基于TMS320 F28335信號處理板的設計與實現(xiàn)
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2．2 電源模塊設計
整個處理板的外部輸入電壓為5 V和±12 V，分別通過對應的電壓轉(zhuǎn)換芯片為模擬和數(shù)字部分提供不同的電壓幅值。對于數(shù)字部分，電源模塊需要為DSC提供1．9 V的核電壓，同時為DSC的外圍和其他芯片提供3．3 V的外圍電壓。本系統(tǒng)選用LT1963AES8集成芯片提供1．9 V，LT1963AEST-3．3集成芯片提供3．3 V。對于模擬部分，系統(tǒng)要求輸入ADC的信號幅值范圍在±12V內(nèi)，所以系統(tǒng)分別選用LT1086IT-12和LT11 75IT把輸入的±15V電壓轉(zhuǎn)換成±12V。
2．3 數(shù)字電路設計
數(shù)字部分電路主要是以DSC為中心的應用電路。該部分主要是對ADC傳送的數(shù)據(jù)進行處理、存儲，同時完成DSC同上位機的通信和數(shù)據(jù)傳輸。由圖1可以看到，它包含以下幾個部分。外圍SRAM擴展，EEPROM擴展電路，SCI上位機通信接口電路。
2．3．1 外圍SRAM擴展
考慮到TMS320F28335片內(nèi)的RAM資源有限，加上程序空間和數(shù)據(jù)空間RAM僅為34 kB，16位數(shù)據(jù)寬度，從而需要對片內(nèi)的RAM進行擴展，來滿足較大量程序的運行。本系統(tǒng)選用Cypress公司的CY7C1011CV33-12ZSXE集成芯片，利用TMS320F28335提供的XINTF接口完成片外RAM的擴展。
XINTF是TMS320F28335所提供的一個非復用異步總線，用來完成外部異步器件的擴展。XINTF可以映射外設到3個固定的內(nèi)存映射區(qū)域，當外部資源掛接到某個區(qū)域時，則需要通過XINTF的一個片選信號來進行外部資源的選定。
CY7C1011CV33-12ZSXE是一個CMOS的靜態(tài)RAM存儲器，其容量大小為64 kB，16位數(shù)據(jù)寬度。圖2是外圍SRAM擴展電路連接圖。本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/161948.htm
如圖2所示，本系統(tǒng)選用ZONE7區(qū)域作為RAM的外圍擴展。DSC通過其XZCS7管腳向片外SRAM發(fā)送片選信號。WE信號用來控制DSC對片外SRAM的讀寫，當DSC的XWEo管腳為低電平，則DSC對片外RAM進行讀寫操作；XWEo為高電平，同時DSC的XRD管腳為低電平，則為讀操作。
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