金鹵燈電子鎮(zhèn)流器設(shè)計(jì)

　　原理：
　　UC3843 為電源專用芯片各腳工作原理如下：
　　8 腳 REF 5V 基準(zhǔn)電壓
　　7 腳 VCC
　　6 腳 PWM 輸出
　　5 腳 接地
　　4 腳 Rt.ct.振蕩且信號(hào)輸入
　　3 腳 內(nèi)部運(yùn)放輸入
　　2 腳 補(bǔ)償
　　1 腳 過(guò)流保護(hù) 1V 有效

　　建議：做中大功率時(shí)采用其它功率調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)，做50%占空比（固定）通過(guò)PFM 式調(diào)節(jié)輸出電流或者雙管正激式，這樣在做中大功率時(shí)效果會(huì)更好。

　　雙管正激式在大功率電源以及電子逆變焊機(jī)領(lǐng)域有著較多成功應(yīng)用。值得借鑒其調(diào)整方式安全可靠，輸出電壓會(huì)更低，特別是大電流可靠性對(duì)于大功率金鹵燈的低頻驅(qū)動(dòng)有著明顯優(yōu)勢(shì)。在BUCK 電路各調(diào)節(jié)中，原則上頻率越高時(shí)，峰值電流越小，但開(kāi)關(guān)損耗越大，所以建議頻率在30KH 左右，另電流輸入中的采樣電阻盡可能大些，太小在燈負(fù)載變化大時(shí)，會(huì)采樣失敗，功率失控，以致炸機(jī)。
　　L 的選擇在降壓式電路中的電感是儲(chǔ)能及平滑波形的作用，所以對(duì)磁材可以用鐵氧體磁芯和非晶磁環(huán)均可，感量可適當(dāng)加大。感量加大可使MOS 的開(kāi)關(guān)波形中的余振更小，更有利于MOS 的工作可減小MOS 的反向承受電壓，（示波器可以測(cè)試MOS 的源漏極）。器件選擇如上：（PFC 電路中的選取原則）

　　五、全橋輸出：
　　目前應(yīng)用較為廣泛為IR2110-IR2153，L6569+6569，UBA2030～UBA2033。在HID 全橋中以半橋的高壓吸收以及芯片排版等處理較為重要。例：在2153+2153.6569+6569 的主電路中，上管的自舉電壓中輸出信號(hào)的處理有幾點(diǎn)經(jīng)驗(yàn)：
　　1. 上管的供電電壓是由芯片Vcc 處12v 經(jīng)外部二極管或內(nèi)部二極管在下管導(dǎo)通時(shí)中線接地后，向VB 端充電。下管截上后，上管導(dǎo)通時(shí)，中線由對(duì)地OV 上拉到接近400v。此時(shí)，VB 端在中線上加11V（二極管減0.7v 后到電容上只有11v 左右）上管的驅(qū)動(dòng)能量均由此電容的充電電流驅(qū)動(dòng)，所以，電容的電壓決定上管工作狀態(tài)，如：容量較小在全橋驅(qū)動(dòng)中，由于頻率較低向電容的充電次數(shù)沒(méi)有高頻中的次數(shù)多，所以需相應(yīng)加大此處電容容量以保證上管的驅(qū)動(dòng)電壓，在向上管輸出1 時(shí)，在1 的后端電壓最好能高過(guò)9v。否則上管的MOS 開(kāi)關(guān)波形將會(huì)受損，開(kāi)關(guān)損耗加大，易損壞?？蓪⑿酒腣cc 提到15v可改善此項(xiàng)，但也要根據(jù)不同MOS 調(diào)試，結(jié)果不同。
　　2. 盡可能做到芯片的單點(diǎn)接功率管的地，此項(xiàng)對(duì)在驅(qū)動(dòng)MOS 的芯片輸出波形上較為重要，以減小外界對(duì)芯片工作時(shí)的干擾，Vb 電容，RT.CT 布線要短，Vcc 濾波電容要盡可能靠近1 和4 腳。
　　3. 在中線上接一只二極管并于VB 電容端正端以防半橋中線振蕩時(shí)帶來(lái)的正向尖脈沖會(huì)損壞芯片懸浮地VSS，也就是電路啟動(dòng)或者正常工作時(shí)（特別是在燈泡未進(jìn)入穩(wěn)態(tài)的過(guò)程中）輸出波形抖動(dòng)對(duì)半橋的正向尖脈沖易損壞芯片。
　　4. UBA2030-2033，這是飛利浦針對(duì)全橋驅(qū)動(dòng)專業(yè)設(shè)計(jì)的芯片有HV自供電功能比較先進(jìn)和簡(jiǎn)單的電路驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)。由HV 降壓濾波電容，RT.CT.VB 電容即可工作。如用簡(jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)，顯然，UBA2030 的絕大部分優(yōu)勢(shì)并未顯現(xiàn)。如減小低頻方波對(duì)于鎮(zhèn)流器以及電源沖擊，以及噪聲的處理，可用單片機(jī)生成PWM 波對(duì)UBA2030，以及全橋IR2110-+2153 實(shí)現(xiàn)接近正弦波的處理，即生成在純方波之前和之后加一高速PWM 的小方波，以平滑全橋方波的前極和后極形成過(guò)渡電壓波形即可，出現(xiàn)接近正弦波可有效減小，純方波帶來(lái)的低頻噪音及對(duì)鎮(zhèn)流器周邊輻射。
　　5. 全橋MOS 中二個(gè)半橋?qū)Φ仉娙菀约岸O管對(duì)尖峰吸收作用根據(jù)以往的經(jīng)驗(yàn)，不要太過(guò)依賴MOS 中的自代的二極管，要加強(qiáng)全橋中的Lc 吸收。
　　6. 高壓點(diǎn)火路線由于后極母線電壓會(huì)隨燈的擊穿而降至燈電壓，所以原則只要選擇的放電管的雪崩值高于燈管電壓而低于母線空載電壓即可。一般選取230v～350v 之間，有半導(dǎo)體DISC，空氣放電式，陶瓷放電式，可控硅觸發(fā)式，自耦式等多種結(jié)構(gòu)。目前以半導(dǎo)體式和自耦式居多。汽車(chē)的HID 以陶瓷放電為主。
　?、?半導(dǎo)體式 放電次數(shù)較多，壽命較長(zhǎng)。但放電能力有限，峰值電流不大,電壓精度較好。
　?、?空氣放電 式受空氣的濕度影響較大，對(duì)于放電電壓要求不高的高壓場(chǎng)合較為適用，可用于超高壓的快速啟動(dòng)的二級(jí)放電。
　?、?陶瓷管 來(lái)源于防雷管領(lǐng)域，優(yōu)點(diǎn)順態(tài)電流可上千A，壽命不長(zhǎng)，有效壽命在5 萬(wàn)-10 萬(wàn)次左右，（視不同廠家效果不同，最好的是西門(mén)子），壽命末期電壓值漂離較大。
　?、?可控硅式 早期由于DISC 的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的不成熟而做的替代電路，由DB3 的分壓決定可控硅的放電電壓，壽命較長(zhǎng)，但電流能量較小，開(kāi)關(guān)速度較慢，對(duì)于高壓鈉燈較為適用，對(duì)于金鹵燈對(duì)脈沖寬度有要求的場(chǎng)合不太適用，可改良結(jié)構(gòu)但成本較高放棄。
　?、?自耦式 將全橋的電線并聯(lián)一104-474 電容.在電容中串入變壓器的初級(jí),全橋振蕩時(shí),電容二端電壓突變充放電流流過(guò)變壓器初級(jí)時(shí),會(huì)在次級(jí)形成高壓輸出，升壓能力由 MOS 的內(nèi)阻以及電容的內(nèi)阻決定，電流大小由電容容量決定,但電容越大,充放電電流越大,對(duì)全橋造成的負(fù)擔(dān)越重,不利于長(zhǎng)期燈工作，越小容量放電電流越弱,對(duì)長(zhǎng)線點(diǎn)火不利,同一負(fù)載用自耦式104 和DISC 式全橋有10 度左右溫差。(150Hz 70w)