SmartARM2200開發(fā)板的RedBoot的移植
加入技術(shù)交流群
(3)修改平臺抽象層的有關(guān)代碼
硬件平臺層所需編寫的代碼文件的一般功能如下：include／plf_io．h，I／O定義和系統(tǒng)寄存器的宏定義。include／hal_platform_setup．h，平臺啟動(dòng)代碼。本文件主要用ARM匯編指令編寫，實(shí)現(xiàn)平臺上電后程序的啟動(dòng)和執(zhí)行。
src／smartarm2200_misc．C，HAL的底層擴(kuò)展函數(shù)，包括LCD的相關(guān)函數(shù)及控制臺初始化函數(shù)。
var／v2_0／include／包括hal_cache．h、hal_diag．h、hal_var_ints．h、lpc2xxx_misc．h、 plf_stub．h、var_arch．h、var_io．h等頭文件，定義了標(biāo)準(zhǔn)函數(shù)接口及通用I／O和寄存器。
var／v2_0／src／lpc2xxx_misc．C，HAL的底層標(biāo)準(zhǔn)函數(shù)，包括時(shí)鐘平臺初始化、時(shí)鐘延時(shí)函數(shù)、中斷使能、中斷屏蔽、中斷響應(yīng)等。
var／v2_O／src／hal_diag．c，硬件抽象層診斷輸出函數(shù)，包含eCos系統(tǒng)中printf打印的硬件設(shè)備驅(qū)動(dòng)程序。
misc／redboot_RAM．ecru，基于RAM啟動(dòng)方式的RedBoot最小配置文件。
misc／redboot_ROM．ecm，基于ROM啟動(dòng)方式的RedBoot最小配置文件。本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/157884.htm
3 硬件啟動(dòng)過程
編寫硬件啟動(dòng)的初始化過程是HAL移植的一個(gè)難點(diǎn)。當(dāng)硬件重新上電后，系統(tǒng)的程序指針會(huì)自動(dòng)指向地址0(通常地址0存放著bootloader代碼段，本例中從外部Flash 0x80000000地址引導(dǎo))。在eCos操作系統(tǒng)中，程序首先會(huì)運(yùn)行vectors．S文件(該文件存在于hal／arm／arch／src／目錄下)，它定義了reset_vector、start等各種啟動(dòng)標(biāo)號。接著調(diào)用SmartARM2200平臺層的hal_platform_setup． h文件中的宏platform_setupl。
haLplatform_setup．h定義了宏platform_setupl以供vectors．S調(diào)用。該宏定義了目標(biāo)板上SRAM和Flash的初始化啟動(dòng)，其中包括了它們的總線寬度、讀寫速度、內(nèi)存大小。然后根據(jù)不同的啟動(dòng)方式執(zhí)行程序。對于RAM啟動(dòng)方式，無需進(jìn)行程序段與數(shù)據(jù)段的搬移，系統(tǒng)已認(rèn)為SRAM的起始地址即為程序的起始地址；對于ROM啟動(dòng)方式，需要拷貝數(shù)據(jù)段，而程序段無需拷貝。
在程序拷貝完成后，系統(tǒng)會(huì)進(jìn)行其他硬件的初始化過程，包括系統(tǒng)時(shí)鐘、監(jiān)控串口等基本硬件設(shè)備。
4 內(nèi)存布局文件編寫
平臺的內(nèi)存布局文件在include／pkgconf目錄下。通常，每個(gè)平臺包括了RAM、ROM兩種不同啟動(dòng)方式的內(nèi)存布局文件集。每種啟動(dòng)方式的內(nèi)存布局文件集都由3個(gè)類型的描述文件組成：．h文件包含內(nèi)存域的C宏定義；．ldi文件定義內(nèi)存域和內(nèi)存段位置的鏈接腳本文件；．mlt文件包括由MLT工具產(chǎn)生的對內(nèi)存布局的描述。當(dāng)需要手動(dòng)修改內(nèi)存布局時(shí)，只有．h和．ldi文件可以被修改，．mlt文件只能由MLT工具生成。
下面以SmartARM2200的RAM啟動(dòng)方式內(nèi)存布局為例，說明mlt_arm_lpc2xxx_smartarm2200_ram．h和mlt_arm_lpc2xxx_smartarm2200_ram．ldi的程序結(jié)構(gòu)。
由于SmartARM2200的開發(fā)板有1個(gè)16 KB的內(nèi)部RAM和1個(gè)16 MB的外部SRAM，因而要定義兩個(gè)內(nèi)存域ram0和ram。系統(tǒng)設(shè)置寄存器在初始化時(shí)已經(jīng)把內(nèi)存段重新映射，因而兩個(gè)SRAM的基地址就是 0x40000000和0x81000000，分配方式都是可讀寫的內(nèi)存段。
在mlt_arm_lpc2xxx_smartarm2200_ram．ldi中分為兩大部分。首先是MEMORY部分，它定義了在RAM啟動(dòng)方式下所需要的內(nèi)存域，以及該內(nèi)存域的起始地址和長度。MEMORY部分的內(nèi)容必須與mlt_arm_lpc2xxx_smartarm2200_ram．h中定義的宏相一致。其次，是SECTIONS部分，它定義了RAM啟動(dòng)方式下所規(guī)定的內(nèi)存段，這些內(nèi)存段的定義與系統(tǒng)內(nèi)存管理功能有關(guān)。在 SECTION_XXX后帶有相應(yīng)的參數(shù)，這些參數(shù)包括了內(nèi)存段所屬的內(nèi)存域、起始地址(或者是對齊方式)、虛擬內(nèi)存地址(VMA)和加載內(nèi)存地址 (LMA)。
評論