MEMS技術(shù)發(fā)展的趨勢(shì)

大多數(shù)專家預(yù)測(cè)MEMS技術(shù)在今后的主要發(fā)展趨勢(shì)綜合如下：

(1)研究方向多樣化：從歷次大型MEMS國(guó)際會(huì)議(Transducer和MEMSWorldshop)的論文來(lái)看，MEMS技術(shù)的研究日益多樣化。

MEMS技術(shù)涉及的領(lǐng)域主要包括慣性器件如加速度計(jì)與陀螺、AFM(原子力顯微鏡)、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、三維微型結(jié)構(gòu)的制作、微型閥門(mén)、泵和微型噴口、流量器件、微型光學(xué)器件、各種執(zhí)行器、微型機(jī)電器件性能模擬、各種制造工藝、封裝鍵合、醫(yī)用器件、實(shí)驗(yàn)表征器件、壓力傳感器、麥克風(fēng)以及聲學(xué)器件等16個(gè)發(fā)展方向。內(nèi)容涉及軍事、民用等各個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域。

(2)加工工藝多樣化：加工工藝多種多樣，如：傳統(tǒng)的體硅加工工藝、表面犧牲層工藝、溶硅工藝、深槽刻蝕與鍵合工藝相結(jié)合、SCREAM工藝、LIGA加工工藝、厚膠與電鍍相結(jié)合的金屬犧牲層工藝、MAMOS(金屬空氣MOSFET)工藝、體硅工藝與表面犧牲層工藝相結(jié)合等。而具體的加工手段更是多種多樣。

(3)系統(tǒng)單片集成化：由于一般傳感器的輸出信號(hào)(電流或電壓)很弱，若將它連接到外部　電路，則寄生電容、電阻等的影響會(huì)徹底掩蓋有用的信號(hào)。因此采用靈敏元件外接處理電路的方法已不可能得到質(zhì)量很高的傳感器。只有把兩者集成在一個(gè)芯片上，才能具有最好的性能，美國(guó)ADI公司生產(chǎn)的集成式加速度計(jì)就是將敏感器件與集成電路集成在同一芯片上的。

(4)MEMS器件芯片制造與封裝統(tǒng)一考慮：MEMS器件與集成電路芯片的主要不同在于，MEMS器件芯片一般都有活動(dòng)部件，比較脆弱，在封裝前不利于運(yùn)輸。所以MEMS器件芯片制造與封裝應(yīng)統(tǒng)一考慮。封裝技術(shù)是MEMS的一個(gè)重要研究領(lǐng)域，幾乎每次MEMS國(guó)際會(huì)議都對(duì)封裝技術(shù)進(jìn)行專題討論。

(5)普通商業(yè)應(yīng)用低性能MEMS器件與高性能特殊用途如航空、航天、軍事用MEMS器件并存：例如加速度計(jì)，既有大量的只要求精度為0.5g以上，可廣泛應(yīng)用于汽車(chē)安全氣囊等的具有很高經(jīng)濟(jì)價(jià)值的加速度計(jì);也有要求精度為10-8g的，可應(yīng)用于航空航天等高科技領(lǐng)域的加速度計(jì)。對(duì)于陀螺，也是有些情況要求其精度為0.1°/h，有的則只要求10000°/h。