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          基于TSC控制技術(shù)的可控硅開關(guān)分析

          作者: 時間:2013-08-10 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          摘要的現(xiàn)階段存在的問題。介紹了晶閘管投切電容式消弧線圈中晶閘管的選型,以避免不同大小的電抗器對整個電路的沖擊和存在的電流突變,以保證更快、更好地投切。
          關(guān)鍵詞;晶閘管;消弧線圈;電抗器

          近年來,(Thyristor Switched Cpacitor)的投切電容式消弧線圈相繼推出,取得了一定的效果,但仍存在一些問題,如線路中投切時的諧波問題一直未得到解決。為了能更好地諧波的產(chǎn)生以順利投切電容器,在線路中加入配合電容器的適當電抗器,該方法調(diào)諧速度快、調(diào)節(jié)范圍寬、適應(yīng)能力強、具有線性調(diào)節(jié)特性,同時無諧波污染、可靠性高且損耗和噪聲小。經(jīng)實驗發(fā)現(xiàn),增加電抗器可減小涌流和畸變,并需增加合適大小的電抗器,以保證投切的可行性。

          1 TSC式可控硅的結(jié)構(gòu)
          TSC式可控硅開關(guān)的結(jié)構(gòu)如圖1所示,即為可控硅控制的串有小電抗的電容器。由圖1可以看出,在可控硅開關(guān)控制電容器投切電路上串聯(lián)了與該電容器匹配的小型電抗器,增加了穩(wěn)定性。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/159291.htm

          b.JPG


          所使用的小型電抗器由空心線圈繞制而成,雖然其感抗值只有同組電容器容抗值的百分之幾,容量較小,對電容量的影響較弱,但作用較大。在投切電容時可減小沖擊和電壓及電流突變,增加穩(wěn)定性。

          2 TSC的安全性
          從目前TSC的運行狀況看,影響TSC的安全情況主要有:(1)電容器合閘時的過電壓。(2)電容器的合閘涌流引起的可控硅電流變化率di/dt過大。(3)可控硅散熱問題等。
          2.1 可控硅的選擇
          電容器的合閘涌流倍數(shù)km為
          b.JPG
          式中,Sd為合閘點短路容量;Qc為電容器容量。
          即選擇可控硅時應(yīng)留有一定的功率裕量,通常選擇有效值3~4倍的可控硅控制電阻和電容合理的裕量。但從安全角度考慮,可控硅投切電容器時IEEE建議的裕量值為6~8倍。

          電抗器相關(guān)文章:電抗器原理

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