基于C8051F3xx的全數(shù)字PFC可控硅調(diào)光驅(qū)動高亮LED解決方案
4.2 可控硅原理及特性 本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/169423.htm
可控硅的原理及特性:標準的雙向可控硅既可被柵極的正向電流觸發(fā),也能被柵極的反向電流觸發(fā),它可以在四個象限內(nèi)導通。當柵極電壓達到門限值VGT且柵電流達到門限值IGT時,可控硅被觸發(fā)導通。當觸發(fā)電流的脈寬較窄時,則應提高觸發(fā)電平。當負載電流超過可控硅的閂電流IL時,即使此時的柵電流減為零,可控硅仍能維持導通狀態(tài)。在負載電流為零時,最好用反相的直流或單極性脈沖的(柵極)電流觸發(fā)。
可控硅相控斬波原理如圖3所示:在正弦波交流過零后的某一相位,在可控硅的柵極上加一正觸發(fā)脈沖,使可控硅觸發(fā)導能,根據(jù)可控硅的開關(guān)特性,這一導通將維持到正弦波的正半周結(jié)束。所以在正弦波的正半周中,范圍內(nèi)可控硅不導通,這一范圍叫做可控硅的控制角;而在的相位區(qū)間可控硅導通,這一范圍為可控硅的導通角,常用表示。同樣,在正弦交流電的負半周,對處于反向聯(lián)接的另一只可控硅,在相位角 時施加觸發(fā)脈沖,使其導通。如此周而復始,對正弦波的每一半周期控制其導通,獲得相同的導通角。如果改變觸發(fā)脈沖的觸發(fā)相位,即改變可控硅導通角(或控制角)的大小。
4.3 可控硅調(diào)光的難點以及我們的應對策略
目前可控硅調(diào)光的難點有:例如導通角檢測不準、調(diào)光不夠快速以及穩(wěn)定、低壓無法啟動、功率因數(shù)低、功率因數(shù)不穩(wěn)定等問題。
我們的應對策略是:采用軟硬件給合的方法進行導通角的檢測,可以精確的檢測導通角,導通角的誤差可以達到0.5%以內(nèi);利用快速的PWM更新速度和精度,可以使輸入與輸出很好地對應,達到調(diào)光快速性以及精確性即穩(wěn)定性;穩(wěn)定可靠的輔助電源設(shè)計可以使系統(tǒng)在導通角為最小的時候直接起動;功率因數(shù)穩(wěn)定問題通過優(yōu)化設(shè)計軟件來達到,且功率因數(shù)高。
5、 方案實現(xiàn)
5.1 硬件描述
圖4 原理框圖
本方案的原理框圖如圖4所示:首先利用可控硅對220V交流輸入進行斬波,再經(jīng)過EMI濾波器、整流橋后,輸入電壓經(jīng)分壓后輸入到MCU。通過控制MOSFET的占空比來控制變壓器的輸出,即輸出電壓的大小和LED電流的大小。利用光耦對LED的電壓和電流進行隔離采樣,MCU通過檢測到導通角、輸入電壓、輸入電流和LED電壓、電流的采樣反饋信號共同進行調(diào)整MOSFET的占空比,從而達到LED燈的無級調(diào)光。電路結(jié)構(gòu)拓撲框圖如圖5所示。
圖5 電路結(jié)構(gòu)
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