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          TFT-OLED像素單元及驅動電路分析

          作者: 時間:2012-06-05 來源:網(wǎng)絡 收藏

           電流控制型3-TFT像素電路

          圖3 電流控制型3-TFT

          2.2.2 四管TFT結構

          國外較早見報道的4-TFT電流控制帶閾值電壓補償?shù)?a class="contentlabel" href="http://www.ex-cimer.com/news/listbylabel/label/驅動">驅動如圖4。在尋址階段,掃描電壓開啟T1、T3,數(shù)據(jù)電流Idata流過T4進入發(fā)光,T4的柵源電壓保存在Cs中;尋址結束,T1和T3關閉,VG的引入能使T2打開,這時T4連到VDD上作為電流源,它只受保存在Cs中的電壓控制,這就消除了閾值電壓變化的影響,然而VG線的引入影響了顯示器的開口率。

          電流控制帶閾值電壓補償?shù)哪M驅動電路

          圖4 電流控制帶閾值電壓補償?shù)哪M

          電流控制電流鏡像素電路

          圖5 電流控制電流鏡電路

          獲得廣泛應用的是以電流鏡像為基礎的電流控制型電路,下面以圖5所示結構闡述這類電路的工作原理。當掃描線上電壓處于高電平時,此像素被選中,晶體管T1、T2導通,Idata首先從數(shù)據(jù)線通過T1管對電容Cs充電。當電容Cs兩端電壓達到一定值時,整個Idata通過T2管流到T3管。同時,由于T3管和T4管的柵極電壓相等,數(shù)據(jù)電流Idata被鏡像為流經(jīng)OLED的電流。當此像素未被選中時,T4管的柵極電壓由電容Cs兩端所存儲的電壓所決定,維持著電流OLED。

          研究發(fā)現(xiàn)開關管T2的老化,T3、T4閾值電壓VT的漂移差別,T3、T4的閾值電壓VT初始值不同是影響以電流鏡為基礎a-Si:H電路的驅動電流穩(wěn)定性的主要機制。因此,電流鏡準確實現(xiàn)電流跟隨功能的基本要求是T2盡可能開態(tài)低阻,關態(tài)低漏電流;T3、T4的初始閾值電壓相等,且變化一致;T3、T4工作于飽和區(qū)。而郭斌等人模擬和了作為電流控制型多晶硅薄膜晶體管(poly-SiTFT)有源矩陣有機發(fā)光二極管(AM-LOED)像素的poly-SiTFT/OLED耦合對的J-V特性和poly-SiTFT電流鏡的I-V特性。結果表明,poly-SiTFT/OLED耦合對的驅動電壓低,在200A/m2下不超過8V;而TFT電流鏡的跟隨能力很好,在0.0~2.5μA時飽和電壓只有1.5~2.5V。一般說來,以電流鏡像為基礎的電路具有良好的補償特性,類似于此類型的電流控制型驅動電路也能很好地證明這一點,并從實驗得出,這種電路具有很好的線性輸出,能對顯示的灰度作精確性地調節(jié)。

          四管電流驅動型電路缺陷在于低亮度顯示時,充電時間長,信號延時嚴重。目前,主要通過調節(jié)OLED的電流與輸入數(shù)據(jù)電流的縮減比例,來減小數(shù)據(jù)線與像素間的充電時間。已見報道的有兩類方法,一是基于TFT幾何尺寸,一是基于存儲電容尺寸。分壓式電流控制型驅動電路屬于前者,電路中流經(jīng)OLED的電流與數(shù)據(jù)電流的關系為:

          這里μ為場效應遷移率,Cox為單位面積的絕緣層電容;W和L分別為MOS管溝道寬度和長度。由以上關系可知,采用大數(shù)據(jù)電流充電,能得到小的IOLED,同時減少了充電時間,但這是以增加功耗為代價的。而串聯(lián)存儲電容結構的電流控制型電路屬于后者,選通階段,Idata=IOLED,非選通階段,電路中流經(jīng)OLED的電流與數(shù)據(jù)電流的關系為Idata=RSCALEIOLED,其中RSCALE為電流縮減比率,它與存儲電容CST2、開關管柵源/柵漏等效交迭電容COV-T2、掃描信號在選通與非選通時幅度的變化△VSCAN相關,且隨著以上參數(shù)的增大,RSCALE隨之增大。與前者相比,該電路優(yōu)勢在于通過RSCALE與IOLED適當組合,不僅可以更大程度地減小響應時間,而且在不增加功耗的前提下,能滿足高、低不同灰度級的顯示需要。

          2.2.3 五管TFT結構

          B.Mazhari等人提出了五管單元像素電路,該電路采用一個柵源短接的TFT作為負反饋電阻,有效抑制多晶硅TFT扭結效應(kinkeffect),實現(xiàn)了數(shù)據(jù)電流高達20A,輸出特性曲線仍具有良好的線性,克服了以前各種電路在保證線性的前提下電流范圍小的缺陷。愛普生-劍橋實驗室提出了先進的自調整電壓源技術,這也是一種五管驅動方案,電路通過單位增益放大器存儲驅動管TFT的源電壓,保證選通與非選通階段驅動管偏置條件一致。

          盡管電流范圍限制在0.2A~1A,還是有效改善了數(shù)據(jù)電流較小時閾值電壓的變化對OLED電流影響較大的缺點,但電路結構復雜,限制了像素的占空因數(shù)。

          3 驅動系統(tǒng)

          一個完整的有源矩陣OLED驅動顯示系統(tǒng),除了由像素單元電路構成的矩陣顯示屏外,還包括驅動IC(行、列控制/驅動電路)、單片機控制電路等,OLED有源驅動系統(tǒng)典型框圖如圖6。

          OLED有源驅動系統(tǒng)典型框圖

          圖6 OLED有源驅動系統(tǒng)典型框圖

          顯示用的圖像數(shù)據(jù)存儲于ROM或RAM中,CPU或MCU控制電路產(chǎn)生總控制信號,行控制電路和列驅動電路在總控制信號下,結合各自內部功能,產(chǎn)生基本行信號和基本列信號,行驅動電路和列驅動電路在總控制信號、基本行信號和基本列信號下,結合各自內部功能,產(chǎn)生行掃描信號和列數(shù)據(jù)信號,使OLED顯示屏顯示存儲于ROM或RAM中的圖像信息。

          驅動IC置于控制電路與有源玻璃板之間,是整個驅動電路的核心。全球已經(jīng)有多家公司在從事OLED驅動IC的研究,到目前為止,還沒有完全商業(yè)化的AM-OLED的驅動IC。但NextSierra公司已推出了分別集成的行列驅動NXS1008、NXS1009和控制芯片NXS1010,張志偉等人采用該系列芯片,通過MCS-51單片機的控制來驅動240×320×3點陣的屏,實現(xiàn)了大信息量的動態(tài)圖形顯示。

          由于液晶顯示器件的配套驅動芯片功能比較完善,且價格低廉,所以將此類芯片移用于有源矩陣顯示屏(AM-OLED)成為了國內外當前的研究焦點。

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