MEMS: 芯片外的封裝級(jí)設(shè)計(jì)考慮

MEMS器件的封裝形式是把基于MEMS的系統(tǒng)方案推向市場(chǎng)的關(guān)鍵因素。研究發(fā)現(xiàn)，當(dāng)今基于MEMS的典型產(chǎn)品中，封裝成本幾乎占去了所有物料和組裝成本的20%～40%。由于生產(chǎn)因素的影響，使得封裝之后的測(cè)試成本比器件級(jí)的測(cè)試成本更高，這就使MEMS產(chǎn)品的封裝選擇和設(shè)計(jì)更加重要。

MEMS器件設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)在開始每項(xiàng)設(shè)計(jì)前，以及貫穿在整個(gè)設(shè)計(jì)流程中都必須對(duì)封裝策略和如何折中進(jìn)行考慮和給與極大的關(guān)注。許多MEMS產(chǎn)品供應(yīng)商都會(huì)把產(chǎn)品封裝作為進(jìn)行市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的主要產(chǎn)品差異和競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

封裝選擇規(guī)則
設(shè)計(jì)MEMS器件的封裝往往比設(shè)計(jì)普通集成電路的封裝更加復(fù)雜，這是因?yàn)楣こ處煶３Ｒ裱恍╊~外的設(shè)計(jì)約束，以及滿足工作在嚴(yán)酷環(huán)境條件下的需求。器件應(yīng)該能夠在這樣的嚴(yán)苛環(huán)境下與被測(cè)量的介質(zhì)非常明顯地區(qū)別開來。這些介質(zhì)可能是像干燥空氣一樣溫和，或者像血液、散熱器輻射等一樣嚴(yán)苛。其他的介質(zhì)還包括進(jìn)行測(cè)量時(shí)的環(huán)境，例如，沖擊、震動(dòng)、溫度變化、潮濕和EMI/RFI等。

首先，MEMS器件的封裝必須能夠和環(huán)境進(jìn)行相互影響。例如，壓力傳感器的壓力輸入、血液處理器件的流體入口等。MEMS器件的封裝也必須滿足其他一些機(jī)械和散熱裕量要求。作為MEMS器件的輸出，可能是機(jī)械電機(jī)或壓力的變化，因此，封裝的機(jī)械寄生現(xiàn)象就有可能與器件的功能相互影響和干擾。

例如，在壓阻傳感器內(nèi)，封裝應(yīng)力就會(huì)影響傳感器的輸出。當(dāng)封裝中不同材料混合使用時(shí)，它們的膨脹和收縮系數(shù)不同，因此，這些變化引起的應(yīng)力就附加在傳感器的壓力值中。在光學(xué)MEMS器件中，由于沖擊、震動(dòng)或熱膨脹等原因而產(chǎn)生的封裝應(yīng)力會(huì)使光器件和光纖之間的對(duì)準(zhǔn)發(fā)生偏移。在高精度加速度計(jì)和陀螺儀中，封裝需要和MEMS芯片隔離以優(yōu)化性能（見圖1）。

圖1 常規(guī)晶圓級(jí)封裝（WLP）結(jié)構(gòu)示意圖

根據(jù)生產(chǎn)的MEMS器件類型的不同，電子性能的考慮可以決定所選封裝類型的策略。例如，電容傳感MEMS器件會(huì)產(chǎn)生非常小、并可以被電子器件所識(shí)別的電荷，在設(shè)計(jì)時(shí)就需要特別注意電路和封裝中的信號(hào)完整性問題。

通常，大多數(shù)基于MEMS的系統(tǒng)方案都對(duì)MEMS芯片提供相應(yīng)的電路補(bǔ)償、控制和信號(hào)處理單元。因此，一個(gè)MEMS芯片和定制ASIC芯片可以被集成在同一個(gè)封裝內(nèi)。同樣，電路也可以是集成了MEMS器件的單芯片、單封裝（見圖2）。

圖2 單芯片恒溫加速度計(jì)

MEMS器件有時(shí)也采用晶圓級(jí)封裝，并用保護(hù)帽把MEMS密封起來，實(shí)現(xiàn)與外部環(huán)境的隔離或在下次封裝前對(duì)MEMS器件提供移動(dòng)保護(hù)。這項(xiàng)技術(shù)常常用于慣性芯片的封裝，如陀螺儀和加速度計(jì)。