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          EEPW首頁(yè) > 工控自動(dòng)化 > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 基于DSP控制的數(shù)字移相器―變壓變頻器模塊的設(shè)計(jì)

          基于DSP控制的數(shù)字移相器―變壓變頻器模塊的設(shè)計(jì)

          作者: 時(shí)間:2011-10-31 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          簡(jiǎn)介
          兩個(gè)同頻信號(hào),特別是工頻信號(hào)之間的移相,在電力行業(yè)的繼電保護(hù)領(lǐng)域中是一個(gè)模擬、分析事故的重要手段。傳統(tǒng)的移相方式都是通過(guò)三相供電用特殊器抽頭,以跨相的方法進(jìn)行移相,可統(tǒng)稱為電工式移相。還有一種方法就是在信號(hào)衰減后,經(jīng)模擬電路或電路實(shí)現(xiàn)移相,再由功放進(jìn)行放大輸出,一般稱為電子式移相。工頻信號(hào)經(jīng)倍頻電路(一般為3600或36000倍頻)產(chǎn)生倍頻信號(hào)送至微CPU,由其經(jīng)過(guò)D/A轉(zhuǎn)換器進(jìn)行波形重新合成,同時(shí)微CPU改變合成波形的起始點(diǎn)時(shí)間,再經(jīng)功放放大輸出實(shí)現(xiàn)移相,一般稱為程控式移相。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/161428.htm


          現(xiàn)在常用的由以下幾個(gè)功能組成:變頻單元(),變流單元(升流器),移相單元(相位表),數(shù)字電壓電流表及輔助電路。

          簡(jiǎn)介
          輸入為市電,整流成直流后經(jīng)降壓斬波后輸出,再經(jīng)過(guò)逆變電路變?yōu)镾PWM波,其基頻為變頻電源的輸出頻率。SPWM波經(jīng)過(guò)變壓器隔離后,再用LC濾波,即可輸出正弦波。這一能量轉(zhuǎn)換過(guò)程通常表示為AC-DC-AC。


          變頻電源主要有以下功能:
          ● 變頻,能將市電轉(zhuǎn)換為用戶所需要的頻率,一般為40~1000Hz;
          ● 變相,能將三相交流電變?yōu)閱蜗嘟涣麟?,或者把單相交流電變?yōu)槿嘟涣麟姡?br />● 變壓,能將市電電壓轉(zhuǎn)換為可調(diào)的電壓;

          系統(tǒng)方案論證與工作原理
          1 系統(tǒng)要求
          要求性能指標(biāo)為:三相電壓輸出0~380V;電流輸出0~10A;直流輸出電壓0~50V;頻率范圍0~100Hz;按鍵設(shè)定,操作簡(jiǎn)便,液晶顯示。


          2 方案分析與整體框圖
          根據(jù)實(shí)際要求,我們考慮可以采用以下方案:
          部分——使用 TMS320F2812內(nèi)部外設(shè)EVA產(chǎn)生三相電壓型逆變橋的SPWM,以逆變橋臂的IGBT導(dǎo)通關(guān)斷;使用內(nèi)部EVA的定時(shí)器2來(lái)實(shí)現(xiàn)PWM驅(qū)動(dòng)Buck電路;經(jīng)過(guò)內(nèi)部12位AD采樣后反饋到PWM輸出,以達(dá)到穩(wěn)定直流電壓的目的。經(jīng)測(cè)試,直流電壓輸出比較穩(wěn)定,負(fù)載調(diào)整率可以達(dá)到規(guī)定的要求,由于采用內(nèi)部外設(shè)EVA來(lái)控制實(shí)現(xiàn),調(diào)節(jié)方便,速度快,電壓、頻率可以達(dá)到要求的精度。


          ②主回路——直流輸出采用降壓斬波電路,直流轉(zhuǎn)換的效率較高,輸出采用二級(jí)LC濾波;逆變部分采用三相橋式逆變,選用大功率型IGBT。


          ③保護(hù)部分——采用硬件保護(hù)和軟件保護(hù)的方式。硬件保護(hù)由模擬電路來(lái)實(shí)現(xiàn);軟件保護(hù)由軟件A/D采樣部分實(shí)現(xiàn)。


          ④設(shè)定與顯示部分——由于資源豐富,采用獨(dú)立按鍵控制,LCD12864顯示,具有良好的人機(jī)界面。
          整個(gè)數(shù)字移系統(tǒng)如圖1所示。

          圖1 系統(tǒng)結(jié)構(gòu)框圖


          MCU通過(guò)總線將控制數(shù)據(jù)(移相角,輸出頻率和幅值等)送入DSP,使用線性光耦隔離,在DSP中,使用內(nèi)部事件管理器EVA/EVB產(chǎn)生12路SPWM觸發(fā)脈沖,分別控制電壓型、電流型逆變橋IGBT的開關(guān)狀態(tài),DSP內(nèi)部集成功率保護(hù)中斷機(jī)制。

          系統(tǒng)主回路的
          1 Buck主電路設(shè)計(jì)
          ① 整流部分
          整流單元如圖2,根據(jù)系統(tǒng)要求,交流輸入220V,輸出最大10A,整流后空載輸出為約310V(最大),帶負(fù)載(約5A)后,直流電壓大約下降8~9V。

          圖2 整流濾波電路圖


          E1為整流后進(jìn)行濾波,如果電容值過(guò)大,寄生電感電阻過(guò)大,會(huì)造成不必要的能量損耗,而且在上電瞬間,會(huì)造成整流橋瞬間沖擊電流過(guò)大。


          本次設(shè)計(jì)采用為耐壓450V的電解電容C=1200μF。整流橋采用KBPC5010型二極管,耐壓為1000V,正向平均整流電流IF(AV)=50.0A(t=55℃),且體積較小、發(fā)熱低、較實(shí)用,所選器件符合本設(shè)計(jì)的要求。


          ② 降壓部分
          降壓電路如圖3所示。

          圖3 Buck降壓?jiǎn)卧?/p>


          根據(jù)系統(tǒng)要求,直流輸入最大300V,直流輸出最大60V,電流輸出最大10A。本電路中的IGBT采用FGA25N120AND,VCES=1200V,IC=20A,trr=235ns,參數(shù)滿足實(shí)驗(yàn)要求。


          Vref為直流電壓輸入,R0、C0為無(wú)感阻容吸收部分,以吸收IGBT關(guān)斷瞬間儲(chǔ)存的能量和濾除尖峰,RS為采樣電阻,DCA-DCA為電流互感器,采樣輸出電流,“Sample”為采樣輸出端。各參數(shù)具體選取如下:
          A 無(wú)感電容C0、電阻R0的計(jì)算
          C0=(2.5~5)×10-8×If;If為IGBT的電流(20A),可以得出C0=0.5~1μF;
          R0=((2~4)×535)/If=53.5~107。


          實(shí)際實(shí)驗(yàn)中,經(jīng)過(guò)不同RC的匹配,最終選擇電阻R0為100Ω/5W、C0為1μF/630V。


          B 分壓采樣電阻的選擇
          為了不影響后級(jí)輸出,分壓支路電流應(yīng)盡可能的小,分壓電阻盡量大,但考慮到電阻越大,內(nèi)部噪聲也越大,二者折中。DSP采樣電壓最大為3V,而直流輸出最大為60V,故設(shè)定分壓比例為1/20,選取如下:RS=5KΩ/0.1,RS=250Ω/0.1。


          C 電感L的選擇
          輸出電感的量值對(duì)于在開關(guān)關(guān)斷時(shí)維持到負(fù)載的電流十分關(guān)鍵。為了能在最極端的輸出電壓和輸入電流條件下保證最小的電感值仍然支持降壓變換器的輸出電流,從而向負(fù)載輸出電流,這個(gè)最小電感值是需要確定的一個(gè)量值。


          下式為一經(jīng)驗(yàn)公式,用于確定一個(gè)連續(xù)Buck變換器所需的臨界電感值。

          其中,f為IGBT的開關(guān)頻率(10~20kHz),D為占空比,IO為輸出電流(5~10A)??捎?jì)算得LC=2.5~5.0mH,本設(shè)計(jì)取5.0mH。


          輸出Vdc=50V,Imax=10A,Rs采樣輸出電壓,通過(guò)線性光耦,由DSP進(jìn)行PID運(yùn)算調(diào)節(jié)輸出PWM信號(hào),使Buck電路輸出電壓恒定50V。


          D 濾波電容E2的選擇
          輸出端電容器(E2)是為了使輸出電壓變得平滑而使用的,升壓型的產(chǎn)品因?yàn)獒槍?duì)負(fù)載電流而斷續(xù)地流入電流,與降壓型產(chǎn)品相比需要更大的電容值。在輸出電壓較高以及負(fù)載電流較大的情況下,由于紋波電壓會(huì)變大,因此根據(jù)各自的情況而選用相應(yīng)的電容值,推薦使用2000μF以上電容器。


          為了獲得穩(wěn)定的輸出電壓,最好選用等效串聯(lián)電阻(ESR)較小且容量較大的電容器。特別推薦使用低溫特性及泄漏電流特性等優(yōu)異的鉭電解電容器或有機(jī)半導(dǎo)體電容器,而且采用小容值電容與大電容(耐壓等級(jí)相同)并聯(lián)可起到消除高次諧波與降低等效串聯(lián)電容的作用。


          本次設(shè)計(jì)中,設(shè)定IGBT開關(guān)頻率為f=10kHz,電感L=5.0mH,E2=2000μF/400V,鉭電解電容器。


          ③ 紋波改善
          在實(shí)驗(yàn)中發(fā)現(xiàn),紋波與電感有較大關(guān)系,當(dāng)輸出電流未達(dá)到電感磁芯的飽和電流時(shí),輸出尖峰較?。划?dāng)達(dá)到電感磁芯的飽和電流時(shí),輸出尖峰瞬間增大。改善電感及磁芯,采用飽和電流較大的電感,在尖峰較小的情況下,可以達(dá)到電流標(biāo)準(zhǔn)值。


          由實(shí)驗(yàn)波形圖可知,在IGBT開關(guān)時(shí)刻產(chǎn)生紋波。改善IGBT開關(guān)狀態(tài)可以降低紋波,在IGBT門極之前串聯(lián)一25Ω電阻,可改善IGBT導(dǎo)通情況。輸出直流50V紋波波形見圖4。

          圖4 Buck單元輸出直流50V時(shí)紋波波形(×10)

          可見,紋波大小為530mV(+1.1%)滿足本設(shè)計(jì)的要求。


          2 三相橋式逆變的設(shè)計(jì)
          圖5給出了一個(gè)典型的三相逆變器的結(jié)構(gòu)。其中,Va、Vb、Vc是逆變輸出三相電壓,分別接三相負(fù)載,D1~D6為續(xù)流二極管。PWMx和PWMx_(x=A、B、C)控制逆變器的6個(gè)電壓功率管,當(dāng)一個(gè)功率管的上臂導(dǎo)通時(shí)(PWMx=1),同一個(gè)功率的下臂關(guān)斷(PWMx_=0)。

          圖5 三相逆變橋


          ① 功率管IGBT的選取
          系統(tǒng)要求直流輸入Vdc最大60V,電流最大10A,輸出頻率最高100Hz,IGBT開關(guān)頻率最高3.3kHz(載波比N=33)。根據(jù)系統(tǒng)要求,本設(shè)計(jì)選用FairChild公司FGA25N120AND型IGBT,參數(shù)為VCES=1200V,IC=20A,trr=235ns。


          ② 無(wú)感阻容吸收RC的選取
          RC選取如下:無(wú)感電阻R1~R6= 100Ω/5WΩ,無(wú)感電容C1~C6=1μF/630V。


          ③ LC濾波的設(shè)計(jì)(無(wú)源濾波)
          逆變輸出三相電壓Va、Vb、Vc經(jīng)LC濾波后,以得到平滑的正弦波,分別接三相阻性負(fù)載(7Ω),負(fù)載連接方式為星形連接。LC原則上只允許基波(中心頻率)通過(guò)。


          本設(shè)計(jì)要求輸出頻率為50~100Hz,可計(jì)算得LC=1.01×10-5~2.53×10-6。


          圖6中,濾波LC的值由經(jīng)驗(yàn)值和實(shí)際實(shí)驗(yàn)中比較確定,權(quán)衡最小值和最大值,最終選取LA~LC=0.98mH,CA~CC=2μF/500V±5%。

          圖6 LC濾波


          本設(shè)計(jì)中,LC濾波為無(wú)源濾波,雖然結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,成本低,但是有一個(gè)缺點(diǎn):只能有一個(gè)中心頻率,當(dāng)輸出頻率改變時(shí),中心頻率不能跟隨變化,使輸出波形稍有畸變。若采用有源濾波器,滿足不同頻率范圍的輸出,而波形畸變可以減小到最小,但是相應(yīng)的成本則會(huì)增加。


          本設(shè)計(jì)中無(wú)源濾波雖然在不同頻率時(shí)使波形有些畸變,但是可以滿足系統(tǒng)輸出的要求。

          系統(tǒng)控制的設(shè)計(jì)
          1 驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)
          在本設(shè)計(jì)中Buck電路和三相逆變橋的驅(qū)動(dòng)開關(guān)頻率分別為10kHz,和3.3 kHz(最大),中小功率IGBT,采用此芯片作為驅(qū)動(dòng)芯片滿足系統(tǒng)設(shè)計(jì)的要求。


          ① Buck電路驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì)
          圖7為TLP250光耦驅(qū)動(dòng)電路。圖中,光耦芯片TLP250供電電壓+15V,輸出IO=+1.5A,在中功率電路中可以直接驅(qū)動(dòng)IGBT,使用TLP250時(shí)應(yīng)在管腳8和5間連接一個(gè)0.1μF的陶瓷電容來(lái)穩(wěn)定高增益線性放大器的工作,提供的旁路作用失效會(huì)損壞開關(guān)性能,電容和光耦之間的引線長(zhǎng)度不應(yīng)超過(guò)1cm。


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