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          發(fā)光LED液冷方案在汽車行業(yè)的應(yīng)用

          作者: 時間:2010-08-03 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          隨著GaN(氮化鎵) 半導(dǎo)體材料技術(shù)的發(fā)展,高亮度白光在近幾年發(fā)展迅猛且在許多新的照明領(lǐng)域有很大的前景,如在室外照明、工作和裝飾用燈以及飛機和汽車照明燈等方面。此文主要闡述主動液冷措施在汽車前照燈采用燈的??諝饫鋮s和被動液冷方式經(jīng)嘗試后由于不達標被排除,故主動液冷方式被采用。此文中對幾種主動液冷系統(tǒng)進行了分析以及通過進行優(yōu)化方面的研究找到了散熱管理的最優(yōu)。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/169248.htm

            1.介紹

            相對于白熾燈光源,的封裝尺寸小,形式多樣以及優(yōu)異的性能近來廣泛在汽車外燈上,如白光LED用于汽車前照燈的應(yīng)用開始被重視。盡管LED燈以其優(yōu)良的性能使其在汽車前照燈越來越有發(fā)展前景,但使其真正達到能應(yīng)用在汽車前照燈的白光LED水平還處在起步階段。目前,應(yīng)用LED在汽車前照燈只是在一些概念車上,還沒有推廣普及到民用汽車領(lǐng)域。

            目前LED燈應(yīng)用在車輛領(lǐng)域中存在光度不夠,高成本等有待解決的問題。條文規(guī)定車輛前燈亮度要求每個燈需達到750lm, 而目前高亮LED等一般平均輸出僅40lm/W,故需更多數(shù)量的LED和更高的供電功率使其滿足上述標準。

            隨著對光通量輸出要求越來越高,LED的供電功率也會持續(xù)增加。LED封裝的散熱管理在車輛應(yīng)用方面越來越需要關(guān)注,因為其散熱的好壞會嚴重影響LED的效率,性能及可靠性等方面。

            如果二極管結(jié)溫過高,就會降低LED效率而且發(fā)射波長會發(fā)生偏移。因此LED工作溫度必須在其最大容許工作溫度(125℃)以下,才能使其效率最佳顏色偏差不大。所以散熱措施采用必須是全方位,全階段的――從單個器件,封裝級,板級到系統(tǒng)級的熱分析。裸芯片(die) LED已經(jīng)進行商業(yè)方面的熱分析應(yīng)用。熱分析模擬借助CFD(計算流體力學)方法對此類LED各個階段進行全方位的熱分析進而找出較合適的散熱。本文利用CFD軟件FloTHERM進行散熱優(yōu)化措施設(shè)計的研究。

            2. 主動式液冷方法的選擇

            2.1 從器件到板級

            以Cree XBright900型的LED為例。此LED是一個900*900 微米大小的芯片作為商用的裸芯片(die)提供。此LED在2.5nm 空間內(nèi)產(chǎn)生460-470nm的波長,顏色為藍色。需要對每個LED散出的2.7W熱量進行散熱控制。此LED系統(tǒng)是由15個小LED以每3顆分布在5個電路板子上構(gòu)成的。

            為了簡化安裝過程,把每顆LED進行單獨封裝。進而使LED需要通過一層磷光質(zhì)使GaN(氮化鎵)基LED把藍光轉(zhuǎn)化為白光(可見光)發(fā)射出去。產(chǎn)生的熱量直接通過器件耗散到封裝外殼上。故高導(dǎo)熱率的陶瓷片需要選擇以提供較小的熱阻路徑和較好的電絕緣性。AIN陶瓷材料(K=200W/mK)非常適合作為大功率下熱耗散的良導(dǎo)體。LED到AIN陶瓷封裝底部之間的熱阻計算值小于2℃/W。

          絕緣金屬基本組件
          圖1 絕緣金屬基本組件(IMS)(a)AIN材料封裝用金線連接LED,
          (b)回路層,(c)介電層,(d)鋁基板

            AIN陶瓷封裝安裝在一塊絕緣金屬基板上(IMS)(圖1)。IMS基板提供熱擴散和熱沉提供良好的熱通路進而大大簡化了此系統(tǒng)的設(shè)計。IMS由三層組成:銅箔回路層、薄的電介層以及鋁基板。

            幾種材料構(gòu)成介質(zhì)層和IMS的三層不同厚度組合的結(jié)構(gòu)進行熱分析方面比較發(fā)現(xiàn),最優(yōu)的板子應(yīng)該是較厚的回路層以較快速率傳遞熱量加上一層很薄的且導(dǎo)熱率很高的介質(zhì)層以減少其熱阻,這些層的厚度由IMS制作工藝來決定。此文所選的IMS結(jié)構(gòu)具體如下表所示:70μm銅層,75μm介電層導(dǎo)熱率為2.2W/mK和1mm厚的鋁基板。

          表1.IMS板結(jié)構(gòu)和模型中的材料

          IMS板結(jié)構(gòu)和模型中的材料


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