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          新型光傳感器實用放大電路實現

          作者: 時間:2011-08-22 來源:網絡 收藏

          引言

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/161542.htm

            根據物聯網對技術的要求,研究其信號的與傳輸技術是目前傳感網的研究熱點之一。如何提高微弱的光信號的性能和傳輸效率,是光需要解決的關鍵技術之一。本文主要針對光傳感器的進行研究,深入了解光傳感信號的特點及對光傳感器的性能要求,掌握特定放大的設計理論和設計方法,特別是運用新器件的能力及改進的措施。依據目前放大器件及電路設計理論與實踐,設計出高性能光傳感器放大電路。

            1 光傳感器及放大電路的現狀和特點

            隨著物聯網概念的提出和應用,對光傳感器提出了更高要求,如在特殊環(huán)境下的使用,要求有更高的靈敏度,更大的波動性,低能耗,微型化等。這就需要光傳感器的信號放大電路更具穩(wěn)定性和長壽命,故障率低,更大的輸出功率和抗干擾能力強等特點。

            由于光傳感器在一些應用場合采集到的光信號非常微弱,如夜間或光線較暗的場所,而在一些場合光線又比較強烈,如陽光下或聚光燈下等。因此,放大器應具有很強的適應性和更好的動態(tài)調節(jié)能力。雖然目前放大器的種類很多,但符合現代物聯網要求的高性能光傳感放大器還處于完善和改進階段,有待進一步研究和解決的技術問題還有不少,如穩(wěn)定性問題,高增益需求,較大動態(tài)范圍,低噪聲特性,較高輸出電平,較強抗干擾能力等。

            2 光傳感器放大電路設計研究

            2.1 光傳感器的驅動電路

            圖1是紅外線驅動電路,LED用作光傳感器光源。

            

          紅外線驅動電路

            為減少自然光、照明光和其他干擾光的影響,需對反相器電路產生的脈沖輸出進行脈沖調制,反相器中的GA和GB構成振蕩電路,如果反相器GA和GB的門限電平為1/2Ucc(Ucc為MC14069電源電壓),則電路的振蕩頻率f,由電容C1和電位器Rp 的值決定,即f=1/(2.2Rc)。其中,R為Rp的阻值,C為C1 的電容值。

            電路中R3是保護GA的輸入電阻,為了在更換成其他類元件時頻率與占空比不改變,R3的值要足夠大于Rp的值。若采用兩個二級管VD1和VD2及Rp2和Rp3替代Rp,就可以分別調整C1的放電時間,調整Rp2與Rp3可以調整頻率與占空比。反相器Gc用于激勵晶體管VT1,減少對振蕩電路的影響,GD也是同樣的目的,晶體管VT1用于驅動LED,電阻R1是LED的限流電阻,同時也起到去耦作用。

            2.2 低噪聲前置放大電路

            研究表明,對光傳感器前置放大電路的具體要求是:低噪聲、高增益、低輸出阻抗、足夠的信號帶寬和負載能力、良好的線性和抗干擾能力、結構緊湊、靠近光電敏感器件并具有良好的接地和屏蔽。

            低噪聲前置放大器通常設置在光傳感器與光電敏感器件的輸出端和主放大器之間,它的任務是放大光電敏感器件所輸出的微弱信號,并匹配后續(xù)調整電路與光電敏感器件之間的阻抗。

            設計前置放大器電路:

            (1)首先要考慮的幾個問題是:應滿足放大電路的高信噪比和信號源阻抗與放大器之間的噪聲匹配(信號源阻抗等于最佳源阻抗);要考慮電路組態(tài)、形式等,以滿足增益、頻響、輸入/輸出阻抗等方面的要求;要采取一定的方法來減少噪聲,采取屏蔽以及接地措施來避免信號干擾。

            (2)為了滿足低噪聲放大器對噪聲匹配的要求,應選擇合適的放大器件,也就是源電阻。試驗表明,源電阻在100 Q~ 1 MQ 之間選用晶體管,源電阻在1 ka~1 MQ之間可選用運放,源電阻在1 kQ~1 GQ之間多采用結型場效應管,源電阻超過1 MQ也可選用MOSFET。一般紅外光電管的輸出電阻為20 kQ,因此,選用晶體管、運算放大器、結構場效應管均可。相比較而言,運算放大器特別是CMOS型集成運放具有輸入阻抗高、失調電壓和溫度漂移較小、共模抑制比高、動態(tài)范圍較寬、對溫度變化和電源變化及其他外界干擾具有較強的抑制能力,因此適用放大微弱信號,同時采用運算放大器也可使電路設計簡化,組裝調試方便,功耗低,體積小,可靠性增加。

            (3)為了獲得低噪聲特性,放大電路中的其他器件也要考慮低噪聲。這里,電阻可選用金屬膜電阻,電容可選用鉭電容或瓷介電容,而信號輸入線則采用盡可能短的鍍銀屏蔽電纜,電路板使用漏電流小的高絕緣電路板。

            3 一種的高性能光傳感器放大電路

            圖2所示是一種基于運算放大器設計的三級級聯光傳感器放大電路。設計中要注意,對獨立設置的單級運算放大器其增益取決于反饋電阻Rf和輸入電阻Ri的比值,反相放大器的輸入阻抗等于Ri,而外接電容c是補償電容,目的是防止自激。聯合設計時每級放大電路各有側重。這里,前置放大電路的放大器件采用低噪聲雙極型運算放大器NE5534A,并設計為負反饋放大電路,其特點是電容耦合反相放大,但增益固定不變。

            

          基于運算放大器設計的三級級聯光傳感器放大電路

            NE5534A是一種高速、低噪聲運算放大器,它的等效輸入噪聲電壓較小,其典型值為3.5 nV/Hz,單位增益帶寬為10 MHz,典型共模抑制比為100 dB,消耗電流8 mV,具有良好的動態(tài)特性。根據理想運算放大器的特點和“虛短”、“虛斷”的概念,可知運放兩輸入端電壓相等,即:U+=U-,又Uin =U+,由此可得流過電阻R2的電流為IR2=U-/R2=U+/U2=Uin/R2,IR2= IR3。

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