集成CMOS對稱式收/發(fā)開關的設計

圖1　對稱式收/發(fā)開關電路示意圖

圖2　MOSFET導通時的等效電路圖

圖3　開關截止一側的小信號等效電路

(a) 插入損耗

(b) 隔離度

優(yōu)化設計

圖1是對稱式串并結構NMOS射頻開關的電路示意圖。串聯(lián)的晶體管M1和M2完成主要的開關功能。并聯(lián)的晶體管M3和M4通過將截止晶體管一側的射頻信號導通到地來提高開關電路的隔離度?？刂齐妷篤ctrl 和用于控制晶體管M1和M2的開與合。當Vctrl為高電平時，M1導通，M2截止，開關處于發(fā)射狀態(tài)；當為高電平時，M1截止，M2導通，開關處于接收狀態(tài)。該開關電路還包括旁通電容C1和C2，它們提供了開關電路中TX和RX端口的直流偏置。MOS管柵極上的偏置電阻R1、R2、R3和R4的作用是提高隔離度和線性度。本設計中，串聯(lián)MOS管柵寬取200m，并聯(lián)MOS管的柵寬取100m，旁通電容C1和C2取5pF，柵極偏置電阻R1、R2、 R3和R4均取10K。

射頻收/發(fā)開關的重要性能指標為：插入損耗(IL)、隔離度(Isolation)和線性度(通常用1dB壓縮點P1dB來表示)。其中插入損耗是設計的重點。

插入損耗

插入損耗表示當開關導通時射頻信號通過射頻開關的功耗。

管子的導通電阻是影響插入損耗的關鍵因素之一。因此，在本設計中只使用nMOSFET。由于硅襯底的導電特性，管子的漏極和源極對襯底的結電容及相關的寄生電容也是影響插入損耗的主要因素。

為了簡化，只分析包含單個MOS管的電路，圖2為其導通時的等效電路圖。在這個分析中，假設管子偏置在線性區(qū)。圖2中，Vrf、Rs分別為等效信號源及源內阻，Ron為MOS管的導通電阻，Rb為其襯底電阻，Rl為負載電阻，Ct是其等效電容(虛線部分)，其等效式為：

如果負載端和源端都與特征阻抗(Z0)匹配，則插入損耗可以用正向傳輸系數(shù)的幅度平方(|S21|2)的倒數(shù)來表示。

由該表達式可以看出，導通電阻Ron越大，插入損耗越大；寄生耦合電容Ct越大，插入損耗越??；襯底電阻對插入損耗的影響并不呈簡單的線性關系。實際上，有一個使插入損耗最大的襯底電阻Rb(max)

因此，用CMOS技術制作的RF開關電路要獲得較低的插入損耗，就要注意避免襯底電阻接近Rb(max)。然而，如果不對襯底電阻做特殊處理，這個值基本上屬于RF開關電路中晶體管的Rb值的典型范圍。對于標準CMOS工藝，取得較大的襯底電阻是不容易做到的，因此，降低襯底電阻是更好的方案。在版圖設計中，可通過增加襯底接觸來減小襯底電阻，從而達到進一步減小插入損耗的目的。
IL還可以用管子的柵寬(W)來表示，如(3)式。

一般來說，對于給定的工藝和版圖類型，Rbo、Cto和Rono可以被認為是固定的。所以柵寬的大小對插入損耗起著重要的影響：隨著柵寬的增大，導通電阻 Ron減小，從而使插入損耗減?。蝗绻麞艑捓^續(xù)增大，通過電容Ct耦合到襯底的信號也會增大，則插入損耗會隨著柵寬的增大而增大。所以，在仿真中需要確定最佳柵寬。

取并臂M3和M4的柵寬(WM3和WM4)接近WM1的一半。仿真結果表明，當WM1和WM2取200m且WM3和WM4取100m時，插入損耗最小。

另外，在MOS管的柵極增加電阻R的阻值也可降低插入損耗。仿真顯示，隨著柵極電阻的增大，插入損耗減小，但增加到10K以后，插入損耗減小的幅度就很小了，所以考慮到版圖面積，取柵極電阻的阻值為10K。

隔離度

截止狀態(tài)下，開關的小信號等效電路如圖3所示。

圖3中，Ron表示并聯(lián)MOS管的導通電阻，Coff表示串聯(lián)MOS管在截止狀態(tài)下的漏/源極間電容。

依據(jù)S與Z參數(shù)之間的變換公式，可得到發(fā)射端(TX)和天線端(ANT)間的隔離度表達式：

(4) 式表明，通過使并聯(lián)的MOS管的導通電阻遠小于信號源的特征阻抗，使得從串聯(lián)的、處于截止狀態(tài)的MOS管泄漏出來的信號，可以通過并聯(lián)的MOS管導通到地，而不是泄漏到發(fā)送端，從而大大提高了隔離度。從仿真的結果看，加上并聯(lián)MOS管后，可以將隔離度提高10dB以上，而由此帶來的插入損耗的惡化卻可以忽略。此外，增加并聯(lián)MOS管的柵寬，也可以提高隔離度，但同時也會降低插入損耗和線性度，所以不宜取較大的柵寬。在本設計中，柵寬取為100m。

線性度

線性度，即功率處理能力，通常用P1dB來表示。CMOS開關的線性度通常受到以下兩種情況的制約：1.應截止的MOS管發(fā)生了導通，對于M3管，這種情況最嚴重；2. MOS管柵極電介質性能不夠穩(wěn)定。
為了提高開關的線性度，本設計采用了兩種措施：1)在MOS管的漏、源極兩端都加上直流偏置電壓；2)給4個MOS管都加上柵極電阻R。

從仿真的結果看，增加柵極電阻可以使線性度改善5dB左右。
　　
仿真結果

采用Cadence Spectre / Spectre RF仿真器進行仿真。在仿真過程中，分別對MOS管的柵寬和柵極電阻的阻值進行了優(yōu)化選取，并確定了偏置電壓和偏置電容。最終確定串聯(lián)MOS管M1和M2 的柵寬取200m，并聯(lián)MOS管M3和M4的柵寬取100m，柵極電阻R取10K，偏置電容C1和C2取5pF。仿真結果如圖4所示。

結語

本文分析了影響對稱式射頻收/發(fā)開關性能的因素，包括柵寬、導通電阻、襯底電阻、柵極電阻等。采用TSMC　0.35m　CMOS工藝進行設計和實現(xiàn)。經(jīng)過優(yōu)化設計和仿真，獲得了插入損耗為1.0 dB、隔離度46.3 dB和1 dB壓縮點12.8 dBm的電路。該射頻收/發(fā)開關可以與應用于TD-SCDMA的全集成CMOS收發(fā)器集成在一起，構成集成度更高、價格更低的收發(fā)器。