海力士與ST為合資存儲器芯片制造廠舉行落成典禮

　　意法半導(dǎo)體公司和另一家大型半導(dǎo)體廠商海力士半導(dǎo)體為在中國江蘇省無錫市合資建立的存儲器芯片前端制造廠舉行了正式的開業(yè)典禮。中國地方及國家領(lǐng)導(dǎo)參加了開業(yè)典禮。 

        這個技術(shù)先進(jìn)的新工廠將負(fù)責(zé)制造NAND閃存和DRAM存儲器芯片，該合資公司是海力士與意法半導(dǎo)體成功合作的結(jié)晶。合資雙方將獲得規(guī)模經(jīng)濟(jì)帶來的巨大的經(jīng)濟(jì)效益，將能提前進(jìn)入飛速增長的中國市場，在制造工藝和產(chǎn)品開發(fā)上實(shí)現(xiàn)優(yōu)勢互補(bǔ)。無錫晶圓制造廠將加快意法半導(dǎo)體在NAND閃存市場的前進(jìn)步伐，同時還將為嵌入式系統(tǒng)廠商提供能夠與閃存疊裝在一起的高性能的具有成本競爭力的DRAM芯片。新工廠將有助于擴(kuò)大海力士的12英寸生產(chǎn)線的產(chǎn)能，加強(qiáng)其在全球增長速度最快的中國半導(dǎo)體市場上的領(lǐng)先地位。海力士DRAM目前在中國的銷售量居第一位，據(jù)最新的iSupply資料顯示，市場份額約為47%。無錫工廠竣工后，海力士又增加了一個全球制造基地，該公司在美國俄勒岡尤金市還有一家全球制造基地。 

　　兩家公司于2005年4月為新工廠舉行了奠基儀式，工廠占地面積550,000平方米，無塵潔凈室達(dá)到20,000平方米，8英寸和12英寸生產(chǎn)線分別于2006年7月和10月開始量產(chǎn)。目前 DRAM芯片采用 80nm、90nm和110nm制造工藝，90nm和110nm晶圓在8英寸生產(chǎn)線上生產(chǎn)， 80nm晶圓在12英寸生產(chǎn)線上生產(chǎn)。明年年中，兩條生產(chǎn)線除生產(chǎn)現(xiàn)有的DRAM外，還將開始生產(chǎn)工藝先進(jìn)的NAND閃存。在產(chǎn)能方面，8英寸生產(chǎn)線預(yù)計月產(chǎn)晶圓 50,000片，12英寸生產(chǎn)線的月產(chǎn)量將達(dá)到18,000片晶圓。雙方將根據(jù)市場情況分配產(chǎn)品和存儲器密度。 

　　這個合資廠的總投資額為20億美元，意法半導(dǎo)體與海力士半導(dǎo)體的股份比例1/3：2/3，中國本地金融機(jī)構(gòu)和意法半導(dǎo)體還為合資公司提供了聯(lián)貸計劃。 

　　該合資公司雇用大約2000名員工，絕大多數(shù)人來自本地勞動力。從新工廠到上海是兩個小時的路程，工廠附近有大量的技術(shù)熟練的勞動力，高度發(fā)達(dá)的配套基礎(chǔ)設(shè)施，以及巨大的擴(kuò)展空間。 　　  

　　 “如果不與ST合作，沒有無錫市政府的支持，我們不可能建成無錫工廠。通過合資公司，海力士相信與ST和無錫市的合作關(guān)系將會得到進(jìn)一步加強(qiáng)，新工廠有利于兩家公司各自的長遠(yuǎn)發(fā)展?！焙Ａκ堪雽?dǎo)體公司董事長兼首席執(zhí)行官禹義濟(jì)表示，“我期望無錫工廠將成為海力士建立國際存儲器公司的立足點(diǎn)?！?nbsp;

　　市場調(diào)研公司iSuppli預(yù)計今年DRAM市場的增幅將達(dá)到24.4% ，營業(yè)收入將達(dá)到309億美元，2006年NAND市場增幅將會達(dá)到17% ，營業(yè)收入將達(dá)到126億美元。 


　　中國是世界增長最快的半導(dǎo)體市場，目前中國市場占全球市場約15％。據(jù)市場調(diào)研機(jī)構(gòu)的預(yù)測，中國在2008年前將會成為世界最大的半導(dǎo)體市場，市場份額占全球半導(dǎo)體市場的四分之一以上。