高功率LED的封裝基板的種類

　　封裝基板業(yè)者積極開發(fā)可撓曲基板

　　可撓曲基板的主要用途大多集中在布線用基板，以往高功率晶體管與IC等高發(fā)熱元件幾乎不使用可撓曲基板，最近幾年液晶顯示器為滿足高輝度化需求，強(qiáng)烈要求可撓曲基板可以高密度設(shè)置高功率LED，然而LED的發(fā)熱造成LED使用壽命降低，卻成為非常棘手的技術(shù)課題，雖然利用鋁板質(zhì)補(bǔ)強(qiáng)板可以提高散熱性，不過卻有成本與組裝性的限制，無法根本解決問題。

　　高熱傳導(dǎo)撓曲基板在絕緣層黏貼金屬箔，雖然基本結(jié)構(gòu)則與傳統(tǒng)撓曲基板完全相同，不過絕緣層采用軟質(zhì)環(huán)氧樹脂充填高熱傳導(dǎo)性無機(jī)填充物的材料，具有與硬質(zhì)金屬系封裝基板同等級(jí)8W/mK的熱傳導(dǎo)性，同時(shí)兼具柔軟可撓曲、高熱傳導(dǎo)特性與高可靠性。此外可撓曲基板還可以依照客戶需求，將單面單層面板設(shè)計(jì)成單面雙層、雙面雙層結(jié)構(gòu)。

　　高熱傳導(dǎo)撓曲基板的主要特征是可以設(shè)置高發(fā)熱元件，并作三次元組裝，亦即可以發(fā)揮自由彎曲特性，進(jìn)而獲得高組裝空間利用率。

　　根據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示使用高熱傳導(dǎo)撓曲基板時(shí)，LED的溫度約降低100C，此意味溫度造成LED使用壽命的降低可望獲得改善。事實(shí)上除了高功率LED之外，高熱傳導(dǎo)撓曲基板還可以設(shè)置其它高功率半導(dǎo)體元件，適用于局促空間或是高密度封裝等要求高散熱等領(lǐng)域。

　　有關(guān)類似照明用LED模塊的散熱特性，單靠封裝基板往往無法滿足實(shí)際需求，因此基板周邊材料的配合變得非常重要，例如配合3W/mK的熱傳導(dǎo)性膜片，可以有效提高LED模塊的散熱性與組裝作業(yè)性。

　　圖說：透過鋁質(zhì)基板薄板化后，達(dá)到可撓曲的特性，且能具有高熱傳導(dǎo)特性。

　　陶瓷封裝基板對(duì)熱歪斜非常有利

　　如上所述白光LED的發(fā)熱隨著投入電力強(qiáng)度的增加持續(xù)上升，LED芯片的溫升會(huì)造成光輸出降低，因此LED封裝結(jié)構(gòu)與使用材料的檢討非常重要。以往LED使用低熱傳導(dǎo)率樹脂封裝，被視為影響散熱特性的原因之一，因此最近幾年逐漸改用高熱傳導(dǎo)陶瓷，或是設(shè)有金屬板的樹脂封裝結(jié)構(gòu)。LED芯片高功率化常用方式分別包括了：LED芯片大型化、改善LED芯片發(fā)光效率、采用高取光效率封裝，以及大電流化等等。

　　雖然提高電流發(fā)光量會(huì)呈比例增加，不過LED芯片的發(fā)熱量也會(huì)隨著上升。因?yàn)樵诟咻斎腩I(lǐng)域放射照度呈現(xiàn)飽和與衰減現(xiàn)象，這種現(xiàn)象主要是LED芯片發(fā)熱所造成，因此LED芯片高功率化時(shí)，首先必須解決散熱問題。

　　LED的封裝除了保護(hù)內(nèi)部LED芯片之外，還兼具LED芯片與外部作電氣連接、散熱等功能。LED封裝要求LED芯片產(chǎn)生的光線可以高效率取至外部，因此封裝必須具備高強(qiáng)度、高絕緣性、高熱傳導(dǎo)性與高反射性，令人感到意外的是陶瓷幾乎網(wǎng)羅上述所有特性，此外陶瓷耐熱性與耐光線劣化性也比樹脂優(yōu)秀。

　　傳統(tǒng)高散熱封裝是將LED芯片設(shè)置在金屬基板上周圍再包覆樹脂，然而這種封裝方式的金屬熱膨脹系數(shù)與LED芯片差異相當(dāng)大，當(dāng)溫度變化非常大或是封裝作業(yè)不當(dāng)時(shí)極易產(chǎn)生熱歪斜，進(jìn)而引發(fā)芯片瑕疵或是發(fā)光效率降低。

　　未來LED芯片面臨大型化發(fā)展時(shí)，熱歪斜問題勢(shì)必變成無法忽視的困擾，針對(duì)上述問題，具備接近LED芯片的熱膨脹系數(shù)的陶瓷，可說是對(duì)熱歪斜對(duì)策非常有利的材料。

　　高功率加速陶汰樹脂材料

　　LED封裝用陶瓷材料分成氧化鋁與氮化鋁，氧化鋁的熱傳導(dǎo)率是環(huán)氧樹脂的55倍，氮化鋁則是環(huán)氧樹脂的400倍，因此目前高功率LED封裝用基板大多使用熱傳導(dǎo)率為200W/mK的鋁，或是熱傳導(dǎo)率為400W/mK的銅質(zhì)金屬封裝基板。

　　半導(dǎo)體IC芯片的接合劑分別使用環(huán)氧系接合劑、玻璃、焊錫、金共晶合金等材料。LED芯片用接合劑除了上述高熱傳導(dǎo)性之外，基于接合時(shí)降低熱應(yīng)力等觀點(diǎn)，還要求低溫接合與低楊氏系數(shù)等等，而符合這些條件的接合劑分別是環(huán)氧系接合劑充填銀的環(huán)氧樹脂，與金共晶合金系的Au-20%Sn。

　　接合劑的包覆面積與LED芯片的面積幾乎相同，因此無法期待水平方向的熱擴(kuò)散，只能寄望于垂直方向的高熱傳導(dǎo)性。根據(jù)模擬分析結(jié)果顯示LED接合部的溫差，熱傳導(dǎo)性非常優(yōu)秀的Au-Sn比低散熱性銀充填環(huán)氧樹脂接合劑更優(yōu)秀。

　　LED封裝基板的散熱設(shè)計(jì)，大致分成LED芯片至框體的熱傳導(dǎo)、框體至外部的熱傳達(dá)兩大方面。

　　熱傳導(dǎo)的改善幾乎完全仰賴材料的進(jìn)化，一般認(rèn)為隨著LED芯片大型化、大電流化、高功率化的發(fā)展，未來會(huì)加速金屬與陶瓷封裝取代傳統(tǒng)樹脂封裝方式，此外LED芯片接合部是妨害散熱的原因之一，因此薄接合技術(shù)成為今后改善的課題。

　　提高LED高熱排放至外部的熱傳達(dá)特性，以往大多使用冷卻風(fēng)扇與熱交換器，由于噪音與設(shè)置空間等諸多限制，實(shí)際上包含消費(fèi)者、照明燈具廠商在內(nèi)，都不希望使用上述強(qiáng)制性散熱元件，這意味著非強(qiáng)制散熱設(shè)計(jì)必須大幅增加框體與外部接觸的面積，同時(shí)提高封裝基板與框體的散熱性。

　　具體對(duì)策如：高熱傳導(dǎo)銅層表面涂布利用遠(yuǎn)紅外線促進(jìn)熱放射的撓曲散熱薄膜等，根據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果證實(shí)使用該撓曲散熱薄膜的發(fā)熱體散熱效果，幾乎與面積接近散熱薄膜的冷卻風(fēng)扇相同，如果將撓曲散熱薄膜黏貼在封裝基板、框體，或是將涂抹層直接涂布在封裝基板、框體，理論上還可以提高散熱性。

　　有關(guān)高功率LED的封裝結(jié)構(gòu)，要求能夠支持LED芯片磊晶接合的微細(xì)布線技術(shù);有關(guān)材質(zhì)的發(fā)展，雖然氮化鋁已經(jīng)高熱傳導(dǎo)化，但高熱傳導(dǎo)與反射率的互動(dòng)關(guān)系卻成為另1個(gè)棘手問題，一般認(rèn)為未來若能提高氮化鋁的熱傳導(dǎo)率，對(duì)高功率LED的封裝材料具有正面助益。