靜電測(cè)試技術(shù)在LED品質(zhì)提升的應(yīng)用

3. 軟件組件部份

控制探針下針位置，觸發(fā)高壓產(chǎn)生器的充放電模組，控制輸入的電壓充電完成后對(duì)待測(cè)LED放電并量測(cè)結(jié)果顯示。

三、LED晶圓靜電量測(cè)模組系統(tǒng)組裝與測(cè)試結(jié)果

完成高壓產(chǎn)生器交流電壓調(diào)變電路設(shè)計(jì)制作如圖4，使用高壓探棒實(shí)際量測(cè)交流電壓振幅峰對(duì)峰6.26kV－最大交流振幅:3.13kV，測(cè)試驗(yàn)證結(jié)果直流電壓值最大值8.08kV ，于8kV電壓經(jīng)由短路輸出端短路電流測(cè)試于放電電阻:1500 Ω +/- 1%條件下，峰值電流達(dá)5.46A (理論值:8000/1500=5.33)。完成LED靜電點(diǎn)測(cè)模組規(guī)格驗(yàn)證于靜電電壓4Kv并于以下測(cè)試條件:

(1)常溫、常濕、大氣環(huán)境下

(2)測(cè)試探棒:頻寬大于1 GHz電流探棒

(3)充電電容:100 pF +/- 10% (effective capacitance)

(4)放電電阻:1500 Ω +/- 1%

重復(fù)量測(cè)HBM短路峰值電流5次結(jié)果如下:

峰值電流量測(cè)理論值2.66A于一小時(shí)后峰值電流2.70A，偏移量1.5%，滿足測(cè)試規(guī)范峰值電流2.40~2.96A@4kV與HBM負(fù)載短路上升時(shí)間2.0~10ns@4kV。

圖4 高壓產(chǎn)生器完成電路模組

四、結(jié)論

本文對(duì)所開發(fā)高速大動(dòng)態(tài)范圍LED晶圓靜電量測(cè)模組，使輸出電壓可涵蓋規(guī)范靜電分類之最小電壓250V至最大電壓8000V大動(dòng)態(tài)范圍r并縮短低電壓切換至高電壓上升時(shí)間至80ms以內(nèi)，未來將進(jìn)行小型試量產(chǎn)與至客戶端進(jìn)行耐久測(cè)試，并視商品化需求進(jìn)行修改，以達(dá)高速與大動(dòng)態(tài)范圍LED晶粒線上檢測(cè)與分類目的。于應(yīng)用方面除可用于LED靜電測(cè)試外主，搭配探針點(diǎn)測(cè)技術(shù)可應(yīng)用于半導(dǎo)體BGA、CSP(Chip Scale Package)、FC(Flip Chip)微小元件晶圓靜電測(cè)試。進(jìn)一步應(yīng)用包括可用于X-ray Tubes、Photomultiplier Tubes、Electron Beam Focusing等。