動(dòng)態(tài)阻抗調(diào)諧技術(shù)提高手機(jī)天線(xiàn)性能

　　實(shí)測(cè)性能

　　由于使用了完全絕緣的藍(lán)寶石基底，與笨重的CMOS和SOI技術(shù)相比，UltraCMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的一個(gè)主要優(yōu)勢(shì)是可以疊在一起來(lái)處理高強(qiáng)度的RF功率。因而，它有能力處理+40dBm以上的功率，而且在處理高強(qiáng)度RF功率的同時(shí)不降低Q值或調(diào)諧比。

　　該技術(shù)有潛力開(kāi)發(fā)出滿(mǎn)足眾多應(yīng)用系統(tǒng)和工作條件要求的DuNE DTC。目前已設(shè)計(jì)出電容范圍為0.5pF到10pF、調(diào)諧比為3:1到6:1、分辨率為5位(32級(jí))的DTC(見(jiàn)圖6)。這些DTC可在1到2GHz 范圍內(nèi)把Q值設(shè)定為40到80 (見(jiàn)圖7)。除了在50Ω可處理>+38dBm的功率和開(kāi)關(guān)速度優(yōu)于5秒之外(見(jiàn)圖8)，這些新型DTC的功耗約為100μA(低于一些替代調(diào)諧技術(shù)的幅度)。

　　圖6：實(shí)測(cè)結(jié)果表明，5位DuNE DTC器件具有良好的線(xiàn)性調(diào)諧特性，電容范圍為1.15到3.4pF(調(diào)諧比為3:1)。

　　圖7：DuNE DTC器件的品質(zhì)因數(shù)實(shí)測(cè)結(jié)果，在900MHz時(shí)其Q值為60-70。

　　圖8： 當(dāng)輸入功率高達(dá)+40dBm時(shí)，三次諧波幅度低于-36dBm，滿(mǎn)足GSM規(guī)范。

　　基于成熟的設(shè)計(jì)模塊和每周數(shù)百萬(wàn)出貨量的工藝技術(shù)，DuNE技術(shù)可極大地?cái)U(kuò)展手機(jī)設(shè)計(jì)人員的選擇空間。DTC的所有參數(shù)(電容值、調(diào)諧比、品質(zhì)因數(shù)、功率處理能力)都可通過(guò)電路設(shè)計(jì)而不是材料工程來(lái)改變，從而大大加快了新型專(zhuān)用設(shè)計(jì)的開(kāi)發(fā)進(jìn)程。面向蜂窩電話(huà)和移動(dòng)電視應(yīng)用的DuNE DTC已經(jīng)在試產(chǎn)階段，計(jì)劃在2009-2010年開(kāi)始量產(chǎn)。這項(xiàng)先進(jìn)的技術(shù)創(chuàng)新可以把完整的自適應(yīng)天線(xiàn)調(diào)諧系統(tǒng)集成到單片中，進(jìn)而極大地提高了新型手機(jī)設(shè)計(jì)的天線(xiàn)性能。