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          液晶顯示技術(shù)的最新趨勢(shì)

          作者: 時(shí)間:2012-04-17 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          然而,與以前的CRT顯示一樣為了達(dá)到自然動(dòng)畫的顯示效果,液晶的動(dòng)作模式與CRT是完全不同的,液晶在響應(yīng)時(shí)間方面的改善還不是非常充分,CRT是利用電子束打到幕上的一瞬間發(fā)光,而液晶的動(dòng)作不同,液晶是在1楨間保持開的狀態(tài)的保持型,這就是兩者之間的差異。為了解決這種差異,一方面是改變背光源的點(diǎn)燈驅(qū)動(dòng),另一方面是在楨間插入黑色信號(hào)(參考圖6),采用各種方法進(jìn)行了開發(fā),改善工作在不斷推進(jìn)。

          5、Mobile用小型輕量化

          的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)就是小型、輕量化且耗電量低。最大限度地利用這一優(yōu)點(diǎn),使其作為移動(dòng)用途得到大大推廣。從1990年代用于筆記本電腦開始,各種各樣便攜式機(jī)器上搭載的液晶模組,其薄型、輕量化、低消費(fèi)電力化的競(jìng)爭(zhēng)一直持續(xù)不斷。

          為了實(shí)現(xiàn)其薄型、輕量化、低消費(fèi)電力化,進(jìn)行了各種開發(fā),比如:玻璃基板的薄板化輕量化與構(gòu)成模組部材的改善,低溫多晶硅的使用,玻璃基板上設(shè)置的驅(qū)動(dòng)回路部件數(shù)目的減少,利用反射型的背光源來(lái)實(shí)現(xiàn)薄型化等等。

          背光源是透過型液晶面板使用的光源,若是利用太陽(yáng)光等外部光則為反射型的,外部光與背光源光同時(shí)應(yīng)用的為半透過型,這些技術(shù)均已實(shí)用化。

          6、部材的進(jìn)步——驅(qū)動(dòng)IC為例

          器如圖形所示,使用了各種各樣的材料。伴隨著技術(shù)的進(jìn)步,這些材料也在不斷進(jìn)行著技術(shù)革新。本文不可能講述所有的材料,就以驅(qū)動(dòng)IC為例進(jìn)行說明。

          包括電視用途在內(nèi),液晶面板向著大型化、高精細(xì)化且顯示更高畫質(zhì)畫像的方向發(fā)展。這種,在驅(qū)動(dòng)IC方向有很大的意義。動(dòng)作速度的增加、寫入精度的提高、多針化、低耗電量等課題的解決是非常重要的。

          在畫質(zhì)高精細(xì)化方面,由于增加了畫素?cái)?shù),寫入數(shù)據(jù)量也增加了。對(duì)更多的畫素,在一定時(shí)間內(nèi)寫入數(shù)據(jù)的話,動(dòng)作速度必須要提高。比如說,720p規(guī)格電視面板(1280×720)的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng),對(duì)應(yīng)18微秒的寫入時(shí)間,而1080i規(guī)格電視面板(1920×1080)的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng),必須將寫入時(shí)間縮短在12微秒以內(nèi)。

          階調(diào)數(shù)也是這樣,現(xiàn)在標(biāo)準(zhǔn)面板是8bit,將來(lái)10bit或12bit的面板也會(huì)增加。在8bit的情況下,數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的輸出電壓是將開/關(guān)的間電壓進(jìn)行256份來(lái)供給的,而10bit是1024份,12bit必須要4096份。

          另外,為達(dá)到便攜式、低價(jià)位的目標(biāo),要求將驅(qū)動(dòng)電壓控制在10V以下的低壓化,或是輸出端子針數(shù)增加(若1芯片輸出數(shù)增加,則相應(yīng)的IC忒片的使用數(shù)目會(huì)減少)。尤其是移動(dòng)領(lǐng)域以及筆記本電腦將便攜式看得非常重要,這就對(duì)低耗電化要求非常高。這不僅僅是驅(qū)動(dòng)IC,液晶性能方面的改善開發(fā)也是非常重要的。

          四、液晶面板的設(shè)計(jì)技術(shù)、工藝技術(shù)、生產(chǎn)技術(shù)

          1、液晶面板的制造過程

          主動(dòng)型液晶面板的制作工程,大概可以分為三部分。最初的工程稱作TFT陣列工程,是以玻璃基板上制作TFT陣列回路開始的。第二個(gè)工程稱作液晶成盒工程,是將已經(jīng)完成的TFT基板與鍍有RGB三色層膜的基板貼合在一起,注入液晶。第三個(gè)工程稱作模組工程,在已經(jīng)成盒的基板上裝上驅(qū)動(dòng)回路及背光源作為顯示用模組。制造過程結(jié)束(如圖8)。

          2、陣列工程——提高生產(chǎn)性的挑戰(zhàn)

          陣列工程與半導(dǎo)體工程相似。半導(dǎo)體是在晶元上面制作回路,同樣地,陣列工程是在玻璃基板上反復(fù)進(jìn)行成膜、顯影、刻蝕而形成TFT陣列回路。陣列工程中使用裝置的原理同半導(dǎo)體工程也是相同的。

          正因?yàn)槿绱?,液晶的制造技術(shù)常與半導(dǎo)體技術(shù)相比較。當(dāng)半導(dǎo)體的制造大有不同時(shí),基板面程擴(kuò)大的速度相比晶元直徑的擴(kuò)大來(lái)講發(fā)展更快。陣列工程中的成膜、顯影、刻蝕循環(huán)的次數(shù)一般稱作為“掩膜板數(shù)”。掩膜板數(shù)少的話則全體的工程數(shù)會(huì)減少,投資效率會(huì)提高,總工程所用的時(shí)間會(huì)縮短。幾年前,掩膜板數(shù)一般在6-8枚,最近大部分生產(chǎn)廠家都采用5枚掩膜板的工藝技術(shù)。競(jìng)爭(zhēng)有一部分生產(chǎn)廠家導(dǎo)入了4枚掩膜板工程。這種掩膜板消減的背景,主要是后述成本降低的市場(chǎng)壓力所致,工程數(shù)減少則相應(yīng)的投資額度也會(huì)減少。

          但是,單純減少掩膜板數(shù)會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品良率下降的反向效果。掩膜板數(shù)的減少使設(shè)計(jì)變得復(fù)雜,工藝條件變更,產(chǎn)品更易受到灰塵類缺陷等的影響。為了達(dá)到工藝條件縮減的目的,要求有在大面積內(nèi)工藝均一性優(yōu)化的裝置,工藝變動(dòng)較少且安定的裝置,而且要追求容易管理灰塵數(shù)的裝置。進(jìn)一步講,隨著顯示畫面的大型化、高精細(xì)化,畫素?cái)?shù)以及配線長(zhǎng)度不斷增加。要制造較長(zhǎng)配線無(wú)斷開、顯示無(wú)缺陷的面板,減少灰塵是非常重要的。

          3、成盒工程——工藝革新的挑戰(zhàn)成盒工程擔(dān)。

          負(fù)著配向處理、液晶注入等決定液晶面板顯示質(zhì)量的重要的工藝。如圖8所示成盒工程的流程,以液晶面板最初量產(chǎn)時(shí)使用的典型工程為例?;暹M(jìn)行完配向膜的配向處理之后,涂布封框膠,并為精確控制盒厚散布間隔球。之后,陣列與彩膜2枚基板貼合起來(lái),進(jìn)行液晶注入。

          成盒工程同樣為了提高生產(chǎn)效率或者提高面板的顯示性能,如圖9所示,引入各種技術(shù)革新的方法。

          間隔球散布是精確控制盒厚的重要工程,要求有非常高的精度。最近,使用一種柱狀間隔物來(lái)代替間隔球散布。采用這種方法可以避免由于間隔球造成的光散射,可以改善對(duì)比度等顯示質(zhì)量。

          還有為了提高液晶注入工程的生產(chǎn)效率,實(shí)行了由原來(lái)真空注入方式到滴下方式的技術(shù)革新。尤其是在大型電視面板的制造工程中,液晶注入時(shí)間為幾十小時(shí)或一日以上,非常費(fèi)時(shí)間,生產(chǎn)效率急劇降低。為了縮短液晶注入的時(shí)間,采用液晶滴下方式是必須的技術(shù)革新。

          ;關(guān)于提高液晶面板顯示質(zhì)量的技術(shù)革新,原來(lái)采用在有機(jī)配向膜(PI膜)表面機(jī)械擦進(jìn)行配向的方式,現(xiàn)在已經(jīng)開發(fā)了使用無(wú)機(jī)膜利用電子束這種非接觸的方式進(jìn)行配向的技術(shù),這樣可以避免摩擦不均,從而使顯示特性得到提高,醫(yī)療等要求高畫質(zhì)面板的生產(chǎn)上已經(jīng)開始使用。

          五、今后的發(fā)展方向

          1、畫面的大型化及生產(chǎn)技術(shù)

          (1)玻璃基板的大型化

          液晶面板畫面尺寸的大型化速度非???。而且支持這種發(fā)展趨且在制造技術(shù)中占據(jù)重要地位的是母玻璃基板尺寸的大型化。液晶面板的畫面尺寸變大時(shí),由母基板切割出的面板數(shù)最終會(huì)減少,導(dǎo)致生產(chǎn)效率降低。為了彌補(bǔ)這一缺陷,母基板尺寸的大型化是必然的。



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