DSP片外高速海置SDRAM存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)

REFR命令，使計(jì)數(shù)器的值減為0，再繼續(xù)完成余下的存取操作。

2.2 SDRAM的初始化    

當(dāng)某個(gè)CE空間配置為SDRAM空間后，必須首先進(jìn)行初始化。用戶不需要控制初始化的每一個(gè)步驟，只需要向EMIF SDCTL寄存器的INIT位寫(xiě)1，申請(qǐng)對(duì)SDRAM作初始化。然后，EMIF就會(huì)自動(dòng)完成所需要的各步操作。初始化操作不能在進(jìn)行SDRAM存取過(guò)程中進(jìn)行。整個(gè)初始化過(guò)程包括下面幾個(gè)步驟：    

①對(duì)所有的SDRAM空間發(fā)出DCAB命令；    
②執(zhí)行3個(gè)REFR命令；    
③對(duì)所有的SDRAM空間發(fā)出MRS命令。

2.3頁(yè)面邊界控制    

SDRAM屬于分頁(yè)存儲(chǔ)器，EMIF的SDRAM控制器會(huì)監(jiān)測(cè)訪問(wèn)SDRAM時(shí)行地址的情況，避免訪問(wèn)時(shí)發(fā)生行越界。為了完成這一任務(wù)，EMIF在內(nèi)部有四個(gè)頁(yè)面寄存器，自動(dòng)保存當(dāng)前打開(kāi)的行地址，然后與后續(xù)存取訪問(wèn)的地址進(jìn)行比較。需要說(shuō)明的是，當(dāng)前存取操作結(jié)束并不會(huì)引起SDRAM中已經(jīng)激活的行被立即關(guān)閉，EMIF的控制原則是維持當(dāng)前的打開(kāi)狀態(tài)，除非必須關(guān)閉。這樣做的好處是可以減少關(guān)閉／重新打開(kāi)之間的命令切換時(shí)間，使接口在存儲(chǔ)器訪問(wèn)的控制過(guò)程中充分利用地址信息。    

對(duì)于C620X，每個(gè)CE空間包含1個(gè)頁(yè)面寄存器(只對(duì)配置為SDRAM空間有效)，因此C620X每個(gè)CE空間1次只能激活1頁(yè)。進(jìn)行比較的地址位數(shù)取決于SDCTL寄存器中SDWID位的值。如果SDWID=O，該CE空間構(gòu)成頁(yè)面的大小為512，比較的邏輯地址是位23～11；如果SDWID=1，該CE空間SDRAM構(gòu)成頁(yè)面的大小為256，比較的邏輯地址是位23～10。一旦發(fā)現(xiàn)存取訪問(wèn)發(fā)生了頁(yè)面越界，EMIF會(huì)自動(dòng)執(zhí)行DCAB操作，然后再開(kāi)始新的行訪問(wèn)。

2．4訪問(wèn)地址的移位    

由于SDRAM行邏輯地址與列邏輯地址復(fù)用相同的EMIF 引腳，所以EMIF接口需要對(duì)行地址與列地址進(jìn)行相應(yīng)的移位處理。地址的移位處理由SDCRL寄存器中的SDWlD位控制。    另外，對(duì)于SDRAM，因?yàn)檩斎氲刂芬彩强刂菩盘?hào)，因此需要說(shuō)明以下幾點(diǎn)：    

①RAS有效期間的高位地址信號(hào)會(huì)被EMIF內(nèi)部SDRAM控制器鎖存，以保證執(zhí)行READ和WRT命令時(shí)選通正確的bank；

②READ／WRT操作期間，EMIF會(huì)保持pre-charge信號(hào)為低(C620X是SDAl0)，以防止READ／WRT命令執(zhí)行后發(fā)生auto pre—charge操作。

2.5接口時(shí)序的設(shè)計(jì)    

對(duì)于C620X，EMIF與SDRAM的接口時(shí)序由SDCTL寄存器控制。EMIF提供了5個(gè)時(shí)序參數(shù)，其中3個(gè)在SDCTL寄存器中設(shè)置，另外2個(gè)為固定值，如表3所列。在分析接口時(shí)序的配合情況時(shí)，需要計(jì)算“富裕時(shí)間”tmargin的大小，這是在考慮了SDRAM芯片的器件手冊(cè)提供的最壞情況之后，得到的時(shí)序上的一個(gè)裕量。至于tmargin值的大小，是系統(tǒng)設(shè)計(jì)層需要考慮的問(wèn)題，具體要求隨不同的系統(tǒng)而異，而且與印制板的實(shí)際布線情況以及負(fù)載的情況密切相關(guān)。

3  系統(tǒng)設(shè)計(jì)中IS42S16400芯片的應(yīng)用

3.1 C6201與IS42S16400的接口實(shí)現(xiàn)

由于IS42S16400屬于16位字寬的64 Mb SDRAM芯片，而C6201的EMIF只提供32位字寬的同步外存儲(chǔ)接口，為了使整個(gè)系統(tǒng)的存儲(chǔ)空間保持連續(xù)，使用2片SDRAM與DSP芯片組成實(shí)際大小為16 MB的外部存儲(chǔ)系統(tǒng)，如圖1所示。圖1中IS42S16400芯片各引腳含義如下：CS，片選；CLK，系統(tǒng)同步時(shí)鐘；RAS，行地址選擇；CAS，列地址選擇；WE，讀／寫(xiě)使能；CKE，時(shí)鐘使能；DQMU、DQML，高低字節(jié)使能；A[13：123]，Bank地址選擇線；A[11：0]，行、列地址線；DQ[15：0]，雙向數(shù)據(jù)端口。    

由圖1可以看出，雖然C620l提供32位地址尋址能力，但是經(jīng)EMIF直接輸出的地址信號(hào)只有EA[21：2]。一般情況下，EA2信號(hào)對(duì)應(yīng)邏輯地址A2，但這并不意味著DSP芯片訪問(wèn)外存時(shí)只能進(jìn)行word(32位)的存取。實(shí)際內(nèi)部32位地址的最低2～3位經(jīng)譯碼后由BEx輸出，是能夠控制字節(jié)訪問(wèn)的。更高位邏輯地址經(jīng)譯碼后輸出CE[3：0]。