Freescale HCS12系列MCU的通用編程器設(shè)計(jì)
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3．3 打開和分析S19操作
執(zhí)行該操作，首先按行讀入打開的S1 9文件，并將S19數(shù)據(jù)保存到字符串?dāng)?shù)組中，每讀入一行同時(shí)驗(yàn)證該行的校驗(yàn)和，數(shù)組中一個(gè)單元就是S19一行的數(shù)據(jù)。然后對數(shù)據(jù)以頁為單位進(jìn)行重新組合，并重新保存到新的字符串?dāng)?shù)組中，釋放先前的數(shù)組空間。
3．4 寫入操作
PC方寫入操作程序流程如圖5所示。在取得寫入命令后，程序首先取一頁數(shù)據(jù)，將數(shù)據(jù)寫入RAM區(qū)相應(yīng)區(qū)域，接著判斷寫入程序是否已經(jīng)寫入RAM區(qū)中，若沒有則再將對應(yīng)芯片的寫入程序?qū)懭隦AM區(qū)。然后執(zhí)行GOPC指令轉(zhuǎn)向目標(biāo)芯片寫入程序所在RAM區(qū)中的地址處，開始執(zhí)行寫入。寫入程序則進(jìn)入等待寫入完成狀態(tài)，如果等待超時(shí)則中途退出；否則，若一頁寫入完成，則接著進(jìn)行下一頁的寫入操作，直到最后一頁。本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/170529.htm
4 MCU方擦寫程序設(shè)計(jì)
MCU方的擦寫程序用于完成對目標(biāo)芯片F(xiàn)lash的擦除和寫入操作。由于在Flash的擦除和寫入過程中，F(xiàn)lash是不能讀的，故擦除和寫入Flash的程序要放在RAM中，也就是說，在Flash的擦除和寫入前，要把擦除或?qū)懭氲目蓤?zhí)行代碼復(fù)制到RAM中去，并讓程序在RAM中執(zhí)行，這一部分操作是由PC方程序完成的。
Flash的擦除和寫入操作應(yīng)按以下步驟進(jìn)行：
①清除Flash狀態(tài)寄存器FSTAT中的出錯(cuò)標(biāo)志位ACCERR和PVIOL，這是由于如果過去的Flash操作中如果有過出錯(cuò)的情況，上面提到的出錯(cuò)標(biāo)志位將被鎖存。與其檢查這些標(biāo)志位是否需要清零，不如清零這兩個(gè)標(biāo)志。方法是向狀態(tài)寄存器FSTAT的這兩位寫零。
②寫Flash配置寄存器FCNFG的b1和b0。以MC9S12DP256為例，這兩位表示選擇256 KB的Flash中的哪一個(gè)64 KB。這里0x00表示PPAGE號為0x3F、0x3E、0x3D、0x3C這64KB，0x01表示PPAGE號為0x3B、0x3A、0x39、0x38這64 KB，0x02表示PPAGE號為0x37、0x36、0x35、0x34這64 KB，0x03表示PPAGE號為0x33、0x32、0x31、0x30這64 KB。
③寫PPAGE寄存器。
④檢查上一次Flash處理的命令是否執(zhí)行完成，能否寫入新的命令。這是通過Flash狀態(tài)寄存器FSTAT中的命令緩沖區(qū)的標(biāo)志位CBEIF是否為1，即命令緩沖區(qū)是否可以使用來實(shí)現(xiàn)的。若不能使用，則等待，直到可以使用。
⑤將要寫入的數(shù)據(jù)字寫到相應(yīng)的地址中，地址必須為偶數(shù)地址。對于擦除操作，則被擦除段的任意地址都可以。
⑥向FCMD命令寄存器寫命令字0x41表示整體擦除，0x20表示單字節(jié)寫入。
⑦向Flash狀態(tài)寄存器FSTAT中的命令緩沖區(qū)的標(biāo)志位CBEIF寫1清零。這時(shí)狀態(tài)寄存器中的CCIF位將置位，說明操作成功。
結(jié)語
利用MC68HC908JB8作為主控芯片，通過USB與PC方交互通信，以BDM方式與目標(biāo)芯片進(jìn)行通信，實(shí)現(xiàn)了一種用于Freescale HCS12系列MCU的通用編程器。系統(tǒng)選用MC68HC908JB8 MCU進(jìn)行設(shè)計(jì)，不僅是因?yàn)檫@款芯片性價(jià)比高，而且在于其USB模塊使操作更加方便和可靠，本文所提出的16位通用編程器工作可靠，成本低。讀者可以以本系統(tǒng)為藍(lán)本，設(shè)計(jì)自己的應(yīng)用于其他系列芯片的編程器，應(yīng)用到支持BDM標(biāo)準(zhǔn)的其他系列微控制器中。
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