EPM570在視頻采集中的設(shè)計(jì)與應(yīng)用
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4.1 SRAM地址線控制
寫緩存的地址由LLC計(jì)數(shù)生成，但不是每個LLC都包含有效數(shù)據(jù)需要和HREF及VREF相與形成，在Quartus II中采用原理圖編輯方式對SRAM地址進(jìn)行控制，具體如圖2所示。
圖2中主要包括2個19位計(jì)數(shù)器及4個19位三態(tài)緩沖門，其中HREF／VREF由SAA7113中的RTS0／RTS1配置形成，ODD(奇場指示信號)由VREF計(jì)數(shù)2分頻形成，EVEN(偶場指示信號)由ODD取反得到，這樣可免去對HREF計(jì)數(shù)，然后丟棄消隱行的過程，同時得到了HREF、VREF及ODD三個參考同步信號。圖中ODD_CS及EVEN_CS是由ODD及EVEN和CPU片選信號CS構(gòu)成。奇數(shù)場時，偶場計(jì)數(shù)器清零，奇場計(jì)數(shù)器工作形成的地址通過緩沖門連接至奇場SRAM，同時若有CPU片選信號將會選通偶場SRAM，CPU的19位地址線將連接至偶場SRAM，偶數(shù)場時則反之。
4.2 SRAM數(shù)據(jù)控制
數(shù)據(jù)線控制電路主要由4個8位三態(tài)緩沖門組成，如圖3所示。其中VP0～VP7為SAA7113的8位數(shù)據(jù)輸出，其原理與地址線控制電路類似。寫控制電路由2個4輸入或門構(gòu)成，其中nHREF及nVREF由HREF、VREF取非得到，實(shí)現(xiàn)只有在有效數(shù)據(jù)時才形成寫使能WE。
5 系統(tǒng)仿真
從圖4所示的Quartus II時序分析中可以看出LLC與ODD_nWE的延遲為8.8 ns，ODD_nWE與計(jì)數(shù)器生成的地址線的時間間隔為10 ns，即地址線的生成與LLC上升沿的時延為18.8 ns，由于LLC為27 MHz半個周期為18.5 ns，本系統(tǒng)設(shè)計(jì)正好滿足SAA7113輸出數(shù)據(jù)在LLC的下降沿開始有效。兩片SRAM地址信號SRAM0_Add、SRAM1_Add以及SRAM寫信號ODD_nWE、ENEN_nWE隨著場同步信號ODD交替出現(xiàn)，實(shí)現(xiàn)了高效的乒乓切換混存結(jié)構(gòu)。
6 結(jié)束語
本文采用EPM570與兩片512 KB SRAM實(shí)現(xiàn)視頻采集系統(tǒng)，相較于采用雙口RAM、高速FIFO的緩存結(jié)構(gòu)不僅價(jià)格低廉，能在時序上進(jìn)行控制，還能獲得720×576的實(shí)際有效分辨率，緩存效率高，占用處理器資源少。為處理器進(jìn)一步進(jìn)行視頻壓縮提供了有力的保障。
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