東芝推出650V系統(tǒng)超結(jié)MOSFET “DTMOS Ⅳ”系列
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實現(xiàn)頂級[1]低導(dǎo)通電阻性能
本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/159224.htm
東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布推出第四代超級結(jié)MOSFET “DTMOS IV”系列650V器件。作為該系列的首款產(chǎn)品，“TK14A65W”已經(jīng)推出，并計劃于2013年8月全面投入量產(chǎn)。
該系列采用最新的單外延工藝打造，其每單位面積導(dǎo)通電阻(Ron•A)較現(xiàn)有的650V “DTMOS II”系列產(chǎn)品約降低了50%[2]，這就使之能夠采用緊湊封裝，有助于提高功效，縮小產(chǎn)品的集成尺寸。
主要規(guī)格
| 產(chǎn)品型號 | 封裝 | 絕對最大額定值 | RDS（ON） 最大值（Ω） |
Qg 標(biāo)準(zhǔn)值 （nC） |
Ciss 標(biāo)準(zhǔn)值 （pF） |
|
|---|---|---|---|---|---|---|
| VDSS（V） | ID（A） | VGS=10V | ||||
| TK14A65W | TO-220SIS | 650 | 13.7 | 0.25 | 35 | 1300 |
注：
[1] 截至2013年7月。東芝公司的研究。
[2] 與“TK17A65U”對比。
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