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          基于單片機(jī)的LED顯示屏硬件設(shè)計(jì)方案

          作者: 時(shí)間:2012-03-06 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          否則將要發(fā)送的信息發(fā)送并清零發(fā)送結(jié)束標(biāo)記。這樣的發(fā)送程序, 其目的是將發(fā)送等待不限制在接口底層, 而是給上層一個(gè)決定是否等待發(fā)送結(jié)束的機(jī)會(huì)。

            u8 uart_put_c(u8 ch){

            if(! TI)return 1;

            TI = 0;SBUF = ch; return 0;

            }

          同樣, 接收程序也給上層一個(gè)選擇等待的機(jī)會(huì)。接收函數(shù)首先判斷接收FIFO 是否為空, 如果為空或輸入指針參數(shù)錯(cuò)誤, 則直接返回錯(cuò)誤, 否則才從FIFO 中讀取數(shù)據(jù)并將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到指針指向的地址, 然后返回成功。

            u8 uart_get_c(u8 *ch){

            u8 i;

            if(! ch)return 1;

            if((i = (uart_rd+1)0x0f) == uart_wr)return 1;

            uart_rd = i; *ch = uart_buf[i];return 0;

            }

          3.3 閃存接口

          閃存的存取有特殊的時(shí)序, 閃存的內(nèi)部結(jié)構(gòu)也和具體應(yīng)用要求有很大的不同。因此閃存的接口需要仔細(xì)

          K9F4008 閃存芯片的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)組織如圖2所示。

          K9F4008 閃存的存儲(chǔ)以塊為單位, 每個(gè)芯片共有128 塊。每塊有32 行, 每行有4 個(gè)幀, 每幀含有32 B.全部芯片為512 KB。

          閃存接口提供的閃存初始化函數(shù)中就包括對(duì)這樣情況的處理。初始化函數(shù)要從閃存的第一個(gè)塊中讀出一個(gè)塊映射表, 該表下標(biāo)是邏輯扇區(qū), 表內(nèi)每項(xiàng)存儲(chǔ)的是該邏輯扇區(qū)對(duì)應(yīng)的物理塊編號(hào)。初始化函數(shù)在必要時(shí)對(duì)閃存進(jìn)行讀寫(xiě)校驗(yàn), 然后將壞塊從表中刪除。再尋找新的良好塊, 將其編號(hào)填入到對(duì)應(yīng)邏輯扇區(qū)的表項(xiàng)中。這樣對(duì)應(yīng)用來(lái)說(shuō), 只見(jiàn)到連續(xù)的扇區(qū)編號(hào), 而不知道扇區(qū)究竟對(duì)應(yīng)到那個(gè)塊。

          閃存的接口頭文件Flash.h 如下:

            #ifndef _K9F4008_H_

            #define _K9F4008_H_

            void read_log_page(u8 sector,u8 page,u8 xdata *buf);

            u8 prog_log_page(u8 sector,u8 page,u8 xdata *buf);

            void erase_log_blk(u8 sector);

            bit flash_init(void);

            #endif

          實(shí)現(xiàn)閃存的接口, 首先就是依據(jù)說(shuō)明書(shū)的時(shí)序定義閃存的基本操作。這里是以宏定義實(shí)現(xiàn)基本操作的。

            #define W_CMD(cmd_)

            bCLE=1; bWE=0; P2=(cmd_); bWE=1; bCLE=0

            #define W_ADDR(addr1_,addr2_,addr3_)

            bALE=1; bWE=0; P2=(addr1_); bWE=1;

            bWE=0; P2=(addr2_); bWE=1;

            bWE=0; P2=(addr3_); bWE=1;

            bALE=0

            #define W_DAT(dat_) bWE=0; P2=(dat_); bWE=1

            #define wait_RB while(! bRB)

            #define l2p(x_) fat_tbl[(x_)]

            3.4 EEPROM

          內(nèi)部集成的EEPROM 是與程序空間分開(kāi)的, 利用ISP/IAP 技術(shù)可將內(nèi)部DATAFLASH 當(dāng)EEPROM,擦寫(xiě)次數(shù)10 萬(wàn)次以上。EEPROM 可分為若干個(gè)扇區(qū), 每個(gè)扇區(qū)包含512 B.使用時(shí), 建議同一次修改的數(shù)據(jù)放在同一個(gè)扇區(qū), 不是同一次修改的數(shù)據(jù)放在不同的扇區(qū), 不一定要用滿(mǎn)。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的擦除操作是按扇區(qū)進(jìn)行的。

            sfr IAP_DATA = 0xC2; //Flash data register

            sfr IAP_ADDRH = 0xC3; //Flash address HIGH

            sfr IAP_ADDRL = 0xC4; //Flash address LOW

            sfr IAP_CMD = 0xC5; //Flash command register

            sfr IAP_TRIG = 0xC6; //Flash command trigger

            sfr IAP_CONTR = 0xC7; //Flash control register

          根據(jù)使用說(shuō)明對(duì)EEPROM 的寄存器進(jìn)行定義。


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