高壓LED基本結(jié)構(gòu)及關(guān)鍵技術(shù)分解

最近幾年由于技術(shù)及效率的進(jìn)步，LED的應(yīng)用越來越廣；隨著LED應(yīng)用的升級(jí)，市場對(duì)于LED的需求，也朝更大功率及更高亮度，也就是通稱的高功率LED方向發(fā)展。

　　對(duì)于高功率LED的設(shè)計(jì)，目前各大廠多以大尺寸單顆低壓DC LED為主，做法有二，一為傳統(tǒng)水平結(jié)構(gòu)，另一則為垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。就第一種做法而言，其u程和一般小尺寸晶粒幾乎相同，換句話說，兩者的剖面結(jié)構(gòu)是一樣的，但有別于小尺寸晶粒，高功率LED常常需要操作在大電流之下，一點(diǎn)點(diǎn)不平衡的P、N電極設(shè)計(jì)，都會(huì)導(dǎo)致嚴(yán)重的電流叢聚效應(yīng)(Current crowding)，其結(jié)果除了使得LED晶片達(dá)不到設(shè)計(jì)所需的亮度外，也會(huì)損害晶片的可靠度(Reliability)。

　　當(dāng)然，對(duì)上游晶片u造者／晶片廠而言，此作法u程相容性(Compatibility)高，無需再添購新式或特殊機(jī)臺(tái)，另一方面，對(duì)于下游系統(tǒng)廠而言，L邊的搭配，如電源方面的設(shè)計(jì)等等，差異并不大。但如前所述，在大尺寸LED上要將電流均勻擴(kuò)散并不是件容易的事，尺寸愈大愈困難；同時(shí)，由于幾何效應(yīng)的關(guān)S，大尺寸LED的光萃取效率往往較小尺寸的低。

圖：低壓二極體、交流二極體及高壓二極體驅(qū)動(dòng)方式的差異。

　　第2種做法較第1種復(fù)雜許多，由于目前商品化的藍(lán)光LED幾乎都是成長于藍(lán)寶石基板之上，要改為垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，必須先和導(dǎo)電性基板做接合之后，再將不導(dǎo)電的藍(lán)寶石基板予以移除，之后再完成后續(xù)u程；就電流分布而言，由于在垂直結(jié)構(gòu)中，較不需要考慮橫向傳導(dǎo)，因此電流均勻度較傳統(tǒng)水式峁刮佳；除此之外，就基本的物理塬理而言，導(dǎo)電性良好的物質(zhì)也具有高導(dǎo)熱的特質(zhì)，藉由置換基板，我們同時(shí)也改善了散熱，降低了接面溫度，如此一來便間接提高了發(fā)光效率。但此種做法最大的缺點(diǎn)在于，由于u程復(fù)雜度提高，導(dǎo)致良率較傳統(tǒng)水平結(jié)構(gòu)低，u作成本高出不少。

　　高壓發(fā)光二極體(HV LED)基本結(jié)構(gòu)及關(guān)鍵技術(shù)

晶元光電于全球率先提出了高壓發(fā)光二極體(HV LED)作為高功率LED的解決方案；其基本架構(gòu)和AC LED相同，乃是將晶片面積分割成多個(gè)cell之后串聯(lián)而成。其特色在于，晶片能夠依照不同輸入之電壓的需求而決定其cell數(shù)量與大小等，等同于做到客u化的服務(wù)。由于可以針對(duì)每顆cell加以優(yōu)化，因此能夠得到較佳的電流分布，進(jìn)而提高發(fā)光效率。

　　高壓發(fā)光二極體和一般低壓二極體在技術(shù)上最主要的差異有叁，第一為溝槽(Trench)。溝槽的目的在于將復(fù)數(shù)顆的晶胞獨(dú)立開來，因此其溝槽下方需要達(dá)到絕緣的基板，其深度依不同的外延結(jié)構(gòu)而異，一般約在4~8um，溝槽寬度方面則無一定的限制，但是溝槽太寬代表著有效發(fā)光區(qū)域的減少，將影響HV LED的發(fā)光效率表現(xiàn)，因此需要開發(fā)高深寬比的u程技術(shù)，縮小u程線寬以增加發(fā)光效率。