英飛凌90nm磁盤驅動讀取通道業(yè)內最佳

英飛凌90 nm磁盤驅動讀取通道實現(xiàn)業(yè)內最佳性能，內核設計面向支持6 Gbps硬盤串口標準的片上系統(tǒng)

英飛凌科技股份公司 （FSE/ NYSE: IFX） 日前宣布，該公司展示了一款硬盤讀取IC（集成電路）內核的功能以及超過2.6 Gbps（千兆位每秒）的數據率，是業(yè)內90 nm （納米）讀取通道最高的數據率，比前一代器件幾乎要快30%。該內核是英飛凌與日立環(huán)球存儲科技有限公司聯(lián)合開發(fā)的第三代讀取通道。它被集成至一個片上系統(tǒng)（SoC）器件，該器件包含控制硬盤的所有必要功能，包括將率先同時支持4.25 Gbps光纖通道和即將推出的6 Gbps SAS （串行連接SCSI）和S-ATA （串行ATA） 標準的PHY （物理層）內核。該片上系統(tǒng)預計在2007年初全面投產。

“這種讀取通道的成功開發(fā)表明日立和英飛凌充分利用它們的創(chuàng)新和設計專長進行全面合作，”日立環(huán)球存儲科技有限公司明尼蘇達州羅徹斯特分部高級主管兼總經理Steven Smith說，“英飛凌展示了在硅開發(fā)與集成方面的領袖地位。對于90 nm讀取通道內核的實現(xiàn)，我們感到非常滿意。” 

“高通道數據率以及低功耗是為企業(yè)市場產品成功開發(fā)經濟型硬盤片上系統(tǒng)解決方案的關鍵，”英飛凌科技股份公司ASIC 設計與安全業(yè)務部總經理兼副總裁Sandro Cerato表示，“90 nm讀取通道核實現(xiàn)了業(yè)內最佳的數據率。這體現(xiàn)了我們在設計驅動應用IC方面的豐富經驗，也是我們致力于切實服務市場的證明。”

2.6 Gbps 90 nm內核是2005年推出并開始樣品生產的內核的更高速度版本。該產品是英飛凌全系列讀取通道IP組合的一員，滿足各種HDD細分市場的需求：消費類/超低功率、移動、臺式機和企業(yè)等。不同的讀取通道內核版本源于共同的架構，是通過針對各個細分市場的特定目標參數進行定制設計實現(xiàn)的。  

到2006年底，英飛凌預期將銷售3000多萬枚基于當前讀取通道技術的S-ATA片上系統(tǒng)器件。英飛凌S-ATA片上系統(tǒng)解決方案的性能和成本競爭力，加上該公司的ASIC設計與制造專長，為硬盤制造商帶來了增值。這些硬盤制造商通常在訂單到量產時間和大批量生產支持方面有著苛刻的要求。

英飛凌ASIC 設計與安全業(yè)務部的所有90 nm片上系統(tǒng)產品可以在世界范圍內的多個制造廠生產，從而可以保證供應的持續(xù)性，并為客戶提供靈活的供應鏈以及擴大量產的機會。目前，支持英飛凌90 nm 工藝的晶圓廠包括英飛凌德國德累斯頓工廠和臺灣聯(lián)華電子公司。

根據Gartner Dataquest公司2005年8月的研究報告，硬盤市場預期將從2005年的33億美元增長到2009年的45億美元，實現(xiàn)增長近30%。除了豐富的讀取通道IP組合， 英飛凌在安全IC領域也是公認的領袖，是微軟 FlexGo™“即用即付”充值計算的開發(fā)合作伙伴。這一切將英飛凌置于一個獨特的地位——全面支持硬盤市場向需要更高安全性和創(chuàng)新功能的全新應用演進。