ARM新一代多核技術(shù)可延長智能手機電池壽命
英偉達也有類似技術(shù)
根據(jù)負荷情況將閾值電壓更高的節(jié)電型CPU內(nèi)核進行切換使用的方法,其實除了ARM公司的big.LITTLE技術(shù)外還有其他技術(shù)。比如,美國英偉達(NVIDIA)在2011年9月發(fā)布的“vSMP(variable Symmetric Multi Processing)”技術(shù)。vSMP技術(shù)已經(jīng)用于該公司2011年11月發(fā)布的應用處理器“Tegra 3”上,臺灣華碩電腦(ASUSTeK Computer)的“Eee Pad TransformerPrime”等平板終端產(chǎn)品已經(jīng)配備了“Tegra 3”。
Tegra 3配備五個“Cortex-A9”,其中一個用作“協(xié)處理內(nèi)核”,采用漏電流較小的低功耗制造技術(shù)形成。雖然不能像big.LITTLE技術(shù)那樣同時采用微架構(gòu)不同的內(nèi)核,但在組合使用電力效率不同的內(nèi)核這點上,雙方是類似的(表1)。
不過,vSMP沒有big.LITTLE技術(shù)中的集群這一概念,協(xié)處理內(nèi)核以及其他內(nèi)核直接共享二級緩存。內(nèi)核間切換所需時間在2ms以內(nèi),遠遠高于big.LITTLE技術(shù)的20μs。估計將來會改換成配備更先進系統(tǒng)的big.LITTLE之類的技術(shù)。
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