如何控制驅動VR

　　或門輸出被鎖存、倒相并送至開啟延遲計數器的UP/DOWN輸入端，該信號告訴計數器向上記數或向下記數。如果或門輸出為高電平，則記數器向下記數，減少延遲時間。而或門為低電平輸出時，計數器向上記數，則增加延遲時間。計數器并有效地保持該延遲信息給下一個工作周期。反饋環(huán)會調節(jié)開啟延遲使之縮短，直到或門沒有更長的輸出脈沖，當計數器工作在恒定負載和線路電壓時，對下一個周期的開啟延遲將稍微有些加長，或門將給出高輸出脈沖，延遲將會縮短，在這種方式中，電路會在兩個延遲時間之間抖動，一個長一些，另一個就會接近最佳狀態(tài)。

　　關斷控制器工作在與開啟控制器非常相似的管理方式。不同之處在于電壓檢測電路及計數器的記數方向。當體二極管導通時，用一高速比較器檢測。為了更加精確，一個比較器用于檢測體二極管導通，去替代或門，在開啟的期間，電流正從整流MOSFET向回流MOSFET換向，電流的DI/DT非常高，VR的源漏電壓上通?？煽吹狡湔疴?。如果用一個比較器檢測體二極管在VR導通期間的體二極管狀態(tài)，由于源漏電壓的振鈴，可能會出現(xiàn)誤觸發(fā)。在VR關斷期間，通過VR MOSFET器件的電流是恒定的。該電流或者通過其通道或者通過其體二極管。在關斷時，僅有非常小的振鈴，比較器用來改善精度，比較器的閾值必須比先前的MOSFET通道導通時的誤觸發(fā)值更負向一點。

　　在通道導通期間，源漏電壓大約等于I LOAD*.RDS(ON)，并規(guī)定了噪聲。比較器閾值設置在大約-300mV。比較器比較VR的源漏電壓與此設置閾值，從比較器出來的高電平指示給控制器，系體二極管在導通，延遲時間需要增加，這與開啟局面精確對應。因為關斷延遲記數設置在起始時全部為0。圖4(a)和(b)示出VR關斷波形及比較器的輸出。

　　圖4 VR的關斷波形

　　(a)非最佳延遲( b)最佳延遲

　　圖4(a)示出當延遲設置太短時電路的工作狀態(tài)。圖4(b)示出最佳延遲狀態(tài)。由于在VR導通中，關斷延遲在某一值處處于抖動狀態(tài)，這就是太長以及最佳值的兩個狀態(tài)。

　　問題出現(xiàn)：開啟延遲及關斷延遲可否設置的短些，這是否會造成交叉導通，問題在于仔細地研究比較器的特性，及延遲線的每個元件的延遲，比較器僅能響應差分輸入電壓，此電壓僅在轉換間隔結點上有足夠的時間總量才會存在。假定比較器可以檢測出體二極管導通用5ns時間。在下一個周期內，延遲即可調節(jié)，用延遲線上一位數碼去減少體二極管的導通。當然，比較器也不會去響應下一個周期體二極管的導通，因為它在延遲線的每個元件上大約減少5ns的延遲時間。關鍵防止交叉導通的措施是設置的每個元件的延遲要比比較器可檢測的最小脈寬要少。

　　B、 控制驅動QF的執(zhí)行

　　正向整流的QF的控制和回流元件VR很不一樣。一個主要的區(qū)別是：其目標是在變壓器復位后即將QF開啟，它獨立于PWM控制信號的上升沿和下降沿，它不同于回流的MOSFET。此處，目標只不過是調節(jié)PWM控制器信號的上升沿及下降沿的時間，以減少VR體二極管的導通時間，并使之最小化。

　　了解該目標是在變壓器復位后要將QF導通，一個好的起始點就是圖5所示出的使QF導通所需的電路。

　　圖5 VR的控制電路