新型光傳感器實(shí)用放大電路實(shí)現(xiàn)

引言

　　根據(jù)物聯(lián)網(wǎng)對(duì)傳感器技術(shù)的要求，研究其信號(hào)的放大與傳輸技術(shù)是目前傳感網(wǎng)的研究熱點(diǎn)之一。如何提高微弱的光傳感器信號(hào)的放大性能和傳輸效率，是光傳感器需要解決的關(guān)鍵技術(shù)之一。本文主要針對(duì)光傳感器的放大電路進(jìn)行研究，深入了解光傳感信號(hào)的特點(diǎn)及對(duì)光傳感器的性能要求，掌握特定放大電路的設(shè)計(jì)理論和設(shè)計(jì)方法，特別是運(yùn)用新器件的能力及電路改進(jìn)的措施。依據(jù)目前放大器件及電路設(shè)計(jì)理論與實(shí)踐，設(shè)計(jì)出實(shí)用的新型高性能光傳感器放大電路。

　　1 光傳感器及放大電路的現(xiàn)狀和特點(diǎn)

　　隨著物聯(lián)網(wǎng)概念的提出和應(yīng)用，對(duì)光傳感器提出了更高要求，如在特殊環(huán)境下的使用，要求有更高的靈敏度，更大的波動(dòng)性，低能耗，微型化等。這就需要光傳感器的信號(hào)放大電路更具穩(wěn)定性和長(zhǎng)壽命，故障率低，更大的輸出功率和抗干擾能力強(qiáng)等特點(diǎn)。

　　由于光傳感器在一些應(yīng)用場(chǎng)合采集到的光信號(hào)非常微弱，如夜間或光線較暗的場(chǎng)所，而在一些場(chǎng)合光線又比較強(qiáng)烈，如陽(yáng)光下或聚光燈下等。因此，放大器應(yīng)具有很強(qiáng)的適應(yīng)性和更好的動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)能力。雖然目前放大器的種類很多，但符合現(xiàn)代物聯(lián)網(wǎng)要求的高性能光傳感放大器還處于完善和改進(jìn)階段，有待進(jìn)一步研究和解決的技術(shù)問(wèn)題還有不少，如穩(wěn)定性問(wèn)題，高增益需求，較大動(dòng)態(tài)范圍，低噪聲特性，較高輸出電平，較強(qiáng)抗干擾能力等。

　　2 光傳感器放大電路設(shè)計(jì)研究

　　2.1 光傳感器的驅(qū)動(dòng)電路

　　圖1是紅外線驅(qū)動(dòng)電路，LED用作光傳感器光源。

　　為減少自然光、照明光和其他干擾光的影響，需對(duì)反相器電路產(chǎn)生的脈沖輸出進(jìn)行脈沖調(diào)制，反相器中的GA和GB構(gòu)成振蕩電路，如果反相器GA和GB的門限電平為1/2Ucc(Ucc為MC14069電源電壓)，則電路的振蕩頻率f，由電容C1和電位器Rp 的值決定，即f=1/(2.2Rc)。其中，R為Rp的阻值，C為C1 的電容值。

　　電路中R3是保護(hù)GA的輸入電阻，為了在更換成其他類元件時(shí)頻率與占空比不改變，R3的值要足夠大于Rp的值。若采用兩個(gè)二級(jí)管VD1和VD2及Rp2和Rp3替代Rp，就可以分別調(diào)整C1的放電時(shí)間，調(diào)整Rp2與Rp3可以調(diào)整頻率與占空比。反相器Gc用于激勵(lì)晶體管VT1，減少對(duì)振蕩電路的影響，GD也是同樣的目的，晶體管VT1用于驅(qū)動(dòng)LED，電阻R1是LED的限流電阻，同時(shí)也起到去耦作用。

　　2.2 低噪聲前置放大電路

　　研究表明，對(duì)光傳感器前置放大電路的具體要求是：低噪聲、高增益、低輸出阻抗、足夠的信號(hào)帶寬和負(fù)載能力、良好的線性和抗干擾能力、結(jié)構(gòu)緊湊、靠近光電敏感器件并具有良好的接地和屏蔽。

　　低噪聲前置放大器通常設(shè)置在光傳感器與光電敏感器件的輸出端和主放大器之間，它的任務(wù)是放大光電敏感器件所輸出的微弱信號(hào)，并匹配后續(xù)調(diào)整電路與光電敏感器件之間的阻抗。

　　設(shè)計(jì)前置放大器電路：

　　(1)首先要考慮的幾個(gè)問(wèn)題是：應(yīng)滿足放大電路的高信噪比和信號(hào)源阻抗與放大器之間的噪聲匹配(信號(hào)源阻抗等于最佳源阻抗);要考慮電路組態(tài)、形式等，以滿足增益、頻響、輸入/輸出阻抗等方面的要求;要采取一定的方法來(lái)減少噪聲，采取屏蔽以及接地措施來(lái)避免信號(hào)干擾。

　　(2)為了滿足低噪聲放大器對(duì)噪聲匹配的要求，應(yīng)選擇合適的放大器件，也就是源電阻。試驗(yàn)表明，源電阻在100 Q～ 1 MQ 之間選用晶體管，源電阻在1 ka～1 MQ之間可選用運(yùn)放，源電阻在1 kQ～1 GQ之間多采用結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，源電阻超過(guò)1 MQ也可選用MOSFET。一般紅外光電管的輸出電阻為20 kQ，因此，選用晶體管、運(yùn)算放大器、結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)管均可。相比較而言，運(yùn)算放大器特別是CMOS型集成運(yùn)放具有輸入阻抗高、失調(diào)電壓和溫度漂移較小、共模抑制比高、動(dòng)態(tài)范圍較寬、對(duì)溫度變化和電源變化及其他外界干擾具有較強(qiáng)的抑制能力，因此適用放大微弱信號(hào)，同時(shí)采用運(yùn)算放大器也可使電路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)化，組裝調(diào)試方便，功耗低，體積小，可靠性增加。

　　(3)為了獲得低噪聲特性，放大電路中的其他器件也要考慮低噪聲。這里，電阻可選用金屬膜電阻，電容可選用鉭電容或瓷介電容，而信號(hào)輸入線則采用盡可能短的鍍銀屏蔽電纜，電路板使用漏電流小的高絕緣電路板。

　　3 一種實(shí)用的高性能光傳感器放大電路

　　圖2所示是一種基于運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)的三級(jí)級(jí)聯(lián)光傳感器放大電路。設(shè)計(jì)中要注意，對(duì)獨(dú)立設(shè)置的單級(jí)運(yùn)算放大器其增益取決于反饋電阻Rf和輸入電阻Ri的比值，反相放大器的輸入阻抗等于Ri，而外接電容c是補(bǔ)償電容，目的是防止自激。聯(lián)合設(shè)計(jì)時(shí)每級(jí)放大電路各有側(cè)重。這里，前置放大電路的放大器件采用低噪聲雙極型運(yùn)算放大器NE5534A，并設(shè)計(jì)為負(fù)反饋放大電路，其特點(diǎn)是電容耦合反相放大，但增益固定不變。

　　NE5534A是一種高速、低噪聲運(yùn)算放大器，它的等效輸入噪聲電壓較小，其典型值為3.5 nV/Hz，單位增益帶寬為10 MHz，典型共模抑制比為100 dB，消耗電流8 mV，具有良好的動(dòng)態(tài)特性。根據(jù)理想運(yùn)算放大器的特點(diǎn)和“虛短”、“虛斷”的概念，可知運(yùn)放兩輸入端電壓相等，即：U+=U-，又Uin =U+，由此可得流過(guò)電阻R2的電流為IR2=U-/R2=U+/U2=Uin/R2，IR2= IR3。