基于TOP243Y的單片反激開關(guān)電源設(shè)計(jì)
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3．5 次級繞組匝數(shù)NS的計(jì)算
本文選用TOP243YN作為開關(guān)電源的主芯片，對TOPSwitch器件來說：
NS=0．6(VO+VD) (7)
式(7)中VO為輸出電壓，VD為輸出二極管正向壓降。本設(shè)計(jì)5 V輸出二極管采用超快恢復(fù)肖特基二極管，因此：NS≈3．4取整數(shù)，次級繞組NS為4匝。
3．6 初級繞組匝數(shù)NP的計(jì)算
±12 V次級繞組的電壓：VS1=VO+VD+VL=12．9 V。故可得：n≈0．117 2，則兩個(gè)次級匝數(shù)計(jì)算為：NS1(2)≈9．05，取整數(shù)后，+12V次級繞組均取為9匝。
3．9 確定初級導(dǎo)線的內(nèi)徑
根據(jù)初級層數(shù)d、骨架寬度b和安全邊距M，利用式(11)計(jì)算有效骨架寬度bE：
bE=d(b-2M) (11)
本設(shè)計(jì)中取d=3，b=9.6mm，M=0代入式(11)：bE=28．8mm。
利用式(12)計(jì)算導(dǎo)線的外徑：
得到：DPM≈0．36mm，由AWG的導(dǎo)線規(guī)格表查得，與直徑0．36mm最接近線號是28AWG。
3．10 確定次級導(dǎo)線的內(nèi)徑
次級裸導(dǎo)線直徑可用式(13)表示：
其中，根據(jù)文獻(xiàn)可得電流密度為式(14)：
代入電流密度和次級有效值電流的值，可得到次級導(dǎo)線線徑為：DSM≈0．98 mm。
當(dāng)DSM>0.4mm時(shí)，建議應(yīng)采用多股導(dǎo)線并繞NS匝，由AWG的導(dǎo)線規(guī)格表可得選用25AWG。與單股粗導(dǎo)線繞制方法相比，多股并繞能增大次級繞組的等效截面積，改善磁場耦合程度，減小漏感。
3．11 變壓器氣隙的計(jì)算
對于單端度激式變壓器的磁芯，為了避免磁芯飽和，減小變壓器的高頻磁芯損耗及發(fā)熱問題，應(yīng)該在磁回路中加入一個(gè)適當(dāng)?shù)臍庀?sigma;。
4 無源RCD鉗位電路的參數(shù)設(shè)計(jì)
在MOSFET管漏極增加鉗位保護(hù)電路，對尖峰電壓進(jìn)行鉗位或者吸收，防止開關(guān)管損壞，如圖1所示。本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/170642.htm
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