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          大功率白光LED路燈發(fā)光板設(shè)計(jì)與驅(qū)動技術(shù)

          作者: 時(shí)間:2012-08-24 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          安裝管殼:安裝的管殼一般都會被加工成錐形或拋物線形的反射杯,以增加功率型的出光量,屬于二次取光, 增加了單芯片的出光率。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/167610.htm

          金屬鍵合:利用金絲球焊的方法將焊盤與外部電極連接鍵合,即芯片電極與外部電極相連接。

          配粉及涂粉工藝:配置可在藍(lán)光發(fā)出的藍(lán)光激發(fā)下能發(fā)出相應(yīng)色譜范圍內(nèi)黃光的熒光粉,并涂敷在芯片的表面。涂敷熒光配膠工藝目前國內(nèi)多采用傳統(tǒng)的點(diǎn)膠方式,國外多采用保形涂敷( conformal coating)。二者比較而言,通過點(diǎn)膠形成的熒光粉層不能保證在芯片周圍的厚度一致,這樣就會造成不同視角器件的顏色不一樣。而采用保形涂粉的方法,由于在芯片周圍涂層的厚度均勻,因此所發(fā)出的光的顏色一致性好,保證了所發(fā)出的純正。

          最后,向反光杯( reffeitor)中填充熱穩(wěn)定性能好、絕緣以及光學(xué)透明折射率高的柔性硅膠,并在最上面加上一個(gè)光學(xué)透鏡,形成光學(xué)微腔,經(jīng)熱固化后完成整個(gè)器件的封裝。圖6~8為單芯片封裝的功率型的器件。在完成LED芯片及封裝的出光率與熱管理的優(yōu)化基礎(chǔ)上,可采用COB技術(shù)陣列式組裝LED芯片制造板。

          圖6 點(diǎn)膠(a)與保形涂粉(b)工藝的對比

          圖6 點(diǎn)膠(a)與保形涂粉(b)工藝的對比

          圖7 普通架式功率型LED封裝示意圖

          圖7 普通架式功率型LED封裝示意圖

          圖8 一種大功率LED器件的封裝示意圖

          圖8 一種LED器件的封裝示意圖

          2. 3 以COB技術(shù)陣列式組裝大功率白光LED板的技術(shù)優(yōu)勢

          LED產(chǎn)業(yè)經(jīng)過40多年的發(fā)展,經(jīng)過了支架式LED (Lead LED ) 、普通貼片式LED ( Chip SMDLED) 、功率LED ( Power LED) 、大功率LED (HighPower LED)等發(fā)展歷程。

          圖9為LED發(fā)光器件封裝結(jié)構(gòu)的演變,從圖中可以看出,LED器件封裝的熱阻越來越小。但是在目前的應(yīng)用上,相對而言大功率LED的光通量( lm)仍然有限,單管亮度還遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠,必須配置多個(gè)LED器件組成陣列。

          圖9 LED封裝結(jié)構(gòu)的演變以及熱阻的變化趨勢。

          圖9 LED封裝結(jié)構(gòu)的演變以及熱阻的變化趨勢。

          對于架式功率型LED,因?yàn)閱喂芄馔坎蛔?,只能集合多個(gè)LED元件組成LED陣列,分布焊接在PCB板上形成路燈用的發(fā)光板,以達(dá)到較高的光通量才能符合照明市場的需求。但是這種LED器件整個(gè)發(fā)光芯片是被聚脂塑料包裹,而聚脂塑料是一種熱的不良導(dǎo)體,所以其自身發(fā)出的熱量很難散失,因此也會很嚴(yán)重地制約功率型LED的發(fā)光效率。此外PCB 板也是熱的不良導(dǎo)體,從LED下部也很難散熱。

          對于目前比較廣泛使用的普通貼片式LED、功率LED器件雖然單管光通量有所提高,但是單管光通量還是不能符合照明市場的需求,要制成實(shí)用的照明燈具,尤其是路燈照明,采取的技術(shù)方案與支架式LED相同,將發(fā)光器件陣列式焊接在PCB板上形成較大光通量的發(fā)光板。但是每個(gè)功率型的單管LED下部都有高導(dǎo)熱的熱沉層,散熱情況要好于架式的功率型LED.

          但是這兩個(gè)方案有一個(gè)共同問題,由于器件數(shù)量比較多,使電路的比較復(fù)雜,而電路板自身的基板由熱的不良導(dǎo)體制成,燈具熱流散發(fā)不暢,很難與各種外部散熱手段(無論是主動散熱,比如加裝風(fēng)扇式散熱器等,還是被動散熱,比如加裝散熱片等)兼容,影響了燈具的穩(wěn)定性和使用壽命,故障率相對較高。

          為解決以上問題,可以采用COB技術(shù)對LED芯進(jìn)行陣列式封裝,形成大的發(fā)光板。該組裝方式在形成光學(xué)微腔的封裝過程與單管大功率LED封裝方式完全相同,只是以陣列的方式將LED芯片固晶在一塊較大面積的敷有氧化膜絕緣層和電路層的高導(dǎo)熱復(fù)合材料基板上。如圖10和圖11所示,典型的高導(dǎo)熱復(fù)合材料襯底有美國Bergquist公司的T2Clad產(chǎn)品,德國Curamik覆銅陶瓷板DBC(Direct Bonded Copper)。使用成本更低廉的覆銅鋁基板也可以達(dá)到同樣的熱沉效果(鋁基板的氧化膜可承受1 000 V的靜電擊穿電壓)。

          圖10 金屬覆銅板的結(jié)構(gòu)圖

          圖10 金屬覆銅板的結(jié)構(gòu)圖

          圖11 DBC陶瓷基板示意圖

          圖11 DBC陶瓷基板示意圖

          相對于前兩種技術(shù)方案來講,采用COB技術(shù)將大功率LED芯片陣列式封裝在復(fù)合材料線路板上有以下幾點(diǎn)好處:

          從散熱管理的角度來講,雖然貼片式LED(Chip SMD LED) 、功率LED (Power LED)器件在芯片下裝有高導(dǎo)熱材料的熱沉層,但是從LED芯片依次向下有反射層、電路層、絕緣層、導(dǎo)熱材料組成的熱沉層,而各層之間粘合或多或少要使用一些不良的散熱材料,此外,目前常規(guī)方案中使用的電路板的基板也是熱的不良導(dǎo)體,因此對散熱也很不利。而高導(dǎo)熱復(fù)合材料是用共晶沖壓的方式制造的,電路層、絕緣層、導(dǎo)熱層之間結(jié)合緊密屬于原子級結(jié)合方式,因此其散熱率更是高于單管熱沉層的散熱率。

          另外根據(jù)有限元分析軟件對功率型LED組件熱阻模型分析結(jié)果表明:對于采用高導(dǎo)熱熱沉的單管大功率LED的封裝方案,外加散熱基板面積的尺寸很大程度影響芯片的結(jié)溫,在空氣自然對流下,其直徑要大于20 mm才能使得LED芯片在120 ℃以下工作。而采用的COB 技術(shù)封裝的LED模塊,很容易實(shí)現(xiàn)將LED 芯片工作結(jié)溫控制在120 ℃以下。

          實(shí)際上, COB封裝技術(shù)和高熱導(dǎo)率復(fù)合材料的結(jié)合,其優(yōu)勢更加體現(xiàn)在多芯片封裝上,如圖12所示,形成多芯片模塊組件,有利于提高LED單位封裝組件的散熱性能,同時(shí)增加單位組件的發(fā)光亮度。而且高導(dǎo)熱復(fù)合材料是電路與熱沉的合成體,結(jié)構(gòu)緊湊,在散熱的同時(shí)也解決了電氣連接的電路問題,并且由于電路層單面分布,可實(shí)現(xiàn)電熱性能分開,與外部制冷器能很好的兼容,外部制冷組件可以直接貼在板后,進(jìn)一步降低工作溫度保證LED光源的可靠性和穩(wěn)定性。另外,采用COB封裝的制作工藝兼容于目前電路板制作流程,技術(shù)成熟可靠,可實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。



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