的符合ISO15693 國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議的RFID 射頻前端電路. 電路仿真的結(jié)果表明: 此射頻前端電路可以有效地從 13.56MHz 的RF 信號(hào)中恢復(fù)出直流電壓1.8v, 并提出數(shù)字部分需要的時(shí)鐘,和解調(diào)出指令數(shù)據(jù)。整個(gè)芯片的版圖照片如圖所示.芯片的面積為960um*600um.流片后測(cè)試發(fā)現(xiàn)在7.5A/m 場(chǎng)強(qiáng)下可以工作在12CM.滿足設(shè)計(jì)規(guī)格要求。

　　整個(gè)芯片的照片

　　本文作者創(chuàng)新點(diǎn)：在標(biāo)準(zhǔn)0.18um CMOS process 上實(shí)現(xiàn)了滿足ISO15693 國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的 RFID 射頻前端電路的設(shè)計(jì)，并流片驗(yàn)證通過(guò)。而且成功的把XPM 存儲(chǔ)器技術(shù)(標(biāo)準(zhǔn)CMOS 的One time program memory)集成到RFID 芯片中, 實(shí)現(xiàn)了世界上第一次采用XPM 存儲(chǔ)器技 術(shù)成功的RFID 芯片。