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          IR推出多用途80V MOSFET

          作者:電子設計應用 時間:2003-02-19 來源:電子設計應用 收藏
          功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱) 推出F1312 型HEXFET功率MOSFET,額定電壓達80V,可用作隔離式直流-直流轉(zhuǎn)換器中的原邊和付邊MOSFET,專攻網(wǎng)絡通信及數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)領域。

          作為原邊MOSFET時,F1312能用于高達60V最大輸入電壓,因此最適用于36V至60V及48V穩(wěn)壓輸入母線隔離式直流-直流轉(zhuǎn)換器應用中的半橋或全橋結構。與同類75V MOSFET相比,其80V額定電壓提供額外6% 的防護帶,使設計更加堅固耐用。

          IR中國及香港銷售總監(jiān)嚴國富先生表示:“很多用于原邊應用的設計需要器件額定值降低至75%?,F(xiàn)有的額定電壓75V MOSFET在此要求下,只能支持輸入電壓最大為56V的系統(tǒng)。全新IRF1312 80V MOSFET可實現(xiàn)高達60V應用時的減額要求,因此能為36V至60V總線應用確保高可靠性,迎合電信及數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)的要求?!?/P>

          作為付邊MOSFET時,IRF1312能在12V應用中提供比標準75V MOSFET高出0.4% 的效率,可用于最大輸出電壓達15V的付邊電路。

          全新MOSFET的柵電荷極低,可降低開關損耗。通態(tài)電阻也較低,能將傳導損耗降至最低。該器件設有TO-220AB、D2Pak及TO-262封裝。

          全新IRF1312、IRF1312S及IRF1312L器件現(xiàn)已投入供應,基本規(guī)格下:

          產(chǎn)品型號 IRF1312 IRF1312S IRF1312L

          封裝 TO-220ABD2PakTO-262

          VDSS 80V

          10Vgs下最大通態(tài)電阻RDSon 10mOhm

          典型Qg值 93nC

          典型Qgd值 34nC




          關鍵詞: IR

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