多重選擇電容式觸摸屏平板電腦解決方案

3.2、YoungFast 5寸- 12寸電容式多點(diǎn)觸控屏

YoungFast推出各尺寸電容式多點(diǎn)觸控屏（Capacitive touch panel, CTP）， 主推薄膜制程- GFF, G1F 為主， 讓現(xiàn)有平板電腦產(chǎn)品更為輕薄， 在配合客戶規(guī)格要求， 選擇適用的Driver IC, 讓產(chǎn)品功能更具彈性， 迅速幫助客戶打入此熱門應(yīng)用市場(chǎng)，掌握此龐大的市場(chǎng)商機(jī)。

GFF and G1F 結(jié)構(gòu)的主要特性和優(yōu)點(diǎn)：

抗跌落性高于G/G: G/G結(jié)構(gòu)中的表面玻璃（Cover glass），是經(jīng)大片玻璃做強(qiáng)化鍍膜后再行裁切， 在玻璃四周會(huì)有 Micro cracking 產(chǎn)生， 跌落時(shí)較容易脆裂； 而GFF與 G1F 的表面玻璃是用單片玻璃切割完后，再做強(qiáng)化鍍膜，在強(qiáng)化鍍膜完整的包覆性下，抗跌落性較佳。

GFF與G1F 用ITO Film材料，使產(chǎn)品更加輕，更加薄。更能符合可攜式產(chǎn)品的需求。

以特殊的干式蝕刻制程， 減少蝕刻后所產(chǎn)生的痕跡。GFF與G1F 使用印刷制程，可大大降低黃光制程極高的開(kāi)發(fā)費(fèi)用。

Comparison of Mid size Capacitive TP

Youngfast 2011 Monthly Capacity:

4、Storage Device:

4 .1、Crucial RealSSD? C300 系列固態(tài)硬盤

創(chuàng)新固態(tài)技術(shù)

在設(shè)計(jì)上使用高速同步的MLC 閃存，并采用先進(jìn)的控制技術(shù)，優(yōu)化的閃存管理，以及新的SATA6Gb / s的接口，這些驅(qū)動(dòng)規(guī)格將提供您使用于要求嚴(yán)苛的應(yīng)用，及要求高數(shù)據(jù)傳輸?shù)念l寬，如音頻和視頻。

在專業(yè)設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)下，同時(shí)使用最先進(jìn)的閃存組件制作成超高性能的固態(tài)存儲(chǔ)硬盤。這些創(chuàng)新改變規(guī)則的存儲(chǔ)方式和提供突破性的速度，將改變您過(guò)往的體驗(yàn)。

更好的移動(dòng)儲(chǔ)存替代裝置

固態(tài)硬盤RealSSD C300意味著在產(chǎn)品的組成原件上，沒(méi)有任何一個(gè)可移動(dòng)原件在其產(chǎn)品上，它提供使用者有一個(gè)更安靜，更低的消耗功率，更持久的存儲(chǔ)解決方案能夠承受嚴(yán)酷的移動(dòng)計(jì)算。其標(biāo)準(zhǔn)電腦儲(chǔ)存接頭和尺寸使其成為易于替代傳統(tǒng)機(jī)械硬盤。

升級(jí)的優(yōu)勢(shì)

隨著電腦開(kāi)機(jī)時(shí)間和應(yīng)用程序加載時(shí)間上的改善，把電腦使用效率推升到更高的水平后，您將會(huì)體驗(yàn)到在處理日常生活中的各項(xiàng)事務(wù)時(shí)，如查看和編輯照片、視頻、音樂(lè)和其它媒體，游戲、通信中有著比過(guò)往更好的效率，并提升更佳的儲(chǔ)存能力及更高的安全性。

4.2、Intel 第三代固態(tài)硬盤SSD 320 系列

　　●第三代Intel固態(tài)硬盤Intel SSD 320 系列采用25 奈米（nm） NAND 閃存制程技術(shù)，提供40GB、80GB、120GB、160GB,以及更大容量的300GB 與600GB 版本。

　　●先進(jìn)架構(gòu)帶來(lái)堅(jiān)固可靠的SSD,加上各種強(qiáng)化的安全功能，支持桌上型/筆記型電腦或服務(wù)器數(shù)據(jù)中心的儲(chǔ)存應(yīng)用。

　　●藉由效能與可靠度的升級(jí)強(qiáng)化了高效能SSD 的產(chǎn)品陣容，售價(jià)較目前的Intel X25-M 便宜100 美元。

2011 年上半年- Intel發(fā)表第三代固態(tài)硬盤 Intel?Solid-State Drive （SSD） 320 系列 ,采用領(lǐng)先業(yè)界的25 奈米（nm） NAND 閃存制程技術(shù)，第三代Intel SSD 320 系列將取代Intel X25-M SATA SSD,并延續(xù)其高效能。新款I(lǐng)ntel SSD 320 系列帶來(lái)更高的效能與獨(dú)特設(shè)計(jì)的可靠度，不僅推出多款更高容量的版本，也發(fā)揮25 奈米制程技術(shù)的成本優(yōu)勢(shì)，讓售價(jià)較現(xiàn)有系列低三成。

新款 Intel SSD 320 系列帶來(lái)更高的效能與獨(dú)特設(shè)計(jì)的可靠度，不僅推出多款更高容量的版本，也發(fā)揮 25 奈米制程技術(shù)的成本優(yōu)勢(shì)，讓售價(jià)較現(xiàn)有系列低三成。

Intel非揮發(fā)性內(nèi)存 （Non-Volatile Memory,NVM） 解決方案事業(yè)群營(yíng)銷總監(jiān) Pete Hazen 表示：「Intel SSD 的設(shè)計(jì)融入新特性與可靠性，并發(fā)揮最新 25 奈米硅組件制程技術(shù)的特色，提供客戶成本優(yōu)勢(shì)。Intel第三代 SSD 加入強(qiáng)化的數(shù)據(jù)安全功能、電力耗損管理、以及創(chuàng)新的數(shù)據(jù)備援功能，再次推動(dòng) SSD 技術(shù)的發(fā)展。無(wú)論是想要升級(jí)硬盤的消費(fèi)者或企業(yè) IT 部門，或是希望在其資料中心布建 SSD 的企業(yè)，新款 Intel SSD 320 系列都將延續(xù)Intel的優(yōu)良信譽(yù)，在 SSD 的生命周期中提供卓越的質(zhì)量與可靠性?！箤I(yè)設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)下，同時(shí)使用最先進(jìn)的閃存組件制作成超高性能的固態(tài)存儲(chǔ)硬盤。這些創(chuàng)新改變規(guī)則的存儲(chǔ)方式和提供突破性的速度，將改變您過(guò)往的體驗(yàn)。更好的移動(dòng)儲(chǔ)存替代裝置

固態(tài)硬盤RealSSD C300意味著在產(chǎn)品的組成原件上，沒(méi)有任何一個(gè)可移動(dòng)原件在其產(chǎn)品上，它提供使用者有一個(gè)更安靜，更低的消耗功率，更持久的存儲(chǔ)解決方案能夠承受嚴(yán)酷的移動(dòng)計(jì)算。其標(biāo)準(zhǔn)電腦儲(chǔ)存接頭和尺寸使其成為易于替代傳統(tǒng)機(jī)械硬盤。 升級(jí)的優(yōu)勢(shì)

隨著電腦開(kāi)機(jī)時(shí)間和應(yīng)用程序加載時(shí)間上的改善，把電腦使用效率推升到更高的水平后，您將會(huì)體驗(yàn)到在處理日常生活中的各項(xiàng)事務(wù)時(shí)，如查看和編輯照片、視頻、音樂(lè)和其它媒體，游戲、通信中有著比過(guò)往更好的效率，并提升更佳的儲(chǔ)存能力及更高的安全性。

4.3、Micron 除提供標(biāo)準(zhǔn)DDR3, NAND Flash及消費(fèi)類企業(yè)用SSD等， 另推出創(chuàng)新的Flash Memory

Low Power DDR/LPDDR2:

Micron的 LPDDR 率先將最大時(shí)鐘速度提升至 200 MHz,從而實(shí)現(xiàn)了 400 Mb/s 的超快傳輸速度，目前的 LPDDR2-1066 零件將這一速度又向前推進(jìn)了一步，達(dá)到了 533 MHz.而且，LPDDR 采用低功耗的 1.2V I/O,這樣，您不必降低產(chǎn)品性能，也不會(huì)浪費(fèi)寶貴的電池使用時(shí)間。

DDR3 :

針對(duì) CPU 系統(tǒng)的新一代高性能解決方案，該產(chǎn)品向多個(gè)關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域發(fā)起性能極限挑戰(zhàn)，例如能耗、信號(hào)傳輸速度和帶寬等，將臺(tái)式機(jī)、筆記本和服務(wù)器計(jì)算系統(tǒng)的性能提高到一個(gè)全新的水平DDR3 支持從 1066 到 1600 MT/s 的數(shù)據(jù)傳輸速率，時(shí)鐘頻率分別為 533 到 800 MHz,從而將 DDR2 的傳輸速度有效提高了一倍。DDR3 采用 1.5V 標(biāo)準(zhǔn)供電電壓，相較 DDR2,其功耗最多可減少 30%.

為高性能筆記本帶來(lái)前所未有的低能耗 （1.35V DDR3）：

過(guò)去，每一個(gè)筆記型電腦設(shè)計(jì)人員都不得不面臨艱難的設(shè)計(jì)抉擇：是要低功耗還是要高性能？是要電池壽命還是計(jì)算量？現(xiàn)在，您無(wú)需再犧牲您的設(shè)計(jì)要求，新一代 1.35V DDR3具備標(biāo)準(zhǔn) DDR3 模塊 （1333 MT/s） 的所有性能，并且操作電壓僅為 1.35V,這比 1.5V 模塊節(jié)省了近 20% 的用電量。

產(chǎn)品規(guī)格：