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          一種形式新穎的12 d B線極化RFID天線的研究

          作者: 時(shí)間:2009-04-03 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          下面對(duì)影響主要性能的關(guān)鍵尺寸進(jìn)行分析和說(shuō)明。的關(guān)鍵尺寸有以下4項(xiàng):
          (1)抱桿與單極振子的間距:對(duì)增益影響不大,只有零點(diǎn)幾dB的影響。而對(duì)前后輻射比和輸入阻抗有較大影響,間距不同后瓣的增益明顯不同,從而前后比出現(xiàn)很大差距。反射器上電流電壓的幅度和相位與間距有關(guān)。因?yàn)殚g距不同則電磁波走過(guò)的空間距離也不同,則形成不同的相位差。適當(dāng)安排反射器與單極振子的間距可使反射器和有源振子產(chǎn)生的電磁場(chǎng)在反射器后方相互抵消,而在有源振子的前方上相加,從而起到抑制后瓣增強(qiáng)增益的效果。從仿真結(jié)果可看出間距較小可有效抑制后向輻射,但輸入阻抗較低,難與同軸饋線進(jìn)行良好匹配;
          (2)單極振子的臂寬:通過(guò)仿真可知隨著單極振子臂寬的增加,增益隨之增大。Smith圓圖上阻抗點(diǎn)位置隨臂寬的增加,沿著等電阻圓逆時(shí)針從感性阻抗區(qū)域向容性阻抗區(qū)移動(dòng),因?yàn)檎褡用娣e的增大使容性逐漸增加。振子的粗細(xì)還會(huì)影響振子的最佳長(zhǎng)度,因?yàn)殡姴ㄔ诮饘僦行羞M(jìn)的速度與真空中不盡相同,實(shí)際制作長(zhǎng)度都要在理論值上減去一個(gè)縮短系數(shù),而振子越粗,振子的長(zhǎng)度越小。振子的理論長(zhǎng)度為λ/4,這樣最佳長(zhǎng)度就會(huì)比λ/4小,而由電路理論可知,長(zhǎng)度略短于λ/4整數(shù)倍的導(dǎo)體呈電容性,所以此時(shí)單極振子呈容性,使的容性增加。在Smith圓圖上使阻抗點(diǎn)逐漸向容性阻抗區(qū)移動(dòng),對(duì)整個(gè)天線的阻抗特性造成一定影響。且振子臂寬約大,天線的Q值就越低,帶寬愈大;
          (3)組陣單元的間距:?jiǎn)卧g距對(duì)增益和阻抗影響較大。從表1的仿真數(shù)據(jù)可看出隨著間距的增大主瓣增益及后瓣都變大,即天線側(cè)射方向上的能量增大。此天線波瓣的主波束指向與陣列軸線垂直的方向即為側(cè)射陣。而陣列間距d有限制條件(為主波束的指向)
          dλ/1+|cosθ| (1)
          當(dāng)θ=π/2即側(cè)射陣時(shí)應(yīng)有dλ。當(dāng)θ=0即端射陣時(shí)應(yīng)有dλ/2隨著間距的減小,天線從側(cè)射陣逐漸向端射陣過(guò)渡,旁瓣增大、主瓣變小、能量逐漸向陣列軸向方向輻射。從而導(dǎo)致天線增益降低。通過(guò)仿真還可知,隨著間距的增大,阻抗點(diǎn)在Smith圓圖上沿等電導(dǎo)圓順時(shí)針移動(dòng),且電阻逐漸增大;

          (4)引向器的長(zhǎng)度:引向器上感應(yīng)電流的幅度與相位取決于其本身的自阻抗和與有源振子間的互阻抗?;プ杩闺S振子長(zhǎng)度變化不明顯。而自阻抗主要取決于振子本身的長(zhǎng)度。當(dāng)導(dǎo)體的長(zhǎng)度略長(zhǎng)于λ/4的整數(shù)倍時(shí)成電感性,略短于λ/4整數(shù)倍時(shí)成電容性。在表2的仿真數(shù)據(jù)中,第一引向器長(zhǎng)度在12.6~13.2 mm時(shí)為電感性,為13.4 mm時(shí)呈電容性。第二引向器呈容性。所以通過(guò)改變兩引向器的長(zhǎng)度可改變其各自阻抗的性質(zhì),使其共同影響天線的阻抗。從仿真數(shù)據(jù)可看出,第二引向器長(zhǎng)度的大小比起第一引向器在抑制后向輻射方面有更顯著的影響。第二引向器的長(zhǎng)度較短時(shí),后向輻射較小,因?yàn)榇藭r(shí)使引向器和單極振子在主方向上產(chǎn)生電磁場(chǎng)相加,從而起到增強(qiáng)增益抑制后瓣的效果。


          2 優(yōu)化后的仿真結(jié)果及分析
          通過(guò)仿真優(yōu)化得到各部分的最優(yōu)尺寸為:?jiǎn)螛O振子為94 mm,第一引向器為130 mm,第二引向器為140 mm;第一引向器與單極振子間距為40 mm,第二引向器與單極振子間距為104 mm,組陣單元的間距為360 mm,抱桿與單極振子的間距為90mm。并聯(lián)25 pF電容進(jìn)行阻抗匹配,使天線阻抗在50 Ω左右。通過(guò)仿真主輻射方向增益為12.2 dBi在840~845 MHz的頻帶內(nèi),駐波比都1.2,阻抗得到良好匹配約為50 Ω,仿真結(jié)果如圖3~圖6所示。

          3 實(shí)測(cè)結(jié)果



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