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          基于TMS320 F28335信號處理板的設(shè)計與實現(xiàn)

          作者: 時間:2011-06-17 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          2.2 電源模塊
          整個處理板的外部輸入電壓為5 V和±12 V,分別通過對應(yīng)的電壓轉(zhuǎn)換芯片為模擬和數(shù)字部分提供不同的電壓幅值。對于數(shù)字部分,電源模塊需要為DSC提供1.9 V的核電壓,同時為DSC的外圍和其他芯片提供3.3 V的外圍電壓。本系統(tǒng)選用LT1963AES8集成芯片提供1.9 V,LT1963AEST-3.3集成芯片提供3.3 V。對于模擬部分,系統(tǒng)要求輸入ADC的信號幅值范圍在±12V內(nèi),所以系統(tǒng)分別選用LT1086IT-12和LT11 75IT把輸入的±15V電壓轉(zhuǎn)換成±12V。
          2.3 數(shù)字電路
          數(shù)字部分電路主要是以DSC為中心的應(yīng)用電路。該部分主要是對ADC傳送的數(shù)據(jù)進(jìn)行處理、存儲,同時完成DSC同上位機(jī)的通信和數(shù)據(jù)傳輸。由圖1可以看到,它包含以下幾個部分。外圍SRAM擴(kuò)展,EEPROM擴(kuò)展電路,SCI上位機(jī)通信接口電路。
          2.3.1 外圍SRAM擴(kuò)展
          考慮到片內(nèi)的RAM資源有限,加上程序空間和數(shù)據(jù)空間RAM僅為34 kB,16位數(shù)據(jù)寬度,從而需要對片內(nèi)的RAM進(jìn)行擴(kuò)展,來滿足較大量程序的運行。本系統(tǒng)選用Cypress公司的CY7C1011CV33-12ZSXE集成芯片,利用提供的XINTF接口完成片外RAM的擴(kuò)展。
          XINTF是所提供的一個非復(fù)用異步總線,用來完成外部異步器件的擴(kuò)展。XINTF可以映射外設(shè)到3個固定的內(nèi)存映射區(qū)域,當(dāng)外部資源掛接到某個區(qū)域時,則需要通過XINTF的一個片選信號來進(jìn)行外部資源的選定。
          CY7C1011CV33-12ZSXE是一個CMOS的靜態(tài)RAM存儲器,其容量大小為64 kB,16位數(shù)據(jù)寬度。圖2是外圍SRAM擴(kuò)展電路連接圖。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/161948.htm

          b.JPG


          如圖2所示,本系統(tǒng)選用ZONE7區(qū)域作為RAM的外圍擴(kuò)展。DSC通過其XZCS7管腳向片外SRAM發(fā)送片選信號。WE信號用來控制DSC對片外SRAM的讀寫,當(dāng)DSC的XWEo管腳為低電平,則DSC對片外RAM進(jìn)行讀寫操作;XWEo為高電平,同時DSC的XRD管腳為低電平,則為讀操作。



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