LED照明回路中恢復(fù)二極管的選擇
2.2 工作原理
圖2是HV9910B的內(nèi)部框圖及典型應(yīng)用電路。直流電壓直接加于VIN腳,當(dāng)VDD腳超過開啟閾值后,柵極驅(qū)動器工作,GATE腳輸出電壓使MOSFET管導(dǎo)通并運(yùn)行在開關(guān)狀態(tài),MOSFET管的源極接電流檢測電阻RCS,其電壓加于CS腳,當(dāng)該電壓超過峰值電流檢測閾值時(shí),柵極驅(qū)動信號終止,MOSFET管截止。由于閾值電壓內(nèi)部設(shè)定為250mV,所以,MOSFET管峰值電流由檢測電阻RCS決定。本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/167365.htm
外接電路說明:Q代表MOSFET管;D代表續(xù)流回路恢復(fù)二極管;L代表回路電感;ROSC代表頻率設(shè)定電阻;LED代表發(fā)光二極管。
由于MOSFET管工作在開關(guān)狀態(tài),導(dǎo)通時(shí),電感充電電流上升;截止時(shí),電感放電電流減小。顯然,電流到達(dá)峰值的時(shí)間與電感選用有關(guān)系。嚴(yán)格地說,經(jīng)過LED電流是脈動起伏的,不是直流,其平均值與電感值有關(guān)。根據(jù)電感電流是否連續(xù)可以分成如下三種模式,見圖3。這三種工作模式各有優(yōu)缺點(diǎn),按實(shí)際情況進(jìn)行選用。a模式電流變化范圍小,具有較小的磁滯損耗,一般工作頻率較高,功率管的開關(guān)損耗大,電源電壓變化對應(yīng)的電流精度高;c模式電流變化大,具有較大的磁滯損耗,一般工作頻率較低,功率管的開關(guān)損耗小,電源電壓變化對應(yīng)的電流精度低;b模式介于這兩種模式之間,同時(shí)具有這兩種模式的優(yōu)缺點(diǎn)。對應(yīng)市電應(yīng)用的場合,負(fù)載功率高時(shí),建議選用a模式,負(fù)載功率適中可選用b模式,負(fù)載功率低則可選用c模式。文章中實(shí)際電路選用了a模式。
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