功率LDM0 S中的場(chǎng)極板設(shè)計(jì)

其他各區(qū)的對(duì)應(yīng)的耗盡層厚度可由得到，而由[2]可定義

根據(jù)漂移區(qū)表面電場(chǎng)和電勢(shì)的連續(xù)性可得出邊界條件

將上式在x方向微分，解得

式中Ui(i=1，2，3，4）的值可由Ei(Li，0)=Ei+1(Li，0)解得。

2 結(jié)果和分析

上圖是在器件關(guān)態(tài)條件下漂移區(qū)表面電勢(shì)和電場(chǎng)分布的理論值。采用的數(shù)據(jù)如下：

從圖中可以看出，LDMOS處于關(guān)態(tài)時(shí)根據(jù)理論模型計(jì)算得到的結(jié)果和Medici仿真結(jié)果的比較。由于本文的模型忽略了氧化層固定電荷，所以和Medici仿真結(jié)果有差異較小。由圖可見(jiàn)，漂移區(qū)的電場(chǎng)峰值出現(xiàn)在p阱／n-漂移區(qū)結(jié)處、場(chǎng)板的兩端與漏端附近。這些電場(chǎng)峰值處也就是最可能的擊穿點(diǎn)。