TMS320F2812三種運(yùn)行方式在SRM控制中的應(yīng)用
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1．3 Flash到RAM全搬運(yùn)運(yùn)行
Flash直接運(yùn)行歸根到底就是實現(xiàn)了一個函數(shù)從Flash到RAM的搬運(yùn)，而Flash到RAM的全搬運(yùn)運(yùn)行就是將所有初始化段全部搬運(yùn)到RAM的一種運(yùn)行方式。因此，其程序流程也與Flash直接運(yùn)行類似，即code_start-> wd_disable-> copy_sections-> c_int00-> main()。與Memory_ copy不一樣的是，copy_sections搬運(yùn)的是由編譯器編譯生成的初始化段(．text、．cinit、．pinit等)，而不是某一個函數(shù)了。所以，不能把該段放到C語言環(huán)境建立之后，而應(yīng)在屏蔽看門狗后，否則程序無法運(yùn)行。而且，搬運(yùn)代碼也只能用匯編語言編寫，具體程序在文件DSP28 xx_SectionCopy．a(chǎn)sm中實現(xiàn)，以．text段的搬運(yùn)為例：
代碼把燒寫地址和運(yùn)行地址分別存儲到XAR6和XAR7寄存器后，并將該段大小存入累加器ACC，通過判斷累加器ACC是否為零來完成某個段的復(fù)制。copysections段直接分配到Flash地址空間。而被搬運(yùn)的．text段在CMD文件中的配置則與Flash直接運(yùn)行方式的ramfuncs段的配置類似，．text段燒寫到Flash空間，復(fù)制到RAM后再運(yùn)行。
另外，DSP281x_CodeStartBranch．a(chǎn)sm中的．ref_c_int00應(yīng)修改為．ref copy_sections，同時將wd_disable映射到wddisable段，并分配到Flash地址空間。
2 SRM控制應(yīng)用研究
TM8320F2812的三種運(yùn)行方式下載與運(yùn)行存儲介質(zhì)的不同，使得三種運(yùn)行方式的特點(diǎn)不盡相同，各有利弊，適合于不同情況下SRM控制的程序調(diào)試。
RAM調(diào)試運(yùn)行代碼下載到RAM，并采用H0啟動模式，程序直接在RAM上運(yùn)行，運(yùn)行速度快，可以正常地運(yùn)行于150MHz的系統(tǒng)時鐘下。而且，主機(jī)通過仿真器與TMS320F2812相連，能夠在線調(diào)試程序，例如啟動、停止、單步運(yùn)行、設(shè)置斷點(diǎn)等等。在線調(diào)試功能對于剛開始的代碼編寫和修改是非常有用的，但RAM調(diào)試運(yùn)行受限于RAM空間的大小，無法運(yùn)行很大的程序；同時，必須使仿真器與主機(jī)相連，否則無法運(yùn)行程序。RAM掉電代碼消失的特點(diǎn)更是限制了RAM調(diào)試運(yùn)行方式在實際中的應(yīng)用。因此RAM調(diào)試運(yùn)行適合于初期SRM控制的程序調(diào)試。此時，SRM控制的母線電壓值不是很高，程序代碼不是很大，同時可以很方便地觀察一些變量的變化，方便記錄分析。
當(dāng)SRM控制的母線電壓值提升上來(220 V以上)后，程序越來越大，設(shè)計也越趨于完善，不可能一直使用仿真器進(jìn)行調(diào)試，將程序下載到Flash就成為了唯一的選擇。Flash直接運(yùn)行代碼燒寫到Flash中，采用Flash啟動模式，程序最終在Flash上運(yùn)行。128K的地址空間能夠滿足大程序的運(yùn)行，而且燒寫到Flash的代碼掉電后不會消失，也不需要再連接仿真器，使得TMS320F2812能夠很好完成實際應(yīng)用。但Flash運(yùn)行速度慢，對運(yùn)行時間要求苛刻的程序如直接在Flash上運(yùn)行，往往不能滿足要求，使得SRM工作性能下降。
Flash到RAM全搬運(yùn)運(yùn)行綜合了二者的優(yōu)點(diǎn)，代碼燒寫到Flash中，在C語言環(huán)境建立之前先將所有初始化相關(guān)段搬運(yùn)到RAM中再運(yùn)行，既實現(xiàn)了代碼的掉電不消失，又保證了代碼的全速運(yùn)行。唯一的缺點(diǎn)就是受限于RAM空間的大小，不能運(yùn)行太大的程序，否則可能溢出。
為了簡單驗證3種運(yùn)行方式的不同，本文利用了TMS320F2812的32位CPU定時器Cputimer0，因為該定時器工作于150 MHz，可以更好地看出各種運(yùn)行方式的不同。Cputimer0產(chǎn)生40 kHz高速中斷，在中斷服務(wù)程序中翻轉(zhuǎn)某GPIO口電平，觀測其波形，頻率應(yīng)為20kHz。代碼在RAM中運(yùn)行正常，頻率為20 kHz；而在Flash中運(yùn)行要慢一點(diǎn)，為19．97kHz。而且程序越大，這種限制也就越明顯。
3 結(jié)論
本文詳細(xì)地介紹了TMS320F2812的3種運(yùn)行方式的實現(xiàn)方法，對它們運(yùn)行的特點(diǎn)進(jìn)行了分析，并作了簡單的實驗驗證。3種運(yùn)行方式各有利弊，在實際SRM控制應(yīng)用中，應(yīng)該充分地理解它們各自的特點(diǎn)，選取最適合的方式更快、更好地完成實際應(yīng)用。本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/160632.htm
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