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          MIM單元結(jié)構(gòu)及通信機(jī)理

          作者: 時(shí)間:2011-11-28 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          是由金屬、絕緣體、金屬三層薄膜組成的夾心。用于液晶顯示的如圖1所示,主要有兩種: (1)圖1(a)是比較常見的“T”形。這種結(jié)構(gòu)的工藝過
          程比較簡單,早期研制的基本是這種形式。但這種結(jié)構(gòu)的MIM面積比較大,具有較大的寄生電容,對提高對比度、改善其顯示質(zhì)量等不利。如果要減小其面積,就要求有大面積、高分辯率的光刻設(shè)備。不僅增加了制作工藝的難度,成品率下降,還提高了成本,更不適合實(shí)現(xiàn)大型顯示。(2)圖1(b)示出研制的側(cè)向MIM結(jié)構(gòu),這種結(jié)構(gòu)是在掃描線側(cè)向形成

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/166011.htm


          MIM遞斷作用
          M IM元件的特點(diǎn)是其伏安特性的非線性變化。液晶顯示正是利用了MIM的這個(gè)特點(diǎn)。當(dāng)外加偏壓達(dá)到某一定值V (閉值電壓)時(shí),MIM 的電導(dǎo)率急劇變化, 并由絕緣狀態(tài)迅速變?yōu)閷?dǎo)體狀態(tài)。通過MIM的電流也迅速增大.MIM處于“通” 狀態(tài)。當(dāng)MIM上的外加偏壓小于V T時(shí),MIM又恢復(fù)到原來的狀態(tài),MIM處于“蜥” 態(tài)。在整個(gè)“通 、“蜥” 過程中絕緣層的絕緣性能并不損壞。圖2示出了M rM的伏安特性曲線。

          MIMI的通訊


          茵此,在強(qiáng)場的作用下,施主能級上大量的電子進(jìn)入絕緣層導(dǎo)帶。并在強(qiáng)場的作用下發(fā)
          生雪崩擊穿。其伏一安特性的關(guān)系可甩式(1)表示。對于絕緣層是Ta zO 的MIM來說,實(shí)
          際工作中制得的MIM的13 PF值不符合PooIe—Frenkel3L~論值而符合肖特基的理論值日s(13 P F
          =2 13 s)。這種異常Poole—Frenke1效應(yīng)的出現(xiàn)主要是在Ta zO 膜中僅僅存在中性的陷
          阱能級, 所以不能顯示出Poole—F reakel效應(yīng)。面且這時(shí)的電導(dǎo)率也很低 為了解決這個(gè)
          問題,必須通過熱處理等工藝, 在Ta:O 膜內(nèi)形成深施主能級,以滿足液晶顯示的要求。在處理的過程中也能清除部分非平衡缺陷, 提高M(jìn)IM的穩(wěn)定性。



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